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公开(公告)号：CN102620865B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210068975.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底上加工有两个质量块和三根单梁，质量块与硅基底、两个质量块之间均通过单梁连接，将硅基底、质量块及三根单梁围成的空间加工成薄膜，硅基底的背面与Pyrex7740玻璃键合，质量块与Pyrex7740玻璃之间在真空环境下留有间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的两个防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成开环惠斯通电桥，三根单梁的引入提高了整体的刚度，再次集中了应力，具有线性好，灵敏度高，零位小的特点，同时可以抗500倍的高过载。
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公开(公告)号：CN102298075B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110133986.6
申请日：2011-05-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种具有复合多梁结构的加速度传感器芯片及其制作方法，四根支撑梁与两根敏感梁共同支撑芯片的悬空质量块并使其悬空，敏感梁上置了压敏电阻并连接成半开环惠斯通电桥，电桥的输出端与芯片的焊盘相连，其制作方法是先减薄悬空质量块区域硅片，正面光刻并溅射形成芯片的金属引线与焊盘，再在硅片背面光刻并湿法刻蚀形成由敏感梁、支撑梁和悬空质量块组成的可动结构，在硅片基底的背面粘结硼玻璃，正面光刻并刻蚀形成芯片可动部件与硅质基底间的间隙，最后得到芯片，该芯片在保证传感器的测量灵敏度的同时，提高了加速度传感器响应频率，增强了传感器在动态加速度测量中的性能，该芯片的制作方法简单，可靠性高，便于实现微型化与低成本化。
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公开(公告)号：CN102620865A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210068975.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种梁膜双岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底上加工有两个质量块和三根单梁，质量块与硅基底、两个质量块之间均通过单梁连接，将硅基底、质量块及三根单梁围成的空间加工成薄膜，硅基底的背面与Pyrex7740玻璃键合，质量块与Pyrex7740玻璃之间在真空环境下留有间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的两个防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成开环惠斯通电桥，三根单梁的引入提高了整体的刚度，再次集中了应力，具有线性好，灵敏度高，零位小的特点，同时可以抗500倍的高过载。
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公开(公告)号：CN105301344A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510617154.X
申请日：2015-09-24
IPC: G01R19/25
Abstract: 基于驱动梁阵列的石英谐振式直流电压传感器芯片，包括传感器本体，传感器本体中部开设有矩形通槽；设置于矩形通槽内的2组驱动梁阵列，驱动梁阵列包括多根驱动梁及连接驱动梁的连接部，连接部相对的端部设置有音叉基座；设置于音叉基座上的音叉，音叉包括一对安装部和连接安装部的振梁，安装部与音叉基座相连；设置于传感器本体上的一对输入电极，每一输入电极包括电极焊盘及连接电极焊盘的金属引线，电极焊盘与驱动梁的固定端相连；设置于传感器本体下方的底座，底座上设置有大小与矩形通槽相适应的凹槽。本发明利用电热膨胀效应和逆压电效应，以驱动梁阵列膨胀产生的位移改变石英音叉的谐振频率，具有准数字信号输出、体积小、易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN101833017B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010129773.1
申请日：2010-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种离心式微机械加速度传感器无线标定系统，包括离心机转盘，离心机转盘开有凹槽，凹槽的一端配置有配重，另一端固定有数据采集发射部分，数据采集发射部分包括无线收发模块，该模块与加速度传感器数据采集发射底板相连，该底板与待测加速度传感器连接，该底板固定在离心机转盘凹槽上；数据接收部分包括无线收发模块，该模块与加速度传感器数据采集接收底板相连，该底板与电脑主机相连，数据采集发射部分与数据接收部分间距为10米以内，本发明结合微机械加速度传感器、无线传输技术和传统离心机，实现对微机械加速度传感器输出数据的无线发送、接收和分析，具有结构简单、体积小、功耗低、时间精度和灵敏度高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101738494B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910219464.0
申请日：2009-12-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 一种硅微加速度传感器芯片，包括中央硅质量块，中央硅质量块位于外围支撑硅基的中间，在外围支撑硅基的正面和中央硅质量块相邻的一边的两端配置有两个硅膜，两个硅膜的一面与外围支撑硅基和中央硅质量块相连，另一面与硅悬臂梁连接，硅悬臂梁上的中间配置有四个压阻条，构成惠斯通电桥，当加速度作用于传感器芯片时，将有惯性力作用于中央质量块，进而使得梁膜结构发生变形，压阻条在硅悬臂梁的应力作用下其阻值发生变化，惠斯通电桥失去平衡，输出一个与外界加速度相对应的电信号，从而实现传感器芯片对加速度的测量，本发明具有体积小，重量小，高频响和高灵敏度的优点。
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公开(公告)号：CN105301344B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510617154.X
申请日：2015-09-24
IPC: G01R19/25
Abstract: 基于驱动梁阵列的石英谐振式直流电压传感器芯片，包括传感器本体，传感器本体中部开设有矩形通槽；设置于矩形通槽内的2组驱动梁阵列，驱动梁阵列包括多根驱动梁及连接驱动梁的连接部，连接部相对的端部设置有音叉基座；设置于音叉基座上的音叉，音叉包括一对安装部和连接安装部的振梁，安装部与音叉基座相连；设置于传感器本体上的一对输入电极，每一输入电极包括电极焊盘及连接电极焊盘的金属引线，电极焊盘与驱动梁的固定端相连；设置于传感器本体下方的底座，底座上设置有大小与矩形通槽相适应的凹槽。本发明利用电热膨胀效应和逆压电效应，以驱动梁阵列膨胀产生的位移改变石英音叉的谐振频率，具有准数字信号输出、体积小、易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN102636298B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210071278.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底上加工有四个质量块、四根单梁及十字梁，质量块通过单梁与硅基底连接，质量块之间通过十字梁连接，将硅基底、质量块、单梁及十字梁围成的空间加工成薄膜，硅基底背面与Pyrex7740玻璃键合，将质量块的背面减薄，使质量块与Pyrex7740玻璃之间留有间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的四个防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成半开环惠斯通电桥，四根单梁及十字梁的引入提高了整体刚度，再次集中了应力，具有高灵敏度，高线性度的特点，同时可以抗500倍的高过载。
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公开(公告)号：CN102298074B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110133962.0
申请日：2011-05-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种孔缝双桥式加速度传感器芯片及其制备方法，芯片包括硅基底和键合于硅基底背面的玻璃衬底，硅基底的中心空腔内配置有质量块，四个开孔敏感梁的一端与质量块的四个边角连接，另一端与硅基底连接，每个开孔敏感梁设有一个应力集中孔，每个应力集中孔两侧布置两根压敏电阻条并组成一个压敏电阻，四个压敏电阻通过金属引线相连并构成半开环的惠斯通全桥电路，四个压敏电阻同时和五个金属焊盘连接，其制备方法是通过硅各项异性湿法刻蚀以及ICP等离子刻蚀得到硅基底中的质量块和开孔敏感梁，采用钛-铂-金多层引线技术制作金属引线，芯片能够提高传感器的静态和动态灵敏度，具有体积小，重量小，高频响和高灵敏度的优点。
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公开(公告)号：CN102507983A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110302992.X
申请日：2011-10-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 一种简易高g值加速度冲击试验台，包括底座，立柱，上座，响应头总成、夹持控制总成和冲杆总成，将被测传感器用螺钉安装于响应头总成的响应头上端面，连接好线路，将响应头挡片挡住响应头上端面外沿，拧紧响应头挡片螺钉，保证冲杆总成中冲杆垂直跌落时安装在响应头上的传感器和冲杆具有相同的初速度，用手提升冲杆至一定高度，将夹持控制总成中的夹持杆夹紧并提起控制手柄使得夹持杆卡槽卡住夹持杆，记录冲杆提升的高度，设置好采集系统参数，冲杆高速垂直以一定的初速度和底座碰撞反弹，产生高g值加速度冲击信号；本发明具有结构简单，空间尺寸小，加工制造成本非常低、操作简单方便的特点。
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