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公开(公告)号：CN117977949A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410130815.5
申请日：2024-01-30
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种自适应电容容值放大器，其能够放大电容的容值，使得应用小滤波电容即可实现对电磁干扰的有效抑制。自适应电容容值放大器中的自适应电容容值放大电路与容值放大目标电容串联连接并且能与电源输入，电力电子设备和大地相互耦合。自适应电容容值放大电路主要包括信号采样模块，信号处理模块和补偿信号注入模块。自适应电容容值放大电路根据采样到的信号产生补偿信号，补偿信号使得自适应电容容值放大电路与容值放大目标电容串联连接后的等效容值远大于容值放大目标电容自身的容值，从而增强对电磁干扰的抑制效果，并且自适应电容容值放大电路的参数设计无需依赖容值放大目标电容的参数，具有自适应性。
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公开(公告)号：CN116247944A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310296889.1
申请日：2023-03-23
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02M3/335
摘要： 本发明公开了一种MMC型电力电子变换器的电流校正功率均衡控制方法，以实现在输入电压或负载波动时电力电子变压器的输出电压恒定以及各模块的功率均衡。该方法包括：首先通过模型预测控制得到各模块的主移相比di，然后对各模块额定输出电流与其滤除高频分量后真实电流的差值进行电流校正控制得到校正移相比dci；将模型预测控制得到的移相比di与电流校正模块输出的校正移相比dci相加得到各模块的最终移相比Di。本发明能有效解决输入电压差异较大时各模块输出功率不均衡问题，避免各模块电流应力差异过大的现象发生，有利于降低功率器件工作时的故障率，还具有良好的动态特性，在输入电压或负载波动时电力电子变换器的输出电压基本保持不变。
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公开(公告)号：CN115425837A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211128732.X
申请日：2022-09-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提出了一种基于Boost电感的辅助绕组型共模传导电磁干扰反向抵消电路，可应用于Boost变换器。本发明基于Boost变换器内部功率MOS的漏源电压vDS是其传导电磁干扰噪声源的认识，通过与功率电感耦合的辅助绕组构建与vDS波形形状相同，幅值成比例的补偿电压vcomp，通过两个补偿电容Ccomp1与Ccomp2注入补偿电流，反向抵消变换器内的共模传导电磁干扰。本发明在功率电感与辅助绕组理想耦合的条件下，可完全抵消变换器内的共模传导电磁干扰；在功率电感与辅助绕组非理想耦合的条件下，可在150kHz‑5MHz的频率范围内提供超过20dB，最大40dB的幅值衰减。本发明仅使用三个无源器件，具有结构简单，体积小，成本低，易集成的优点。
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公开(公告)号：CN114121442B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111307068.0
申请日：2021-11-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种用于电力电子变换器的带低交流铜损平面磁件绕组，包括磁芯和绕组；所述磁芯具有腔体，所述绕组为平面绕组片水平环绕形成，绕组设置在所述腔体内；所述绕组中平面绕组片设置多层，以最靠近零磁动势位置的层作为第1层绕组，随着绕组层远离零磁动势位置，绕组的层编号依次递增，若n>m，则第n层绕组的匝数≥第m层绕组的匝数。本发明能够降低绕组间因邻近效应产生的损耗，从而降低磁件的交流铜损。
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公开(公告)号：CN114121442A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111307068.0
申请日：2021-11-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种用于电力电子变换器的带低交流铜损平面磁件绕组，包括磁芯和绕组；所述磁芯具有腔体，所述绕组为平面绕组片水平环绕形成，绕组设置在所述腔体内；所述绕组中平面绕组片设置多层，以最靠近零磁动势位置的层作为第1层绕组，随着绕组层远离零磁动势位置，绕组的层编号依次递增，若n>m，则第n层绕组的匝数≥第m层绕组的匝数。本发明能够降低绕组间因邻近效应产生的损耗，从而降低磁件的交流铜损。
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公开(公告)号：CN114157134B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111510689.9
申请日：2021-12-10
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02M1/44
摘要： 本发明公开了一种具有精简结构的共模有源滤波器，该共模有源滤波器电路主要由中性点构造电路，噪声信号采样电路，噪声信号放大电路和噪声信号补偿电路构成。中性点构造电路产生的中性点作为所述具有精简结构的共模有源滤波器电路的参考点。共模干扰信号经过噪声信号采样电路采样之后，由噪声信号放大电路放大，最终在噪声信号补偿电路上产生相应的补偿信号。该产生的补偿信号能和电路中的共模干扰信号相互抵消，从而达到噪声抑制的目的。本发明能够通过较少的元器件数量且以较小的电路体积实现共模干扰信号的有效抑制，从而实现了有源滤波器的小型化设计。
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公开(公告)号：CN116388554A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310256123.0
申请日：2023-03-16
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02M1/44 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开了一种基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路，可应用于单相全桥逆变器。本发明通过将输入电容分裂构造中性点；将输出滤波电感电容分裂，结合中性点实现电压钳位；通过两个与分裂电感耦合的辅助绕组感应出与原始噪声源波形形状相同，幅值成比例的补偿电压，经过四个补偿电容构成的注入支路注入回输入直流母线，反向抵消变换器内的共模传导电磁干扰。本发明在滤波电感与辅助绕组理想耦合的条件下，可以几乎完全抵消变换器内的共模传导电磁干扰；在滤波电感与辅助绕组非理想耦合的条件下，可在150kHz‑5MHz的频率范围内提供超过20dB的幅值衰减。本发明使用的元件均为无源元件，具有成本低，体积小，效果好的优点。
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公开(公告)号：CN118868595A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410819669.7
申请日：2024-06-24
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02M1/44 , G06F30/367
摘要： 本发明属于电磁干扰技术领域,涉及基于导纳矩阵的串入并出式电力电子系统EMI预测算法，包括：1、将串入并出式电力电子变换器依照其电路结构拆分为多个相似的模块，2、将含有开关器件的模块等效为含源网络，将其他部件等效为不含源网络，3、利用导纳矩阵表示各个模块的端口特性，4、根据各功率模块之间的连接关系，基于其端口特性通过频域计算得到整个系统除LISN和负载外的主体部分端口特性，5、基于各模块端口特性通过频域计算得到整个系统EMI频谱并可以同时获得EMI时域波形；本发明能够准确预测串入并出式变换器所产生的电磁干扰，并且可以基于本发明算法分析部件改动时对系统电磁干扰带来的影响。
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公开(公告)号：CN115360901A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211131245.9
申请日：2022-09-16
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提出了一种数字同步式差模传导电磁干扰抑制电路，可应用于Boost变换器。借助于由Boost变换器的同步PWM信号驱动的半桥电路，构建一个与功率MOS管漏源电压vDS的波形形状相同，幅值成比例的补偿电压vcomp，经过阻抗匹配的注入支路注入补偿电流，反向抵消变换器内部的差模传导电磁干扰。本发明可在150kHz‑2MHz的低频范围内为Boost变换器提供一定的幅值衰减，最大可达20dB。本发明结构简单，成本低，应用于连续电流模式的Boost变换器时，所使用的器件均为小电流器件，体积极小，易于集成；应用于断续电流模式或者临界电流模式的Boost变换器时，需根据变换器功率电感的纹波电流选择适当通流的器件。
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公开(公告)号：CN115440458A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211221946.1
申请日：2022-10-08
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种低损耗的平面电感磁芯及其设计方法，平面电感磁芯包括上磁轭和下磁轭、左边柱、右边柱以及中柱；上磁轭和下磁轭、左边柱、右边柱以及中柱围成侧面全包围结构，消除了传统的气隙结构；所述上磁轭和下磁轭由第一磁芯材料制成；左边柱、右边柱以及中柱由第二磁芯材料制成；且第一磁芯材料的磁导率低于第二磁芯材料的磁导率；平面电感磁芯的磁阻呈现关于横向对称轴的对称分布。该磁芯结构简单，易于实施，可以显著降低高频功率磁件的高频铜损，同时有效解决了现有的针对MMF分布优化的绕组结构优化方法无法在电感中应用的问题。
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