公开(公告)号：CN118169210A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410214754.0

申请日：2024-02-27

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 何欣 ,  卓秀彬 ,  胡登洲 ,  丁国富 ,  江磊

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/12 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种具有梯度合金成分分布的氢气敏感单元及制备方法，包括衬底、沉积在衬底上的缓冲层和沉积在缓冲层上的氢气敏感层；氢气敏感层为厚度方向上具有梯度成分分布的钯基氢敏合金，氢气敏感层外形为圆弧过渡的环形曲线；制备时，采用磁控溅射方法依次在衬底上沉积过渡层和氢气敏感层。本发明降低了敏感单元膜层间的应力梯度和元素扩散速度，提高了传感器的长期稳定性。