专利检索 ap:("莫塞德技术公司") AND inv:"M·图赫" 第 1 页

1.

发明公开
静态随机存取存储器泄漏减小电路失效复审申请

公开(公告)号：CN101432816A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015365.X

申请日：2007-04-27

申请人： 莫塞德技术公司

发明人： M·A·赞帕格莱昂纳 , M·图赫

IPC分类号： G11C5/14 , G11C11/417

CPC分类号： G11C5/147 , G11C11/417 , H03K19/0008

摘要： 提供用于将静态随机存取存储器阵列的虚地节点维持在足够用于维持数据保持的最小水平的方法和系统。电路能够将虚地节点维持在虚地参考电压VDD－(1.5＊Vth)，或跨过存储器单元维持1.5＊Vth，其中，Vth为静态随机存取存储器存储器单元晶体管的阈值电压，并且VDD为正供给电压。通过跟踪静态随机存取存储器阵列中的存储器单元晶体管的Vth，电路在维持数据完整性的同时减小泄漏电流。阈值电压参考电路能够包括一个或多个存储器单元晶体管(并行)或特殊地布线的存储器单元，以跟踪存储器单元晶体管阈值电压。虚地参考电压的值能够基于乘法器电路中的反馈链元件的比率。