公开(公告)号：CN107437528B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201710378000.9

申请日：2017-05-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.布伦鲍尔 ,  F.马里亚尼

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及将半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件。从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150）。所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分离。所述分离凹槽（150）中的至少一些与所述半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）。沿着横向表面（103）形成凹口（158）。凹口（158）从主表面101延伸到半导体衬底（100）中。凹口（158）的最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1）。凹口158关于主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。

公开(公告)号：CN107437528A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710378000.9

申请日：2017-05-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.布伦鲍尔 ,  F.马里亚尼

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5442 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及将半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件。从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150）。所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分离。所述分离凹槽（150）中的至少一些与所述半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）。沿着横向表面（103）形成凹口（158）。凹口（158）从主表面101延伸到半导体衬底（100）中。凹口（158）的最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1）。凹口158关于主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。

公开(公告)号：CN108428662A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810151267.9

申请日：2018-02-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.布伦鲍尔 ,  M.彦克 ,  T.基勒 ,  A.科勒 ,  G.迈尔 ,  A.米勒-希佩尔 ,  A.施蒂克于尔根 ,  C.托姆斯

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/14 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/023

摘要： 本发明涉及在芯片制造期间处置薄晶片。提供了一种制造方法，其包括：在晶片（100）的正面（102）中形成凹进部（112），将第一临时支持体（104）连接到凹进的晶片（100）的正面，此后从背面（106）将晶片（100）减薄，将第二临时支持体（110）连接到背面（106），以及此后移除第一临时支持体（104）。

公开(公告)号：CN103107167B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201310052247.3

申请日：2008-10-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T.迈耶 ,  M.布伦鲍尔 ,  J.波尔

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及了半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法。公开了制造器件的方法，半导体芯片封装和半导体芯片组件。一个实施例包括施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上。施加至少一个元件到第二成形元件上。施加材料到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上。

公开(公告)号：CN103107167A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310052247.3

申请日：2008-10-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T.迈耶 ,  M.布伦鲍尔 ,  J.波尔

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及了半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法。公开了制造器件的方法，半导体芯片封装和半导体芯片组件。一个实施例包括施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上。施加至少一个元件到第二成形元件上。施加材料到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上。