-
公开(公告)号：CN103119198B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180035854.8
申请日：2011-07-22
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
发明人： E.R.迪基
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/45551 , C23C16/45555
摘要： 用于在柔性基材(106、206、306、406)上沉积薄膜的系统(100、200、300、400)和方法，包括沿着螺旋形传送路径，在分隔的第一和第二前体区域(110、112、210、212、310、312、410、412)之间，用基材传送机构(166、168、170、266、270、274、276、366、370、466、470)来回引导柔性基材，使得基材传送经过第一和第二前体区域多次并且每次经过中间隔离区域(116、216、316、416)，而不与基材的外表面(182、382)机械接触，由此防止外表面上沉积的薄膜机械损坏，这样可以改善薄膜的阻隔层性能。
-
公开(公告)号：CN102753726B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080059857.0
申请日：2010-12-29
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/30 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/45538 , C23C16/45548 , C23C16/545
摘要： 一种自由基增强原子层沉积(REALD)的方法包括使基片交替暴露于第一前体气体(224)和从含氧第二前体气体(226)产生的自由基，如单原子氧自由基(O·)，同时保持自由基和第一前体气体空间或暂时分离。当第一和第二前体气体在一般处理条件下为非反应性时，简化反应器设计(210)和过程控制是可能的，因此，可允许在自由基重组或另外消除后混合。在一些实施方案中，第二前体气体(226)为含氧化合物，如二氧化碳(CO2)或氧化亚氮(N2O)或这些含氧化合物的混合物，且不包含显著量正常氧(O2)。
-
公开(公告)号：CN103827350A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280034164.5
申请日：2012-07-11
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
发明人： E.R.迪基
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/4554 , Y10T428/265
摘要： 形成混合金属氧化物（如铝、钛和氧的混合物（AlTiO））的薄阻挡层膜（100）的方法，包括将表面温度低于100℃的基材（110）顺序暴露于卤化物前体、氧等离子体和金属有机化合物前体。由该方法形成的阻挡膜表现出与单个金属氧化物膜，和具有相似的总厚度的两种金属氧化物的纳米层压板相比改进的水蒸汽渗透速率（WVTR）。
-
公开(公告)号：CN103827350B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201280034164.5
申请日：2012-07-11
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
发明人： E.R.迪基
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/4554 , Y10T428/265
摘要： 形成混合金属氧化物（如铝、钛和氧的混合物（AlTiO））的薄阻挡层膜（100）的方法，包括将表面温度低于100℃的基材（110）顺序暴露于卤化物前体、氧等离子体和金属有机化合物前体。由该方法形成的阻挡膜表现出与单个金属氧化物膜，和具有相似的总厚度的两种金属氧化物的纳米层压板相比改进的水蒸气渗透速率（WVTR）。
-
公开(公告)号：CN102753726A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080059857.0
申请日：2010-12-29
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/30 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/45538 , C23C16/45548 , C23C16/545
摘要： 一种自由基增强原子层沉积(REALD)的方法包括使基片交替暴露于第一前体气体(224)和从含氧第二前体气体(226)产生的自由基，如单原子氧自由基(O·)，同时保持自由基和第一前体气体空间或暂时分离。当第一和第二前体气体在一般处理条件下为非反应性时，简化反应器设计(210)和过程控制是可能的，因此，可允许在自由基重组或另外消除后混合。在一些实施方案中，第二前体气体(226)为含氧化合物，如二氧化碳(CO2)或氧化亚氮(N2O)或这些含氧化合物的混合物，且不包含显著量正常氧(O2)。
-
公开(公告)号：CN102639749B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080056514.9
申请日：2010-10-14
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/403 , C23C16/45544
摘要： 用于ALD薄膜沉积的系统和方法200，300包括一种用于在涉及多个单独前体区214、216、314、316的基于平移的工艺中从基板210、310的表面移除过量非化学吸附前体的机构280，380。根据本公开的过量前体移除机构280，380可引入局部高温条件、高能条件、或者过量前体的共沸物，以在其到达单独前体区之前释放过量前体，由此抑制了CVD沉积发生、而不会造成基板的热引起的降解。
-
公开(公告)号：CN103119198A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180035854.8
申请日：2011-07-22
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
发明人： E.R.迪基
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/45551 , C23C16/45555
摘要： 用于在柔性基材(106、206、306、406)上沉积薄膜的系统(100、200、300、400)和方法，包括沿着螺旋形传送路径，在分隔的第一和第二前体区域(110、112、210、212、310、312、410、412)之间，用基材传送机构(166、168、170、266、270、274、276、366、370、466、470)来回引导柔性基材，使得基材传送经过第一和第二前体区域多次并且每次经过中间隔离区域(116、216、316、416)，而不与基材的外表面(182、382)机械接触，由此防止外表面上沉积的薄膜机械损坏，这样可以改善薄膜的阻隔层性能。
-
公开(公告)号：CN102639749A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080056514.9
申请日：2010-10-14
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/403 , C23C16/45544
摘要： 用于ALD薄膜沉积的系统和方法200，300包括一种用于在涉及多个单独前体区214、216、314、316的基于平移的工艺中从基板210、310的表面移除过量非化学吸附前体的机构280，380。根据本公开的过量前体移除机构280，380可引入局部高温条件、高能条件、或者过量前体的共沸物，以在其到达单独前体区之前释放过量前体，由此抑制了CVD沉积发生、而不会造成基板的热引起的降解。
-
公开(公告)号：CN102239278A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148629.8
申请日：2009-12-07
申请人： 莲花应用技术有限责任公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/00 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/45551 , C23C16/545 , Y10T428/265
摘要： 原子层沉积(ALD)方法用于将金属氧化物如二氧化钛的薄膜阻隔层(100)沉积到基材(110)上。当在低于约100℃的温度下由ALD沉积二氧化钛阻隔层时能够观察到优异的阻隔层性能。公开了低于100埃厚度并具有低于大约0.01克/m2/天的水蒸汽透过速率的阻隔层，以及制造该阻隔层的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.03 秒)
