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公开(公告)号：CN117790491A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311273592.X
申请日：2023-09-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 一种芯片封装体包括：导电载体结构；第一功率芯片，其布置在载体结构上且包括具有控制接触焊盘和第一类型的受控接触焊盘的第一侧、包括第二类型的受控接触焊盘的相反的第二侧和用于控制受控接触焊盘之间的电流的控制结构，控制接触焊盘通过过孔电连接到控制结构；第二功率芯片，其布置在载体结构上且包括具有控制接触焊盘和第二类型的受控接触焊盘的第一侧、包括第一类型的受控接触焊盘的相反的第二侧和用于控制受控接触焊盘之间的电流的控制结构，控制接触焊盘电连接到控制结构；逻辑芯片；再分布层；和模制材料；功率芯片的控制接触焊盘面向再分布层，逻辑芯片的逻辑接触焊盘面向再分布层；再分布层将逻辑接触焊盘与相应的控制接触焊盘连接。
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公开(公告)号：CN112435967A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010587118.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/482 , H01L21/56 , H01L21/683
Abstract: 提供一种裸片封装体。所述裸片封装体可以包括：层合载体，其包括至少一个凹部；第一裸片，其具有前侧和背侧以及位于前侧上的前侧金属化结构和位于背侧上的背侧金属化结构，其中，第一裸片布置在所述至少一个凹部中；第一包封材料，其部分地包封第一裸片而至少覆盖前侧金属化结构或背侧金属化结构；以及粘附促进剂材料，其在第一包封材料所覆盖的金属化结构与第一包封材料之间并与第一包封材料和第一包封材料所覆盖的金属化结构直接物理接触。
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公开(公告)号：CN107895697A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710929805.8
申请日：2017-10-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49558 , H01L21/561 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L24/97 , H05K7/1007 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L24/80
Abstract: 公开了一种用于承载电子芯片(102)的芯片载体(100)，其中，所述芯片载体(100)包括被配置用于通过烧结来安装电子芯片(102)的安装部分(104)以及被配置用于通过包封材料(138)包封的包封部分(106)。
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公开(公告)号：CN118676122A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410284011.0
申请日：2024-03-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 一种半导体封装包括层压封装衬底、嵌入在层压封装衬底内的第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯、嵌入在层压封装衬底内的驱动器管芯、与驱动器管芯的I/O端子电连接的多个I/O布线、与第一功率晶体管管芯的第二负载端子和第二功率晶体管管芯的第一负载端子电连接的开关信号焊盘、以及屏蔽焊盘，所述屏蔽焊盘被配置为在第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯的操作期间将I/O布线中的至少一个与开关信号焊盘电屏蔽。
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公开(公告)号：CN111244041B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201911164576.0
申请日：2019-11-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种封装(100)，该封装包括具有至少一个焊盘(104)的电子芯片(102)、至少部分地密封电子芯片(102)的密封体(106)，以及从至少一个焊盘(104)延伸穿过密封体(106)以相对于密封体(106)被暴露的导电接触元件(108)，其中导电接触元件(108)包括至少一个焊盘(104)上由第一导电材料制成的第一接触结构(110)，并包括由第二导电材料制成且相对于密封体(106)被暴露的第二接触结构(112)。至少一个焊盘中的至少一个至少具有包括第一导电材料或由第一导电材料制成的表面部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117059616A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310537673.X
申请日：2023-05-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种热耦接至无源元件的半导体器件封装。一种半导体组件包括：器件载体，其包括电介质核心区以及设置在上表面上的多个接触焊盘；具有多个下表面端子的半导体器件封装；分立无源元件，其包括主体和一对引线；以及由间隙填充材料构成的区域，其中，该半导体器件封装安装在该器件载体上，其中，所述下表面端子朝向并且电连接至一组所述接触焊盘，其中，该分立无源元件安装在该器件载体上，其中，所述一对引线与该器件载体上的接触表面电连接，并且其中，所述由间隙填充材料构成的区域布置在该主体的下表面与该半导体器件封装的上表面之间，并且将该半导体器件封装热耦接至该分立无源元件。
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公开(公告)号：CN113380741A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110259268.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片，所述半导体芯片在第一芯片主表面上包括第一芯片接触焊盘。所述半导体装置还包括第一导电层，其布置在第一芯片主表面之上并且电耦合到第一芯片接触焊盘，其中，第一导电层在平行于第一芯片主表面的方向上延伸。所述半导体装置还包括第二导电层，其布置在第一导电层之上并且电耦合到第一导电层，其中，第二导电层在与第一导电层平行的方向上延伸。所述半导体装置还包括电直通连接结构，其电耦合到第一导电层和第二导电层，其中，电直通连接结构在垂直于第一芯片主表面的方向上延伸，并且在第一芯片主表面的顶视图中，电直通连接结构和半导体芯片不重叠。
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公开(公告)号：CN107946258B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710947225.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 一种芯片载体(100)，其包括导热电绝缘片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106)，其中，所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外。
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公开(公告)号：CN108074892B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201711123924.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/482 , H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 一种封装体(100)包括：至少一个电子芯片(102)；第一散热体(104)，所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上；第二散热体(106)，所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方；以及包封材料(108)，所述包封材料(108)包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分、所述第一散热体(104)的一部分和所述第二散热体(106)的一部分，其中，所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。
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公开(公告)号：CN112310006A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010755414.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 一种制造封装体(100)的方法，其中，所述方法包括：将至少一个电子构件(104)安装在承载件(102)上；将层压体(106)附接至所述至少一个电子构件(104)；和用包封剂(108)填充层压体(106)与承载件(102)之间的空间(110)的至少一部分，其中，所述至少一个电子构件(104)安装在层压体(106)与承载件(102)之间。
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