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公开(公告)号：CN111424561A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010375447.2
申请日：2020-05-07
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种单侧双主缆钢桁架加劲梁悬索桥的分层悬吊结构，靠桥面内侧的主缆通过索夹和吊索连接到钢桁架加劲梁的上弦，靠桥面外侧的主缆通过索夹和吊索连接到钢桁架加劲梁下弦伸出的牛腿。单侧双主缆采用一根主缆在上、另一根主缆在下的不等高布置，或采用内侧和外侧主缆平行等高布置，或采用内侧和外侧主缆双链布置。本发明可减少主缆悬吊区占用的桥面宽度，从而减轻加劲梁恒载，也减小桥塔的横向宽度。分层悬吊还能有效降低吊点力过于集中于上(或下)层节点的问题。内外侧吊索长度不一样，可避免吊索同频率共振。内外侧主缆高度不一样，可避免尾流引起的缆索振动。双主缆如果布置成双链形式，还可以减少加劲梁的S型挠度。
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公开(公告)号：CN107267942A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710462199.3
申请日：2017-06-19
申请人： 西南交通大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0623
摘要： 本发明公开了一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：溅射沉积In2S3薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝2，溅射气压为0.8～1.2Pa，在基片进行溅射沉积，溅射时间为60～300s，获得In2S3薄膜。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。
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公开(公告)号：CN103531661B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310498733.8
申请日：2013-10-22
申请人： 西南交通大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其技术方案主要是：A：清洗基片，B：预溅射；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为5W/cm2，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2小时的溅射，即得到具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出的CIGS薄膜取向为(220)，用作铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的吸收层，能有效降低晶界处的“电子-空穴”复合，提高电池转换效率。且其制备工艺简单、成本低，制备过程中无毒无污染，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103526172A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499546.1
申请日：2013-10-22
申请人： 西南交通大学
摘要： 片状纳米形貌和带状纳米形貌的可控六方相In2Se3的制备方法，其中片状纳米形貌的In2Se3的制备方法是：A、将基片超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室，B、在氩气气氛下用In2Se3靶材进行70-80秒的磁控溅射，溅射功率为4-8W/cm2，衬底温度为350-370℃。带状纳米形貌的In2Se3的制备方法则是：A、B两步操作后，再将衬底温度升高至基片的软化温度，纵向加机械压力，使基片发生曲率半径为3～50m的弯曲，并持续8-12min；然后再次沉积200-250秒。该方法能制备出具有完整纳米片状形貌和带状形貌的In2Se3，且其制备效率高，成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN118603733A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410545180.5
申请日：2024-05-06
摘要： 一种解剖型单丝锚固件锚固机理试验装置及方法，装置主要包括解剖型钢丝锚固件、张拉试验机、加载工装以及应变数据采集系统或数字图像采集及分析系统，本发明用于测试缆索钢丝锚固机理，能够监测加载全过程中张拉力、整体位移、钢丝滑移，特别是能直接测试锚固件内部界面的应变。通过实施本发明，可完善钢丝锚固机理认知，支撑锚固抗力理论的构建，并有望制定一般性的锚固试验规程及设计准则，显著减小此类试验耗费及结构设计困扰，具有重要的理论指导意义和实际应用价值。
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公开(公告)号：CN111705674B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010608259.X
申请日：2020-06-30
申请人： 西南交通大学 , 温州瓯江口大桥有限公司 , 中交第二航务工程局有限公司 , 成都云会科技有限公司
摘要： 一种基于标尺索股定位架设悬索桥主缆预制平行索股的方法，包括步骤：在鞍座旁设置标尺台；将标尺索股安装在标尺索股鞍槽座内，并标明入鞍位置标记线；将预制平行索股横移至预制平行索股鞍槽座内并将索股下料标记线对齐；测量跨中位置标尺索股与预制平行索股的高度差；根据高度差，通过悬链线数值求解得到预制平行索股的调整量；以入鞍位置标记线为基准，根据调整量标明入鞍定位标记线；根据入鞍定位标记线将预制平行索股横移入鞍。本发明实现了预制平行索股高精度定位入鞍，避免了预制平行索股入鞍后的反复位置调整作业，进而可实现预制平行索股的牵引架设与定位入鞍同步进行，大幅度提高了架设施工效率。
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公开(公告)号：CN104152856B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410329154.5
申请日：2014-07-11
申请人： 西南交通大学
摘要： 一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法，其步骤主要是：a、清洗基片；b、溅射准备：将硅基片干燥后放在衬底上，在溅射靶上安装纯度为99.99％的Bi2Se3靶材；c、溅射Bi2Se3薄膜：将溅射室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入99.995％的氩气，使溅射室气压为0.4‑0.6Pa，衬底温度为360℃，进行功率为4‑6W/cm2的60‑600秒的溅射沉积；d、后退火处理：将沉积后的硅基片和硒粒封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下，250℃‑300℃、2‑3小时的后退火处理，即得。该方法的真空条件要求低、制备时间短、成本低。
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公开(公告)号：CN102747684B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210253508.3
申请日：2012-07-23
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： E01D19/14
摘要： 本发明公开了一种用于大跨度桥梁的组合截面桥塔，由混凝土中心塔柱10和对称设置在混凝土中心塔柱两侧的左钢箱20和右钢箱30组成，中心塔柱位于组合截面中央区域，混凝土中心塔柱内设置有电梯井11；钢箱与混凝土中心塔柱之间采用剪力键联接构件连接。本发明将钢结构与混凝土结构在横截面上进行组合。组合截面充分发挥了混凝土结构承压性能好和钢结构抗弯性能好的特点，可适用于各种类型桥塔，尤其适用于对承重及塔顶偏位要求较高的大跨度桥梁的桥塔，具有经济性好，结构受力明确等特点。
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公开(公告)号：CN103531661A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310498733.8
申请日：2013-10-22
申请人： 西南交通大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322 , C23C14/14 , C23C14/35
摘要： 一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其步骤主要是：A：清洗基片；B：预溅射；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为5W/cm2，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2小时的溅射，即得到具有（220）取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出（220）取向的CIGS薄膜，以其制备的电池转换效率高。且其制备工艺简单、成本低，制备过程中无毒无污染，适合于工业化生产。
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