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公开(公告)号：CN106495086A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610600300.2
申请日：2016-07-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00301 , B81C2203/035 , B81C2203/0792 , G01L9/0041 , G01L9/0042 , G01L9/0044 , G01L9/0045 , G01L9/0048 , G01N27/123 , B81B7/0096 , B81C3/001 , G01N27/00 , G01N27/128
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103848390B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310067441.9
申请日：2013-03-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B3/0021 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2207/09 , B81C1/00182 , H01L29/84
摘要： 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
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公开(公告)号：CN106044701A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610235745.5
申请日：2016-04-15
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2203/0118 , B81C2201/014 , B81C1/00349 , B81B7/02
摘要： 本发明创造一种用于以层序列制造微机电结构(ME1)的方法和一种具有微机电结构的相应的电子构件。本方法包括：提供具有第一表面(10)的载体衬底(T1)；将隔离层(l1)施加到第一表面(10)上；使第一硅层(S1)外延生长到隔离体层(l1)上；结构化第一硅层(S1)以便在第一硅层(S1)中构造沟槽(G)；钝化第一硅层(S1)，其中，填充沟槽(G)并且在背向第一表面(10)的一侧上构成钝化层(P)；结构化钝化层(P)，其中在第一硅层(S1)中构造牺牲区域(O1)和功能区域(F1)，并且牺牲区域(O1)在背向载体衬底(T1)的一侧上至少部分地摆脱钝化层(P)；最后，移除牺牲区域(O1)。
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公开(公告)号：CN105910736A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610093428.4
申请日：2016-02-19
申请人： 大陆汽车系统公司
CPC分类号： B81C1/00888 , B81B7/0019 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , B81C2201/019 , B81C2203/031 , B81C2203/032 , G01L13/025 , G01L19/0654 , G01L1/18 , B81B7/0058 , B81C1/00325
摘要： 本发明涉及一种用于高玻璃强度和稳健包装的嵌入结构。传感器设备构造成保持高玻璃强度以避免在低爆破压力下的玻璃失效，其起因于位于作为用于构造传感器的材料中的一个的玻璃底座的临界高应力区域中的锯切缺陷。这通过在锯切槽区域的临界高应力区域中形成抛光的凹槽结构来实现。传感器设备还构造成通过在玻璃底座的安装表面上产生多个微柱来与芯片附接材料稳健的结合。
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公开(公告)号：CN104045050B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310359584.7
申请日：2013-08-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00238 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/3012 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。
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公开(公告)号：CN105712288A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410724507.1
申请日：2014-12-02
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 荆二荣
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2203/058 , B81C1/00603 , B81C2201/0109 , B81C2201/0111
摘要： 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。
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公开(公告)号：CN105448642A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410437369.9
申请日：2014-08-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , H01L41/113
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有器件区；在所述衬底的器件区表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成器件层，所述器件层内具有若干暴露出所述牺牲层的开口；在形成所述器件层和开口之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，对所述衬底的器件区表面进行刻蚀，在所述衬底内形成空腔。所形成的半导体结构形貌改善、性能提高，形成所述半导体结构的时间减少、工艺简化。
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公开(公告)号：CN105384141A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510553886.7
申请日：2015-09-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81C2201/019
摘要： 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
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公开(公告)号：CN105004334A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510290056.X
申请日：2015-05-29
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G01C19/5691 , G01C25/00 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01C19/5691 , B81B7/0009 , B81C1/00182 , G01C25/00
摘要： 本发明提供了一种面外电磁式半球形微陀螺仪及其制备方法，包括：设有半球形凹槽的单晶硅基底、微型半球形谐振子、中心固定支撑柱、均匀分布式平面线圈、均匀分布式永磁体、凹形支架，本发明采用面外驱动和检测方法，可实现面外力与面内位移之间的相互转换，便于检测垂直于基底方向的科氏效应；本发明采用电磁式驱动和检测方法，无需制作静电式所需的微小电容间隙，同时可避免寄生电容、静电吸附等问题；本发明采用平面线圈和永磁体的方式进行电磁驱动和电磁检测，便于制作和实现；本发明体积小，成本低，工艺简单，可实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN104891423A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510098301.7
申请日：2015-03-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： A·德厄 , M·F·M·巴斯塔劳斯
CPC分类号： H04R19/04 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/15151 , H01L2924/16152 , H04R19/005 , H04R2201/003 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及不具有背板的双隔膜MEMS麦克风，具体公开了一种传感器结构。该传感器结构包括第一悬置结构和被配置为与第一悬置结构分离以形成空间的第二悬置结构。第一悬置结构和第二悬置结构可相对于彼此配置，使得接收的进入第一悬置结构和第二悬置结构之间的空间的压力波生成第一悬置结构朝第一方向的位移和第二悬置结构朝不同于第一方向的第二方向的位移，并且位移可生成可测量的信号。
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