公开(公告)号：CN111697056A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010166766.2

申请日：2020-03-11

申请人： 英飞凌科技德累斯顿公司

发明人： A·马哈茂德 ,  R·魏斯 ,  A·维尔梅罗特

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329

摘要： 公开了一种半导体器件，其包括具有第一掺杂类型的多个第一半导体层(110)和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层(120)的层堆叠体。半导体器件还包括：邻接多个第一半导体层(110)的第一半导体器件(M1)的第一半导体区(15)；第一半导体器件(M1)的至少一个第二半导体区(14)，其中至少一个第二半导体区(14)中的每个邻接多个第二半导体层(120)中的至少一个，并且与第一半导体区(15)间隔开；以及第三半导体层(130)，其邻接层堆叠体(110，120)以及第一半导体区(15)和至少一个第二半导体区(14)中的每个，其中第三半导体层(130)包括在第一方向(x)上布置在第一半导体区(15)和至少一个第二半导体区(14)之间的第一区域(131)。半导体器件还包括从第三半导体层(130)的第一表面(101)延伸到第一区域(131)中的第一或第二掺杂类型的第三半导体区(140，142)。