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公开(公告)号：CN118138978A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311630656.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本文中描述了一种用于制造微机械环境屏障芯片的方法，该方法包括：提供具有第一表面和相对的第二表面的衬底的步骤；将材料层沉积到衬底的第一表面上的步骤，该材料层具有与衬底不同的蚀刻特性；通过应用微结构化工艺在材料层的顶部上创建微结构化的微机械环境屏障结构的步骤；应用各向异性蚀刻工艺的步骤，该各向异性蚀刻工艺包括：用于从衬底的第二表面朝向第一表面各向异性地蚀刻以便至少创建在微机械环境屏障结构下面的第一腔的至少一个蚀刻步骤，腔在第二表面与材料层之间延伸；以及去除微机械环境屏障结构下面的材料层以便暴露环境屏障结构的步骤。
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公开(公告)号：CN118125370A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311622906.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于生产机械顺应纳米纤维环境屏障膜的方法。本文描述了一种用于生产微结构透气环境屏障膜(110)的方法，该方法包括以下步骤：提供衬底(120)，并且将通孔(130)结构化到所述衬底(120)中，通孔(130)在衬底(120)的两个相对的表面(121、122)之间完全延伸穿过衬底(120)，保持通孔(130)未被覆盖，并且通过应用电纺丝或吹纺丝方法中的至少一种方法将一个或多个纳米纤维(111)沉积到两个相对的衬底表面(121、122)中的至少一个衬底表面上，使得经纺丝的纳米纤维(111)组合为纳米纤维网络，纳米纤维网络形成覆盖先前未被覆盖的通孔(130)的独立且机械顺应的纳米纤维膜(110)。
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公开(公告)号：CN118138975A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311626029.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文描述了一种用于制造具有单片集成环境屏障结构(220)的MEMS麦克风器件(610)的方法，该方法包括：提供衬底结构(100)的步骤，该衬底结构包括基础衬底(200)和沉积在基础衬底(200)上的附加衬底材料层(210)；通过应用微结构化工艺在衬底结构(100)中创建微结构化的微机械环境屏障结构(220)的步骤，其中微结构化的微机械环境屏障结构(220)被配置为在阻止预定量的湿气、液体、油和固态环境颗粒中的至少一者通过的同时允许预定量的空气通过；以及通过应用微结构化工艺在衬底结构(100)的附加衬底材料(210)中创建MEMS声音换能器结构(120)的步骤，引起MEMS声音换能器结构(120)和微结构化的微机械环境屏障结构(220)均被单片集成在衬底结构(100)中。
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公开(公告)号：CN110132848A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910107760.5
申请日：2019-02-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/17 , G01N21/3504 , G01N21/61 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种发射器结构，包括具有薄膜装置的基板。薄膜装置至少包括在不同基板平面中的第一薄膜，第一加热路径和第二加热路径。第一加热路径和第二加热路径相对于彼此定位，使得第一加热路径和第二加热路径在一共同平面上的投影至少部分地彼此并置在该共同平面中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118405653A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410104919.9
申请日：2024-01-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种MEMS装置(100)，其包括衬底(110)，所述衬底(110)包括垂直延伸的通孔(120)和覆盖所述通孔(120)的水平延伸的膜结构(130)，其中所述膜结构(130)包括多个竖直纳米结构(150)，用于提供疏液膜表面。本公开还涉及用于制造这种MEMS装置(100)的方法。
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公开(公告)号：CN112235703B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010651736.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS声音换能器元件。具体地，在此公开了在音频和超声范围中可操作的MEMS声音换能器元件。MEMS声音换能器元件尤其包括：第一电极结构，其中第一电极结构的导电材料包括多个电隔离的电极段；以及与第一电极结构间隔开的第二电极结构，其中第一电极结构和第二电极结构可操作为音频声音换能器。第一电极结构的多个电隔离的电极段的第一子集连同第二电极结构可操作为超声或音频发射器，并且第一电极结构的多个电隔离的电极段的第二子集连同第二电极结构可操作为超声或音频接收器。
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公开(公告)号：CN118138972A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311626323.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于制造具有混合集成环境屏障结构(150)的MEMS压力换能器芯片(100)的方法，该方法包括以下步骤：提供包括至少一个膜(120)的基板(110)；向基板(110)中构造阶梯状凹陷结构(130)，阶梯状凹陷结构(130)包括具有第一横向宽度(W1)的第一凹部(131)和具有较大的第二横向宽度(W2)的相邻的第二凹部(132)，其中阶梯状凹陷结构(130)在膜(120)与与膜(120)相对的基板表面(142)之间延伸；以及在第二凹部(132)内部布置环境屏障结构(150)。本公开还涉及一种能够通过上述方法获取的设备。
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公开(公告)号：CN110132848B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910107760.5
申请日：2019-02-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/17 , G01N21/3504 , G01N21/61 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种发射器结构，包括具有薄膜装置的基板。薄膜装置至少包括在不同基板平面中的第一薄膜，第一加热路径和第二加热路径。第一加热路径和第二加热路径相对于彼此定位，使得第一加热路径和第二加热路径在一共同平面上的投影至少部分地彼此并置在该共同平面中。(56)对比文件张子立;殷晨波;陶春;朱斌.微加热板气体传感器的仿真及结构优化.仪表技术与传感器.2010,(第08期),第1-3、43页.
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公开(公告)号：CN112235703A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010651736.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS声音换能器元件。具体地，在此公开了在音频和超声范围中可操作的MEMS声音换能器元件。MEMS声音换能器元件尤其包括：第一电极结构，其中第一电极结构的导电材料包括多个电隔离的电极段；以及与第一电极结构间隔开的第二电极结构，其中第一电极结构和第二电极结构可操作为音频声音换能器。第一电极结构的多个电隔离的电极段的第一子集连同第二电极结构可操作为超声或音频发射器，并且第一电极结构的多个电隔离的电极段的第二子集连同第二电极结构可操作为超声或音频接收器。
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