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公开(公告)号：CN102412341B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110348538.8
申请日：2011-11-07
申请人： 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。
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公开(公告)号：CN102496645A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110426453.7
申请日：2011-12-19
申请人： 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： 一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单，制备容易、工艺稳定性和重复性好，成本低；且其光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN102400098B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110343687.5
申请日：2011-11-03
申请人： 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
摘要： 本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
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公开(公告)号：CN102496645B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110426453.7
申请日：2011-12-19
申请人： 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： 一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单，制备容易、工艺稳定性和重复性好，成本低；且其光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN102412341A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110348538.8
申请日：2011-11-07
申请人： 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。
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公开(公告)号：CN102400098A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110343687.5
申请日：2011-11-03
申请人： 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
摘要： 本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
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公开(公告)号：CN101307397A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810044210.5
申请日：2008-04-15
申请人： 成都先锋材料有限公司 , 西南交通大学
发明人： 晏传鹏
IPC分类号： C22C1/02
摘要： 本发明是一种铜铟镓硒光伏材料真空熔炼方法和装置，是将铜Cu、铟In、镓Ga、硒Se四种原料装在同一个坩埚中，在真空条件下加热，随着温度升高，熔点最低的Ga与In先熔化成液体，接着Se开始熔化。液态的Se与液态的In、Ga发生剧烈的化合反应，放出大量的热，使坩埚内温度急速上升，高温下Se、In、Ga继续与Cu发生化合反应，并放出大量的热，最后使Cu全部熔化并参与化合反应，形成稳定的铜铟镓硒CuInxGa1－xSe2化合物。
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公开(公告)号：CN103572234A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310498648.1
申请日：2013-10-22
申请人： 西南交通大学
摘要： 一种(006)择优取向γ-In2Se3薄膜的制备方法，属于材料技术领域。其步骤为：A：清洗基片，B：溅射In2Se3薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯的铟硒靶，纯度达到99.99%，铟硒原子百分比接近2:3，调整溅射靶枪到基片的距离为6厘米，溅射薄膜前将真空室的本底真空抽到小于2×10-4Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.1-0.5Pa，溅射功率为4W/cm2，衬底温度为360℃，待辉光稳定后，预溅射靶材10分钟以除去表面污染物。然后开始沉积薄膜，沉积时间为75～450秒后停止，得到具有(006)择优取向的单一γ相In2Se3薄膜。该薄膜结晶质量高，表面形貌均匀，没有空隙和裂缝。
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公开(公告)号：CN100582266C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810044210.5
申请日：2008-04-15
申请人： 成都先锋材料有限公司 , 西南交通大学
发明人： 晏传鹏
IPC分类号： C22C1/02
摘要： 本发明是一种铜铟镓硒光伏材料真空熔炼方法和装置，是将铜Cu、铟In、镓Ga、硒Se四种原料装在同一个坩埚中，在真空条件下加热，随着温度升高，熔点最低的Ga与In先熔化成液体，接着Se开始熔化。液态的Se与液态的In、Ga发生剧烈的化合反应，放出大量的热，使坩埚内温度急速上升，高温下Se、In、Ga继续与Cu发生化合反应，并放出大量的热，最后使Cu全部熔化并参与化合反应，形成稳定的铜铟镓硒CuInxGa1-xSe2化合物。
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公开(公告)号：CN103531661A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310498733.8
申请日：2013-10-22
申请人： 西南交通大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322 , C23C14/14 , C23C14/35
摘要： 一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其步骤主要是：A：清洗基片；B：预溅射；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为5W/cm2，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2小时的溅射，即得到具有（220）取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出（220）取向的CIGS薄膜，以其制备的电池转换效率高。且其制备工艺简单、成本低，制备过程中无毒无污染，适合于工业化生产。
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