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公开(公告)号：CN112291694B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010721799.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·韦斯鲍尔 , P·A·布雷格·劳滨·托雷斯·亚马拉尔 , A·卡斯帕尼 , N·德米勒里 , M·菲尔德纳
IPC: H04R23/00
Abstract: 公开了MEMS换能器以及用于操作该MEMS换能器的方法。MEMS换能器，包括第一和第二差分MEMS传感器设备。第一差分MEMS传感器设备包括用于提供第一差分输出信号的第一电极结构和第二电极结构，以及在第一电极结构和第二电极结构之间的第三电极结构。第二差分MEMS传感器设备包括用于提供第二差分输出信号的第一电极结构和第二电极结构，以及在第一电极结构和第二电极结构之间的第三电极结构。一种偏置电路，用于将第一偏置电压提供给第一差分MEMS传感器设备的第三电极结构，并将第二偏置电压提供给第二差分MEMS传感器设备的第三电极结构，第一偏置电压和第二偏置电压相对于参考电压对称地偏移。读出电路被配置为以反并行方式组合第一差分输出信号和第二差分输出信号。
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公开(公告)号：CN115002632A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210177081.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了MEMS设备，该MEMS设备具有TMD结构。MEMS设备(10)包括：锚定到基板(14)的悬挂电极结构(12；13)，该MEMS设备(10)具有MEMS谐振模式；以及TMD(调谐质量阻尼)结构(16)，其中悬挂电极结构(12；13)的一部分被布置成形成具有TMD弹簧元件(16‑2)和TMD质量元件(16‑1)的TMD结构(16)，用于提供抵消MEMS谐振模式的TMD谐振模式。
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公开(公告)号：CN111479179A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010271820.X
申请日：2014-11-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R1/04 , H04R1/40 , H04R3/00 , H04R19/00 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B3/00
Abstract: 本发明公开了微机电系统。一种如本文所描述的实施例包括具有第一微机电系统(MEMS)换能器元件、第二MEMS换能器元件和半导体衬底的MEMS。第一MEMS换能器元件和第二MEMS换能器元件布置在半导体衬底的顶面处，并且半导体衬底包括在声学上耦接至第一MEMS换能器元件和第二MEMS换能器元件的共享的腔体。
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公开(公告)号：CN109279569A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810805984.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据一个实施例，用于双膜MEMS器件300的制造方法100包括以下步骤：在载体衬底210上提供120层布置200，其中层布置200具有彼此间隔的第一膜结构220和第二膜结构230以及布置在其间的反电极结构240，其中在反电极结构240与分别与该反电极结构间隔的第一膜结构和第二膜结构之间的中间区域260中布置有牺牲材料250，并且其中第一膜结构220具有朝向具有牺牲材料250的中间区域260的开口结构270；从中间区域部分去除140牺牲材料250，以获得在第一膜结构和第二膜结构之间的具有牺牲材料250的机械连接结构280，机械连接结构机械耦合到第一膜结构和第二膜结构之间并且与反电极结构机械解耦。
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公开(公告)号：CN118138978A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311630656.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本文中描述了一种用于制造微机械环境屏障芯片的方法，该方法包括：提供具有第一表面和相对的第二表面的衬底的步骤；将材料层沉积到衬底的第一表面上的步骤，该材料层具有与衬底不同的蚀刻特性；通过应用微结构化工艺在材料层的顶部上创建微结构化的微机械环境屏障结构的步骤；应用各向异性蚀刻工艺的步骤，该各向异性蚀刻工艺包括：用于从衬底的第二表面朝向第一表面各向异性地蚀刻以便至少创建在微机械环境屏障结构下面的第一腔的至少一个蚀刻步骤，腔在第二表面与材料层之间延伸；以及去除微机械环境屏障结构下面的材料层以便暴露环境屏障结构的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112399311B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010794187.2
申请日：2020-08-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R7/10
Abstract: 公开了一种用于双背板换能器的膜支撑件。一种微加工结构，包括：可偏转膜、在可偏转膜的第一表面的第一夹持层、在可偏转膜的第二表面的第二夹持层、在第一夹持层上的第一穿孔背板以及在第二夹持层上的第二穿孔背板，其中，第一夹持层包括第一锥形边缘部分，该第一锥形边缘部分在第一穿孔背板与可偏转膜之间具有负斜率。
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公开(公告)号：CN109279569B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810805984.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据一个实施例，用于双膜MEMS器件300的制造方法100包括以下步骤：在载体衬底210上提供120层布置200，其中层布置200具有彼此间隔的第一膜结构220和第二膜结构230以及布置在其间的反电极结构240，其中在反电极结构240与分别与该反电极结构间隔的第一膜结构和第二膜结构之间的中间区域260中布置有牺牲材料250，并且其中第一膜结构220具有朝向具有牺牲材料250的中间区域260的开口结构270；从中间区域部分去除140牺牲材料250，以获得在第一膜结构和第二膜结构之间的具有牺牲材料250的机械连接结构280，机械连接结构机械耦合到第一膜结构和第二膜结构之间并且与反电极结构机械解耦。
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公开(公告)号：CN112291694A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010721799.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·韦斯鲍尔 , P·A·布雷格·劳滨·托雷斯·亚马拉尔 , A·卡斯帕尼 , N·德米勒里 , M·菲尔德纳
IPC: H04R23/00
Abstract: 公开了MEMS换能器以及用于操作该MEMS换能器的方法。MEMS换能器，包括第一和第二差分MEMS传感器设备。第一差分MEMS传感器设备包括用于提供第一差分输出信号的第一电极结构和第二电极结构，以及在第一电极结构和第二电极结构之间的第三电极结构。第二差分MEMS传感器设备包括用于提供第二差分输出信号的第一电极结构和第二电极结构，以及在第一电极结构和第二电极结构之间的第三电极结构。一种偏置电路，用于将第一偏置电压提供给第一差分MEMS传感器设备的第三电极结构，并将第二偏置电压提供给第二差分MEMS传感器设备的第三电极结构，第一偏置电压和第二偏置电压相对于参考电压对称地偏移。读出电路被配置为以反并行方式组合第一差分输出信号和第二差分输出信号。
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公开(公告)号：CN109319727A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810865573.9
申请日：2018-08-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: MEMS传感器包括具有可移动电极和定子电极的MEMS装置，定子电极与可移动电极相对地布置。MEMS传感器包括连接到定子电极的第一偏置电压源，第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压施加到定子电极。MEMS传感器还包括通过电容耦合连接到定子电极的共模读出电路，共模读出电路包括第二偏置电压源，第二偏置电压源被选择为将第二偏置电压施加到电容耦合的背离定子电极的一侧。
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公开(公告)号：CN104301839A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410342001.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H03F3/181 , H03F3/50 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据本发明的实施例，一种微机电系统(MEMS)器件，包括：第一板；第二板，布置在所述第一板上方；和第一可移动板，布置在所述第一板和所述第二板之间。MEMS器件进一步包括：第二可移动板，布置在所述第一可移动板和所述第二板之间。
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