公开(公告)号：CN118676122A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410284011.0

申请日：2024-03-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·费勒 ,  A·凯斯勒 ,  K·克希尔萨加 ,  E·博达诺 ,  M·贝尼谢克

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

Abstract: 一种半导体封装包括层压封装衬底、嵌入在层压封装衬底内的第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯、嵌入在层压封装衬底内的驱动器管芯、与驱动器管芯的I/O端子电连接的多个I/O布线、与第一功率晶体管管芯的第二负载端子和第二功率晶体管管芯的第一负载端子电连接的开关信号焊盘、以及屏蔽焊盘，所述屏蔽焊盘被配置为在第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯的操作期间将I/O布线中的至少一个与开关信号焊盘电屏蔽。

公开(公告)号：CN117059616A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310537673.X

申请日：2023-05-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·克希尔萨加 ,  赵应山 ,  A·K·格纳纳帕 ,  黄稳康 ,  A·凯斯勒 ,  M·R·米勒 ,  S·普伦

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/64 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开涉及一种热耦接至无源元件的半导体器件封装。一种半导体组件包括：器件载体，其包括电介质核心区以及设置在上表面上的多个接触焊盘；具有多个下表面端子的半导体器件封装；分立无源元件，其包括主体和一对引线；以及由间隙填充材料构成的区域，其中，该半导体器件封装安装在该器件载体上，其中，所述下表面端子朝向并且电连接至一组所述接触焊盘，其中，该分立无源元件安装在该器件载体上，其中，所述一对引线与该器件载体上的接触表面电连接，并且其中，所述由间隙填充材料构成的区域布置在该主体的下表面与该半导体器件封装的上表面之间，并且将该半导体器件封装热耦接至该分立无源元件。

公开(公告)号：CN117059615A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310534908.X

申请日：2023-05-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·克希尔萨加 ,  赵应山 ,  D·克拉韦特 ,  黄稳康 ,  A·凯斯勒

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开涉及多器件功率模块装置。一种半导体组件，包括：载体，其包括电介质衬底以及设置在该载体的上表面上的多个接触焊盘；安装在该载体上的第一表面安装封装和第二表面安装封装；分别安装在第一表面安装封装和第二表面安装封装之上的第一分立电感器和第二分立电感器，其中，第一表面安装封装和第二表面安装封装均包括下表面端子，该下表面端子面对着来自该载体的接触焊盘，并且与来自该载体的接触焊盘电连接，其中，第一表面安装封装和第二表面安装封装均包括背对着该载体的上侧，并且其中，第一分立电感器和第二分立电感器分别热耦接至第一表面安装封装和第二表面安装封装的上侧。