公开(公告)号：CN107665882B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710623101.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.科托罗贾 ,  E.格里布尔 ,  J.G.拉文 ,  A.菲利波

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/52 ,  G01R31/56

Abstract: 一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。

公开(公告)号：CN107665882A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710623101.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.科托罗贾 ,  E.格里布尔 ,  J.G.拉文 ,  A.菲利波

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/02

Abstract: 一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。