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公开(公告)号：CN116790928A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310634834.7
申请日：2023-05-31
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种在钼或钼铼合金中引入111织构的方法，该方法包括：一、将钼粉料依次进行压制、烧结，得到钼坯，或者将钼粉料和铼粉料混合后依次进行压制、烧结，得到钼铼合金坯；二、将钼坯或钼铼合金坯依次进行热挤压和轧制得到钼或钼铼合金锻棒；三、将钼或钼铼合金锻棒进行真空热处理得到再结晶态的钼或钼铼合金；五、将再结晶态的钼或钼铼合金进行高温压缩，在钼或钼铼合金中引入111织构。本发明通过对钼或钼铼合金成分选择和工艺设计，获得再结晶态的钼铼合金，然后通过高温压缩变形的方式，在钼或钼铼合金中引入111织构，从而使得钼或钼铼合金具有更高的结构稳定性和综合力学性能，工艺简便且易于操作。
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公开(公告)号：CN117448772A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311402532.3
申请日：2023-10-26
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种制备难熔高熵NbMoTaWRe纳米薄膜的方法，该方法包括：一、清洁NbMoTaW合金靶材、Re靶材及单晶Si基底；二、将清洁的NbMoTaW合金靶材、Re靶材和单晶Si基底安装至磁控溅射设备，得到装配磁控溅射设备；三、将装配磁控溅射设备抽真空，得到抽真空磁控溅射设备；四、将抽真空磁控溅射设备的直流电源和射频电源开启，进行预溅射，得到具有预溅射基底的真空磁控溅射设备；五、将具有预溅射基底的真空磁控溅射设备的直流电源和射频电源开启，进行溅射，在基底表面得到难熔高熵NbMoTaWRe纳米薄膜。本发明通过成分选择和工艺设计，高效制备了成分均匀的单相难熔高熵NbMoTaWRe纳米薄膜。
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公开(公告)号：CN116574951A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310634510.3
申请日：2023-05-31
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种调控钼铼合金变形孪晶密度的方法，该方法包括：一、将钼粉料和铼粉料混合后依次进行压制、烧结得到钼铼合金坯；二、将钼铼合金坯依次进行电弧熔炼和电子束熔炼得到钼铼合金铸锭；三、将钼铼合金铸锭依次进行热挤压和轧制得到钼铼合金锻棒；四、将钼铼合金锻棒进行真空热处理得到再结晶态的钼铼合金；五、将再结晶态的钼铼合金进行室温预拉伸变形或室温预压缩变形，获得不同密度的变形孪晶。本发明通过对钼铼合金成分选择和工艺设计，并结合室温预拉伸变形或室温预压缩变形，调控了钼铼合金中变形孪晶的密度，有效改善钼铼合金的室温力学性能。
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公开(公告)号：CN117512532A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311451048.X
申请日：2023-11-03
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种高硬度难熔高熵合金氮化膜及其制备方法，该方法选难熔高熵合金TiZrNbMo靶材，采用磁控溅射方法在衬底上制备难熔高熵合金氮化膜。本发明选用近等原子比且具有BCC结构的难熔高熵合金TiZrNbMo靶材，采用磁控溅射方法，通过调节反应气体与工作气体的流量比例，有效控制氮化膜中氮元素含量，通过调节气体流量和溅射过程中工作气压，有效控制等离子体密度，进而对溅射沉积速率进行有效调控，实现了对难熔高熵合金氮化膜的形貌结构和组织性能的优化；该难熔高熵合金氮化膜中各元素分布均匀，表面平整致密均匀，且呈现柱状晶结构，其硬度高达18GPa～24.2GPa，相较于难熔高熵合金得到了明显的提升。
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公开(公告)号：CN117488263A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311593688.4
申请日：2023-11-27
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种制备梯度W‑Ta合金纳米薄膜的方法，该方法包括：一、清洁W靶材、Ta靶材及单晶Si基底；二、将清洁后的W靶材、Ta靶材和单晶Si基底安装在磁控溅射设备的腔体内，得到装配磁控溅射设备；三、将装配磁控溅射设备的腔体内抽真空；四、对各靶材进行预溅射；五、溅射得到梯度WTa合金纳米薄膜。本发明通过控制靶材和Ta靶材的安装电源位置，并控制溅射过程中直流电源和射频电源的工艺参数，在基地上依次沉积硬基底层、中间层和软表面层，得到表韧‑芯硬的梯度WTa合金纳米薄膜，而在保证强度的前提下，提升了WTa合金的室温塑性变形能力，该方法高效、便捷，可控性高。
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公开(公告)号：CN115787063A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211496675.0
申请日：2022-11-25
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法，包括以下步骤：步骤一、将钼原料和铌原料混合，然后通过电子束悬浮区域熔炼，得到退火前单晶钼铌合金；步骤二、将步骤一中得到的退火前单晶钼铌合金进行真空退火，得到力学性能提升的单晶钼铌合金。本发明通过在钼单晶中添加合金元素铌，有效提升纯钼单晶的强度和高温稳定性，并将通过电子束悬浮区域熔炼制备得到的钼铌单晶进行真空退火，有效降低钼铌单晶体系的内应力，改善钼铌合金单晶内部的微观缺，从而促进位错滑移，以此提升钼铌单晶的力学性能，尤其是塑性变形能力。
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