公开(公告)号：CN116435386A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211691595.0

申请日：2022-12-27

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 代千 ,  龚赤坤 ,  覃文治 ,  李宛励 ,  陈庆敏 ,  梁丕刚 ,  舒域鑫 ,  谢和平 ,  潘旭 ,  谢骞 ,  王国胜 ,  郝昕 ,  周小燕 ,  刘源 ,  田洪军 ,  宋海智

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/107

摘要： 本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN结制备方法，缓解传统无保护环的两次扩散主结中存在的雪崩电场对雪崩区外吸收的载流子的虹吸效应，解决雪崩区内外电场控制问题，结合厚铝膜对雪崩区外的1.06μm和1.55μm波长入射光子的强吸收，有效遮蔽雪崩区外入射光，解决雪崩区外吸收载流子扩散至雪崩区问题，从光生载流子扩散路径和光子吸收路径两方面，解决雪崩区外的载流子吸收和扩散导致的光生电流发生响应拖尾的问题。