一种微米花状氧化铋材料及其制备方法和在吸附放射性阴离子中的应用

    公开(公告)号:CN113713752B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202110963452.X

    申请日:2021-08-20

    发明人: 许章炼 徐丽红

    摘要: 本发明公开了一种微米花状氧化铋材料及其制备方法和在吸附放射性阴离子中的应用,制备方法包括如下过程:利用铋盐溶液进行水热反应,得到β‑Bi2O3黄色粉末,β‑Bi2O3黄色粉末为所述微米花状氧化铋材料;所述铋盐溶液为硝酸铋和尿素于溶剂中反应得到。本发明制得的微米花状氧化铋材料对废水处理30‑50min即可达到吸附平衡,对碘离子与亚硒酸根离子的吸附效率达80%以上,因此吸附速率较快、效率高。本发明采用的铋盐溶液为硝酸铋和尿素于溶剂中反应得到,因此原料的成本也相对较低。

    适用于核环境中耐γ射线辐照的摄像及拍照柔性机器人

    公开(公告)号:CN111300489B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN201911228554.6

    申请日:2019-12-04

    IPC分类号: B25J19/02 H04N5/225

    摘要: 本发明公开了一种适用于核环境中耐γ射线辐照的摄像及拍照柔性机器人,包括支撑架、可移动底座、第一柔性气动管道、第二柔性气动管道、第三柔性气动管道、第四柔性气动管道、第五柔性气动管道、CCD相机、闪光灯、耐γ射线辐照玻璃、控制器、气泵、用于驱动第一柔性气动管道伸缩的第一驱动器、用于驱动第二柔性气动管道伸缩的第二驱动器、用于驱动第三柔性气动管道伸缩的第三驱动器、用于驱动第四柔性气动管道伸缩的第四驱动器及用于驱动第五柔性气动管道伸缩的第五驱动器,该柔性机器人的适应性较强,且能够实现多维度的移动。

    一种用于高能粒子加速器的束屏

    公开(公告)号:CN110536535A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910631660.2

    申请日:2019-07-12

    IPC分类号: H05H7/00 H05H7/14

    摘要: 本发明公开了一种用于高能粒子加速器的束屏,束屏第一壁位于束屏第二壁的外侧,第一冷却剂通道及第二冷却剂通道均位于束屏第一壁与束屏第二壁之间,且第一冷却剂通道的外壁及第二冷却剂通道的外壁均与束屏第一壁的内壁及束屏第二壁的外壁相接触;束屏第一壁上沿轴向开设有第一通槽及第二通槽,其中,第一通槽正对第一冷却剂通道,且第一通槽通过第一冷却剂通道封闭,第二通槽对应第二冷却剂通道,且第二通槽通过第二冷却剂通道封闭,束屏第二壁上沿轴向开设有第三通槽及第四通槽,束屏第一壁的内壁上沿轴向设置有散热块,散热块上设置有第三冷却剂通道,该束屏能够有效的提高超级质子-质子对撞机中束流管道的散热性能。

    一种锰金属有机团簇液体及其制备方法和在水净化的应用

    公开(公告)号:CN118702171A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410861533.2

    申请日:2024-06-28

    发明人: 许章炼 赵永明

    摘要: 本发明属于污水净化技术领域,公开了一种锰金属有机团簇液体及其制备方法和在水净化的应用,该锰金属有机团簇液体的制备方法包括:将醋酸锰溶液与1,3,5‑苯三甲酸溶液混合均匀;其中,醋酸锰与1,3,5‑苯三甲酸的摩尔比为(2‑5):1;再进行水热反应,将产物进行洗涤、干燥,得到棒状Mn‑BTC粉末;将棒状Mn‑BTC粉末分散于水中,得到透明的锰金属有机团簇液体;其中,棒状Mn‑BTC粉末与水的质量比为(0.005‑0.02):10。Mn‑MOC液体的独特之处在于其完全暴露的吸附和活性位点,这使得它能够均匀吸附目标离子,避免了传统固相吸附剂中活性位点被屏蔽的问题。本发明克服了传统固相吸附剂中看到的异相吸附的缺点,不仅为水净化领域带来了一种新的解决方案,也为环境修复和可持续发展提供了新的思路。

    一种高放废液中选择性提取钯核素的吸附剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115845807B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211517906.1

    申请日:2022-11-29

    发明人: 许章炼 杨嘉伦

    摘要: 本发明公开了一种高放废液中选择性提取钯核素的吸附剂及其制备方法和应用,制备方法,包括如下过程:将复壁碳纳米管的水溶液与5‑氨基‑3‑(2‑噻吩基)吡唑混合,待5‑氨基‑3‑(2‑噻吩基)吡唑完全溶解后进行水热反应,完成对功能性添加物质吡唑的接枝,反应结束后进行分离、洗涤、干燥,得到所述高放废液中选择性提取钯核素的吸附剂。本发明吸附剂对高放废液中的钯离子具有特异的高选择性吸附,克服了以往固相吸附法吸附效率低吸附量少,选择性差的局限性,有利于稀有贵金属资源钯在高放废液中的回收利用,有效降低放射性废料总量,解决乏燃料后处理中放射性核废液的处理等主要问题,为钯的工业利用和未来的长寿命钯核素的嬗变提供新思路。

    一种微米花状氧化铋材料及其制备方法和在吸附放射性阴离子中的应用

    公开(公告)号:CN113713752A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110963452.X

    申请日:2021-08-20

    发明人: 许章炼 徐丽红

    摘要: 本发明公开了一种微米花状氧化铋材料及其制备方法和在吸附放射性阴离子中的应用,制备方法包括如下过程:利用铋盐溶液进行水热反应,得到β‑Bi2O3黄色粉末,β‑Bi2O3黄色粉末为所述微米花状氧化铋材料;所述铋盐溶液为硝酸铋和尿素于溶剂中反应得到。本发明制得的微米花状氧化铋材料对废水处理30‑50min即可达到吸附平衡,对碘离子与亚硒酸根离子的吸附效率达80%以上,因此吸附速率较快、效率高。本发明采用的铋盐溶液为硝酸铋和尿素于溶剂中反应得到,因此原料的成本也相对较低。

    一种适用于多根窄细管道内表面镀膜的装置

    公开(公告)号:CN109112492B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201810813908.2

    申请日:2018-07-23

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/56

    摘要: 本发明公开了一种适用于多根窄细管道内表面镀膜的装置,包括真空腔室、涡轮分子泵、阴极丝、第一电源及第二电源;真空腔室一端的侧面沿周向设置有若干进气口,真空腔室另一端的侧面设置有排气口及用于检测真空腔室真空度的真空计,涡轮分子泵与所述排气口相连通,真空腔室内设置有支撑架,各窄细管道依次固定于支撑架上,阴极丝的一端与第一电源相连接,阴极丝的另一端插入于真空腔室内后穿过各窄细管道,真空腔室的外壁上设置有电磁线圈,第二电源与所述电磁线圈相连接,该装置能够实现多个窄细管道的镀膜,并且薄膜的均匀性较好,镀膜的效率高。

    一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法

    公开(公告)号:CN109585239B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201811314346.3

    申请日:2018-11-06

    IPC分类号: H01J9/14

    摘要: 本发明公开了一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法,包括以下步骤:设定激光器的参数,然后采用激光器对Mo电极表面进行处理,其中,激光的功率范围为6‑20W,激光波长为532nm或者1064nm,激光扫描速率为1‑2000mms‑1,该方法可获得低二次电子产额的Mo电极表面,并且具有处理过程简单、可重复性高及性能稳定的特点。

    一种从放射性玻璃固化体中提取铂族金属的添加剂及方法

    公开(公告)号:CN109897971A

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201910120213.0

    申请日:2019-02-18

    IPC分类号: C22B11/02 C22B7/00

    摘要: 本发明属于放射性废物处理领域,涉及一种从放射性玻璃固化体中提取铂族金属的添加剂及方法,添加剂包括组分A和组分B,其中,组分A与组分B的质量比为(0.5~1):3;所述组分A为重金属氧化物和重金属单质中的至少一种,所述组分B为还原剂;本发明的提取方法为:将含铂族金属玻璃固化体与上述添加剂一起进行高温熔融,然后冷却至室温,然后将冷却后的玻璃中还原分相的金属单质与玻璃分离,所得金属单质为铂族金属;其中,高温熔融的温度范围为800~1100℃,时间为1~3h;含铂族金属玻璃固化体与添加剂的质量比为5:1。本发明工艺简单,不影响原有玻璃固化工艺,无需对高放废液进行前处理,在玻璃固化过程中同步高效回收铂族金属。

    一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109706525A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811607595.1

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: C30B29/46 C30B9/08

    摘要: 本发明属于绝缘体材料技术领域,具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法,S1:将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05-0.5):(0.05-0.5)混合均匀,得到混合物A;S2:将混合物A在900-1100℃下进行高温熔融,之后冷却至室温,得到铋基拓扑绝缘体材料;S3:将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨,得到铋基拓扑绝缘体材料粉末,然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散,得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长,实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。