公开(公告)号：CN108428662A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810151267.9

申请日：2018-02-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.布伦鲍尔 ,  M.彦克 ,  T.基勒 ,  A.科勒 ,  G.迈尔 ,  A.米勒-希佩尔 ,  A.施蒂克于尔根 ,  C.托姆斯

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/14 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/023

摘要： 本发明涉及在芯片制造期间处置薄晶片。提供了一种制造方法，其包括：在晶片（100）的正面（102）中形成凹进部（112），将第一临时支持体（104）连接到凹进的晶片（100）的正面，此后从背面（106）将晶片（100）减薄，将第二临时支持体（110）连接到背面（106），以及此后移除第一临时支持体（104）。