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公开(公告)号：CN118431178A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410514801.3
申请日：2024-04-26
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/538
摘要： 本发明公开了一种GaN器件并联用混合双面散热功率模块封装，本封装结构采用将PCB和若干组并联的GaN器件分别连接在底部MCB上，同时使得PCB通过底部MCB与GaN器件的栅极相连；将栅极布局与功率布局实现解耦，互不干扰，降低并联GaN器件栅极和功率布局复杂度，轻松实现较小且一致的电路布局，确保高开关速度和电流均流；将GaN器件的衬底侧通过第一金属缓冲块与顶部MCB连接，实现GaN器件的双面散热，使得该封装的热性能相比于单面散热的封装提高约一倍；同时在顶部MCB和底部MCB之间放置第二金属缓冲块，既实现顶部MCB和底部MCB的连接又能保护GaN器件；本封装能够轻松拓展并联GaN器件的个数，无需对功率和栅极布局进行大的调整，可应用于各种电流等级的功率模块。
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公开(公告)号：CN109361321B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811447524.X
申请日：2018-11-29
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02M3/335
摘要： 本发明公开了一种LLC谐振变换器反向工作电路及设计方法，包括两组全桥电路、谐振电容Cr、谐振电感Lr、励磁电感Lm和变压器T；两组全桥电路分别并联在变压器T的初级端和次级端，变压器T初级端的全桥电路接电源Vin；谐振电容Cr、谐振电感Lr和励磁电感Lm并联在变压器T的次级端，变压器T次级端的全桥电路接负载Re。通过确定变压器变比N、电路品质因数Q，确定电感比Ln的值，进而确定电路调频区间；得到变换器的最大增益和最小增益；判断电压增益是否满足设计要求；最终确定谐振电容Cr、谐振电感Lr和励磁电感Lm。该电路能实现软开关，有效提升变换器功率密度，适用范围广。
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公开(公告)号：CN112134443B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010982777.8
申请日：2020-09-17
申请人： 西安交通大学 , 龙腾半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于临界导通模式的软开关实现及自适应控制方法，对工作于临界导通模式变换器的输入输出电压进行采样，实时计算确定主动管实现零电压开通及最小环流的最优死区时间；检测主动管漏极‑源极电压，判断是否实现软开关；将比较器的输出信号发送到数字控制器，数字控制器根据体二极管的导通状态自适应调整同步整流管导通时间，当判断主动管已实现软开关时，减小同步整流管导通时间以减小环流损耗；当判断主动管没有实现软开关时，增加同步整流管导通时间以实现软开关，实现自适应控制。本发明易实现、抗干扰能力强，能够自适应地调节同步整流管导通时间以实现主动管的软开关，减小环流，提高开关电源的效率。
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公开(公告)号：CN112562993A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011436035.1
申请日：2020-12-10
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种带散热型绕组的电力电子磁性元件，包括：磁芯和绕组；所述绕组为三维绕组；绕组具有被包裹部和外露部；外露部处于被包裹部的两端，且相互连接形成电流回路；所述磁芯包括能够正反相扣的两个磁芯件，正反相扣的两个磁芯件包覆所述绕组的被包裹部；所述外露部占据所述磁芯两端的空间。该磁性元件具有在不增加额外的体积的情况下，增大散热面积，减小磁性元件直流铜损和最大温度的优势。
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公开(公告)号：CN114121442B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111307068.0
申请日：2021-11-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种用于电力电子变换器的带低交流铜损平面磁件绕组，包括磁芯和绕组；所述磁芯具有腔体，所述绕组为平面绕组片水平环绕形成，绕组设置在所述腔体内；所述绕组中平面绕组片设置多层，以最靠近零磁动势位置的层作为第1层绕组，随着绕组层远离零磁动势位置，绕组的层编号依次递增，若n>m，则第n层绕组的匝数≥第m层绕组的匝数。本发明能够降低绕组间因邻近效应产生的损耗，从而降低磁件的交流铜损。
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公开(公告)号：CN114121442A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111307068.0
申请日：2021-11-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开一种用于电力电子变换器的带低交流铜损平面磁件绕组，包括磁芯和绕组；所述磁芯具有腔体，所述绕组为平面绕组片水平环绕形成，绕组设置在所述腔体内；所述绕组中平面绕组片设置多层，以最靠近零磁动势位置的层作为第1层绕组，随着绕组层远离零磁动势位置，绕组的层编号依次递增，若n>m，则第n层绕组的匝数≥第m层绕组的匝数。本发明能够降低绕组间因邻近效应产生的损耗，从而降低磁件的交流铜损。
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公开(公告)号：CN111244047B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010081992.0
申请日：2020-02-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L25/16
摘要： 本发明公开了一种基于GaN器件的双面散热全桥功率模块，由双面陶瓷基板散热并构成全桥电路，全桥电路由两个半桥电路构成；每个半桥电路包含两个GaN管芯和一个功率母线驱动电容Cbus；功率母线驱动电容Cbus的一端连接Vbus，另一端连接GND，两个GaN管芯分别连接对应的驱动芯片，每个驱动芯片设置有一个驱动母线去耦电容Cdri。本发明结构紧凑、轻巧，可以有效提升功率密度；能够极大提高GaN功率模块的散热性能，同时降低GaN全桥功率模块中的寄生电感。
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公开(公告)号：CN112562993B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011436035.1
申请日：2020-12-10
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种带散热型绕组的电力电子磁性元件，包括：磁芯和绕组；所述绕组为三维绕组；绕组具有被包裹部和外露部；外露部处于被包裹部的两端，且相互连接形成电流回路；所述磁芯包括能够正反相扣的两个磁芯件，正反相扣的两个磁芯件包覆所述绕组的被包裹部；所述外露部占据所述磁芯两端的空间。该磁性元件具有在不增加额外的体积的情况下，增大散热面积，减小磁性元件直流铜损和最大温度的优势。
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公开(公告)号：CN111244047A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010081992.0
申请日：2020-02-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L25/16
摘要： 本发明公开了一种基于GaN器件的双面散热全桥功率模块，由双面陶瓷基板散热并构成全桥电路，全桥电路由两个半桥电路构成；每个半桥电路包含两个GaN管芯和一个功率母线驱动电容Cbus；功率母线驱动电容Cbus的一端连接Vbus，另一端连接GND，两个GaN管芯分别连接对应的驱动芯片，每个驱动芯片设置有一个驱动母线去耦电容Cdri。本发明结构紧凑、轻巧，可以有效提升功率密度；能够极大提高GaN功率模块的散热性能，同时降低GaN全桥功率模块中的寄生电感。
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公开(公告)号：CN112134443A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010982777.8
申请日：2020-09-17
申请人： 西安交通大学 , 龙腾半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于临界导通模式的软开关实现及自适应控制方法，对工作于临界导通模式变换器的输入输出电压进行采样，实时计算确定主动管实现零电压开通及最小环流的最优死区时间；检测主动管漏极‑源极电压，判断是否实现软开关；将比较器的输出信号发送到数字控制器，数字控制器根据体二极管的导通状态自适应调整同步整流管导通时间，当判断主动管已实现软开关时，减小同步整流管导通时间以减小环流损耗；当判断主动管没有实现软开关时，增加同步整流管导通时间以实现软开关，实现自适应控制。本发明易实现、抗干扰能力强，能够自适应地调节同步整流管导通时间以实现主动管的软开关，减小环流，提高开关电源的效率。
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