公开(公告)号：CN107177831A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710134305.5

申请日：2017-03-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 汉斯-约阿希姆·舒尔策 ,  约翰内斯·鲍姆加特尔 ,  赫尔穆特·厄夫纳

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02656

摘要： 一种减少外延层中缺陷的方法。所述方法包括在晶片衬底的外周边缘区域之内形成一个或更多个阻挡结构，以及在晶片衬底的表面上形成外延层。

公开(公告)号：CN105047563A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510374692.0

申请日：2015-06-30

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 黄秋铭

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/823431

摘要： 本发明提供了一种鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体基体，在所述半导体基体上形成图案化掩膜层；利用图案化掩膜层蚀刻所述半导体基体以形成鳍形结构；在所述半导体基体和所述鳍形结构上依次覆盖氧化物层和氮化物层；通过化学机械研磨来研磨氧化物层、氮化物层和图案化掩膜层，直到露出所述鳍形结构；部分地去除所述鳍形结构两侧的氧化物层；对露出的所述鳍形结构进行外延生长，以形成上端大下端小的改进鳍形结构；去除所述氮化物层；进一步部分去除所述氧化物层以减薄所述氧化物层，从而形成Ω形截面的半导体鳍形基体结构。

公开(公告)号：CN103384910A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280003273.0

申请日：2012-02-23

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  栗林秀直 ,  寺西秀明

IPC分类号： H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02373 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/228 ,  H01L29/66333

摘要： 使用从单晶硅锭切割的硅晶片来制造反向阻断IGBT，该硅晶片使用通过切克劳斯基法制成的单晶硅锭作为原材料且以浮动法制成。通过使用热扩散工艺扩散注入硅晶片的杂质来形成用于确保反向阻断IGBT的反向阻断性能的分离层。用于形成分离层的热扩散工艺在惰性气体气氛中在高于或等于1290°C且低于硅的熔点的温度下进行。以此方式，在硅晶片中不发生晶体缺陷，并且可防止反向阻断IGBT中反向击穿电压缺陷或者正向缺陷的发生，且由此提高半导体元件的成品率。

公开(公告)号：CN101689483B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880022501.2

申请日：2008-04-28

申请人： 阿祖罗半导体股份公司

发明人： 阿明·达德加 ,  阿洛伊斯·克罗斯特

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： 本发明涉及具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件，该层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上，该第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时，该第IV族衬底表面的单元晶格具有C2对称，但不具有比C2对称更高的旋转对称。该第III族氮化物层结构在直接邻接该第IV族衬底表面处具有由三元或四元的Al1-x-yInxGayN构成的籽晶层，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1。由此实现了高质量的单晶生长。本发明的优点在于可以在c面、a面和m面GaN的生长中获得高的可实现的晶体质量，以及轻易地全部或部分移除衬底的可能性，这是因为这比在(111)取向的衬底上更容易以湿法化学方式进行。

公开(公告)号：CN105185692B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510126114.5

申请日：2015-03-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 王维一 ,  马克·S·罗德

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种应变弛豫方法、一种形成应变弛豫半导体层的方法和一种形成半导体器件的方法。提供了形成应变弛豫半导体层的方法，其中，在半导体基底的表面中形成多孔区。在多孔区上形成与半导体基底晶格匹配的第一半导体层。在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变层。然后，弛豫第二半导体层。

公开(公告)号：CN105409005A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201380078418.8

申请日：2013-08-23

申请人： 英特尔公司

发明人： G·A·格拉斯 ,  A·S·默西

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76264 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 公开了针对诸如金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管的半导体器件使用介于III-V沟道层和IV族衬底之间的高阻层的技术。高阻层可用于使得从源极到漏极的沿着除了直接经过沟道以外的路径的电流流动最小化(或消除)。在一些情况下，高阻层可以是III-V宽带隙层。在一些这样的情况下，宽带隙层可以具有大于1.4电子伏特(eV)的带隙，并且甚至可以具有大于2.0eV的带隙。在其它情况下，通过例如氧化或氮化，可以将宽带隙层部分地或完全地转化成绝缘体。作为结果的结构可以与平面、鳍式或纳米线/纳米管晶体管架构一起使用，以帮助防止衬底泄漏问题。

公开(公告)号：CN105185692A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510126114.5

申请日：2015-03-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 王维一 ,  马克·S·罗德

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/786 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02694

摘要： 本发明公开了一种应变弛豫方法、一种形成应变弛豫半导体层的方法和一种形成半导体器件的方法。提供了形成应变弛豫半导体层的方法，其中，在半导体基底的表面中形成多孔区。在多孔区上形成与半导体基底晶格匹配的第一半导体层。在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变层。然后，弛豫第二半导体层。

公开(公告)号：CN102576726B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080043950.2

申请日：2010-09-29

申请人： 国立大学法人北海道大学

发明人： 冨冈克広 ,  福井孝志 ,  田中智隆

IPC分类号： H01L29/66 ,  C30B29/62 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/005 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

摘要： 本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含：IV族半导体基板，掺杂为第一导电型；III-V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极，连接于所述IV族半导体基板；漏极电极，连接于所述III-V族化合物半导体纳米线的第二区域；及栅极电极，配置在可对所述IV族半导体基板的(111)面与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面、或所述III-V族化合物半导体纳米线的第一区域与第二区域的界面产生效应的位置。

公开(公告)号：CN103943676A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310698719.2

申请日：2013-12-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域。

公开(公告)号：CN102576726A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043950.2

申请日：2010-09-29

申请人： 国立大学法人北海道大学

发明人： 冨冈克広 ,  福井孝志 ,  田中智隆

IPC分类号： H01L29/66 ,  C30B29/62 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/005 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

摘要： 本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含：IV族半导体基板，掺杂为第一导电型；III-V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极，连接于所述IV族半导体基板；漏极电极，连接于所述III-V族化合物半导体纳米线的第二区域；及栅极电极，配置在可对所述IV族半导体基板的(111)面与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面、或所述III-V族化合物半导体纳米线的第一区域与第二区域的界面产生效应的位置。