公开(公告)号：CN102386124B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110254322.5

申请日：2011-08-31

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： B.埃拉塔里 ,  F.希尔勒

IPC分类号： H01L21/763 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/781

摘要： 直接接触的沟槽结构。半导体结构包括第一导电性的半导体基板、基板上的第二导电性的外延层以及夹置在基板和外延层之间的第二导电性的埋层。第一沟槽结构穿过外延层和埋层延伸到基板且包括侧壁绝缘和在第一沟槽结构的底部与基板电学接触的导电材料。第二沟槽结构穿过外延层延伸到埋层且包括侧壁绝缘和在第二沟槽结构的底部与埋层电学接触的导电材料。绝缘材料的区域横向地从第一沟槽结构的导电材料延伸到第二沟槽结构的导电材料且纵向地延伸到基本第二沟槽结构的深度。

公开(公告)号：CN102386124A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110254322.5

申请日：2011-08-31

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： B.埃拉塔里 ,  F.希尔勒

IPC分类号： H01L21/763 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/781

摘要： 直接接触的沟槽结构。半导体结构包括第一导电性的半导体基板、基板上的第二导电性的外延层以及夹置在基板和外延层之间的第二导电性的埋层。第一沟槽结构穿过外延层和埋层延伸到基板且包括侧壁绝缘和在第一沟槽结构的底部与基板电学接触的导电材料。第二沟槽结构穿过外延层延伸到埋层且包括侧壁绝缘和在第二沟槽结构的底部与埋层电学接触的导电材料。绝缘材料的区域横向地从第一沟槽结构的导电材料延伸到第二沟槽结构的导电材料且纵向地延伸到基本第二沟槽结构的深度。