公开(公告)号：CN107177831A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710134305.5

申请日：2017-03-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 汉斯-约阿希姆·舒尔策 ,  约翰内斯·鲍姆加特尔 ,  赫尔穆特·厄夫纳

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02656

摘要： 一种减少外延层中缺陷的方法。所述方法包括在晶片衬底的外周边缘区域之内形成一个或更多个阻挡结构，以及在晶片衬底的表面上形成外延层。