公开(公告)号：CN116435386A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211691595.0

申请日：2022-12-27

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 代千 ,  龚赤坤 ,  覃文治 ,  李宛励 ,  陈庆敏 ,  梁丕刚 ,  舒域鑫 ,  谢和平 ,  潘旭 ,  谢骞 ,  王国胜 ,  郝昕 ,  周小燕 ,  刘源 ,  田洪军 ,  宋海智

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/107

摘要： 本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN结制备方法，缓解传统无保护环的两次扩散主结中存在的雪崩电场对雪崩区外吸收的载流子的虹吸效应，解决雪崩区内外电场控制问题，结合厚铝膜对雪崩区外的1.06μm和1.55μm波长入射光子的强吸收，有效遮蔽雪崩区外入射光，解决雪崩区外吸收载流子扩散至雪崩区问题，从光生载流子扩散路径和光子吸收路径两方面，解决雪崩区外的载流子吸收和扩散导致的光生电流发生响应拖尾的问题。

公开(公告)号：CN116417531A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211707653.4

申请日：2022-12-29

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 潘旭 ,  刘绍斌 ,  柯尊贵 ,  陈剑 ,  代千 ,  覃文治 ,  谢骞

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

摘要： 本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x>0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。