公开(公告)号：CN103515378A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310260365.3

申请日：2013-06-26

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 克日什托夫·多曼斯基

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/823892 ,  H01L23/62 ,  H01L23/647 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了半导体装置和结构、以及方法，其中围绕半导体装置的衬底经由电阻元件偏置。

公开(公告)号：CN103515378B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310260365.3

申请日：2013-06-26

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 克日什托夫·多曼斯基

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/823892 ,  H01L23/62 ,  H01L23/647 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了半导体装置和结构、以及方法，其中围绕半导体装置的衬底经由电阻元件偏置。