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公开(公告)号：CN103681542A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310396680.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/36 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05556 , H01L2224/0556 , H01L2224/05568 , H01L2224/05611 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/29006 , H01L2224/29016 , H01L2224/29023 , H01L2224/29026 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/3201 , H01L2224/32057 , H01L2224/32106 , H01L2224/32225 , H01L2224/32237 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45111 , H01L2224/45118 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45164 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48611 , H01L2224/48618 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/4866 , H01L2224/48664 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48718 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/4876 , H01L2224/48764 , H01L2224/48766 , H01L2224/48811 , H01L2224/48818 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48864 , H01L2224/48866 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/80903 , H01L2224/821 , H01L2224/82101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83438 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/8346 , H01L2224/83464 , H01L2224/8382 , H01L2224/83902 , H01L2224/9202 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01015 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 芯片封装和用于制作芯片封装的方法。提供一种芯片封装，所述芯片封装包括：包括至少一个腔体的载体；至少部分地设置在至少一个腔体内的芯片；设置在芯片的至少一个侧壁上的至少一个中间层；其中至少一个中间层被配置为将来自芯片的热量热传导到载体。
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公开(公告)号：CN117316997A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311286810.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。
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公开(公告)号：CN107665882A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710623101.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R31/02
Abstract: 一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。
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公开(公告)号：CN104347475A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410385790.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/761 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。
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公开(公告)号：CN107665882B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710623101.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R31/52 , G01R31/56
Abstract: 一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108933169A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810528736.4
申请日：2018-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。
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公开(公告)号：CN103681542B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310396680.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/36 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05556 , H01L2224/0556 , H01L2224/05568 , H01L2224/05611 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/29006 , H01L2224/29016 , H01L2224/29023 , H01L2224/29026 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/3201 , H01L2224/32057 , H01L2224/32106 , H01L2224/32225 , H01L2224/32237 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45111 , H01L2224/45118 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45164 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48611 , H01L2224/48618 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/4866 , H01L2224/48664 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48718 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/4876 , H01L2224/48764 , H01L2224/48766 , H01L2224/48811 , H01L2224/48818 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48864 , H01L2224/48866 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/80903 , H01L2224/821 , H01L2224/82101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83438 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/8346 , H01L2224/83464 , H01L2224/8382 , H01L2224/83902 , H01L2224/9202 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01015 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 芯片封装和用于制作芯片封装的方法。提供一种芯片封装，所述芯片封装包括：包括至少一个腔体的载体；至少部分地设置在至少一个腔体内的芯片；设置在芯片的至少一个侧壁上的至少一个中间层；其中至少一个中间层被配置为将来自芯片的热量热传导到载体。
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公开(公告)号：CN108933169B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810528736.4
申请日：2018-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。
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公开(公告)号：CN104347475B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410385790.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/761 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。
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公开(公告)号：CN103515346A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310235218.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4952 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/11 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2924/00014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/181 , H05K1/0296 , H05K3/308 , H05K2201/0792 , H05K2201/10166 , H05K2201/10522 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体模块及其形成方法。根据本发明的一个实施例，半导体模块包括第一半导体装置，其具有第一多个引线，包括第一栅极/基极引线、第一漏极/集电极引线和第一源极/发射极引线。该模块进一步包括第二半导体装置和电路板。第二半导体装置具有第二多个引线，包括第二栅极/基极引线、第二漏极/集电极引线和第二源极/发射极引线。电路板具有多个安装孔，其中第一多个引线和第二多个引线中的每个被安装到多个安装孔中的相应一个中。在多个安装孔处，从第一栅极/基极引线到第二栅极/基极引线的第一距离不同于从第一源极/发射极引线到第二源极/发射极引线的第二距离。
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