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公开(公告)号：CN109534280B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201811100718.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·沃瑟 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
Abstract: 本申请涉及用于MEMS器件的制造方法，包括以下步骤：在载体衬底上提供层布置，其中层布置具有第一和第二层结构，其中在第一和第二层结构之间的中间区域中布置有牺牲材料，其中在第一和第二层结构之间延伸的蚀刻停止结构将中间区域划分为裸露区域和与裸露区域横向相邻的壁区域，并且其中第一和第二层结构中的至少一个层结构具有通向裸露区域的通道开口，并且借助于蚀刻过程通过通道开口而从裸露区域中去除所述牺牲材料，以暴露裸露区域，其中蚀刻停止结构被用作对蚀刻过程的横向限界，并且其中边缘区域中存在的牺牲材料被用作第一和第二层结构之间的机械连接。
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公开(公告)号：CN109678105B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN109525928A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811089999.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风可以包括：声音检测单元以及阀。声音检测可以包括：第一膜；与第一膜间隔布置的第二膜；被提供在第一膜和第二之间的低压区域，在该低压区域中存在与常压相比较小的气压；至少部分地布置在低压区域中的反电极；以及声通孔，该声通孔在声音检测单元的厚度方向上延伸穿过声音检测单元。阀被被提供在声通孔处，并且设置成能够取多个阀状态，其中每个阀状态对应于所述声通孔对于声音的一个预设透射度。
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公开(公告)号：CN108449702B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810151536.1
申请日：2018-02-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·沃瑟 , C·阿伦斯 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
IPC: H04R19/04
Abstract: 微型机电麦克风可以包括：参考电极，布置在所述参考电极的第一侧并且能够通过待检测的声音移动的第一膜，以及布置在与参考电极的第一侧相对的所述参考电极的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动的第二膜。第一膜和第二膜中的一个的、通过声音相对于参考电极移动的区域，不取决于其相对于参考电极的位置，该区域可以包括平坦部分以及邻近该平坦部分并且在膜的与第一膜和第二膜中另一个的重叠区域中布置的波纹部分。
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公开(公告)号：CN109429158A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811011584.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J·斯特拉塞 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·瓦格纳 , A·沃瑟
Abstract: 双膜MEMS器件的制造方法，具有：在衬底上提供层布置，具有第一膜结构、邻接第一膜结构的牺牲材料层和在牺牲材料层中并与第一膜结构间隔的反电极结构，在牺牲材料层中形成通孔，直到第一膜结构并与反电极结构分离，通过将第一填充材料层施加到通孔的壁区域，在通孔中形成填充材料结构，以在通孔中邻接第一填充材料层获得内部体积区域，在层布置上施加第二膜结构，以密封内部体积区域，反电极结构布置在由牺牲材料填充的位于第一和第二膜结构之间的中间区域中并分别与其间隔，从中间区域中去除牺牲材料以暴露填充材料结构，以在第一和第二膜结构之间获得机械连接元件，其机械耦合到第一和第二膜结构之间并与反电极结构机械解耦。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104112741A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410150407.2
申请日：2014-04-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·贝尔 , D·迈尔 , G·梅茨格-布吕克尔 , R·洛伊施纳
IPC: H01L27/02
CPC classification number: G06F17/5077 , G06F17/5081
Abstract: 通过测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值，存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联，并且基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接，来调整电学电路的电容或电感。相应的系统包括：测试器，可操作为测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值；存储系统，可操作为存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联；和处理电路，可操作为基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接。
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公开(公告)号：CN109429158B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811011584.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J·斯特拉塞 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·瓦格纳 , A·沃瑟
Abstract: 双膜MEMS器件的制造方法，具有：在衬底上提供层布置，具有第一膜结构、邻接第一膜结构的牺牲材料层和在牺牲材料层中并与第一膜结构间隔的反电极结构，在牺牲材料层中形成通孔，直到第一膜结构并与反电极结构分离，通过将第一填充材料层施加到通孔的壁区域，在通孔中形成填充材料结构，以在通孔中邻接第一填充材料层获得内部体积区域，在层布置上施加第二膜结构，以密封内部体积区域，反电极结构布置在由牺牲材料填充的位于第一和第二膜结构之间的中间区域中并分别与其间隔，从中间区域中去除牺牲材料以暴露填充材料结构，以在第一和第二膜结构之间获得机械连接元件，其机械耦合到第一和第二膜结构之间并与反电极结构机械解耦。
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公开(公告)号：CN109525928B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811089999.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风可以包括：声音检测单元以及阀。声音检测可以包括：第一膜；与第一膜间隔布置的第二膜；被提供在第一膜和第二之间的低压区域，在该低压区域中存在与常压相比较小的气压；至少部分地布置在低压区域中的反电极；以及声通孔，该声通孔在声音检测单元的厚度方向上延伸穿过声音检测单元。阀被被提供在声通孔处，并且设置成能够取多个阀状态，其中每个阀状态对应于所述声通孔对于声音的一个预设透射度。
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公开(公告)号：CN109678105A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00293 , B81C2201/0178 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145 , B81C1/00277 , B81B7/0035 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN109534280A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811100718.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·沃瑟 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
Abstract: 本申请涉及用于MEMS器件的制造方法，包括以下步骤：在载体衬底上提供层布置，其中层布置具有第一和第二层结构，其中在第一和第二层结构之间的中间区域中布置有牺牲材料，其中在第一和第二层结构之间延伸的蚀刻停止结构将中间区域划分为裸露区域和与裸露区域横向相邻的壁区域，并且其中第一和第二层结构中的至少一个层结构具有通向裸露区域的通道开口，并且借助于蚀刻过程通过通道开口而从裸露区域中去除所述牺牲材料，以暴露裸露区域，其中蚀刻停止结构被用作对蚀刻过程的横向限界，并且其中边缘区域中存在的牺牲材料被用作第一和第二层结构之间的机械连接。
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