公开(公告)号：CN109935632B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201811531736.6

申请日：2018-12-14

申请人： 英飞凌科技德累斯顿公司

发明人： A.毛德 ,  T.金齐希 ,  F-J.尼德诺斯泰德 ,  C.P.桑多

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件，具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元具有：在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：第一端口区，以及第一沟道区，所述第一台面展现在横向方向上的小于100 nm的总延伸，以及在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二端口区，以及第二沟道区。沟槽结构包括被配置成通过反型或积聚来控制负载电流的控制电极结构。第二导电类型的引导区域位于第二沟道区以下并且从第一和第二沟道区移位。

公开(公告)号：CN109935632A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811531736.6

申请日：2018-12-14

申请人： 英飞凌科技德累斯顿公司

发明人： A.毛德 ,  T.金齐希 ,  F-J.尼德诺斯泰德 ,  C.P.桑多

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件，具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元具有：在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：第一端口区，以及第一沟道区，所述第一台面展现在横向方向上的小于100 nm的总延伸，以及在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二端口区，以及第二沟道区。沟槽结构包括被配置成通过反型或积聚来控制负载电流的控制电极结构。第二导电类型的引导区域位于第二沟道区以下并且从第一和第二沟道区移位。