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1.

发明公开
提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN113644149A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110852294.0

申请日：2021-07-27

申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院

发明人： 万鑫 , 查钢强 , 李阳 , 曹昆 , 刘雅洁 , 魏鹤鸣 , 李颖锐

IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/115 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58

摘要： 本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏，能量分辨率提高，并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。

2.

发明授权
提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法有权

公开(公告)号：CN113644149B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202110852294.0

申请日：2021-07-27

申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院

发明人： 万鑫 , 查钢强 , 李阳 , 曹昆 , 刘雅洁 , 魏鹤鸣 , 李颖锐

IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/115 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58

摘要： 本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏，能量分辨率提高，并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。