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发明公开
与射频设备相关的方法和设备审中-公开

公开(公告)号：CN112349589A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010792855.8

申请日：2020-08-07

申请人： 英飞凌科技德累斯顿公司

发明人： H·塔迪肯 , C·布茨科夫 , A·卡塔内奥 , H·菲克 , D·海斯 , C·卡陶 , U·塞德尔 , V·索罗姆克 , A·施特尔滕波尔

IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/30 , H01L29/36 , H01L29/78

摘要： 本公开的实施例涉及与射频设备相关的方法和设备。讨论了与RF设备相关的方法和设备。为了制造设备，在半导体衬底的第一侧处形成RF设备，并且减薄并随后处理第二侧。