公开(公告)号：CN118777668A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411153365.8

申请日：2024-08-21

申请人： 西安交通大学 ,  国网上海市电力公司

发明人： 王来利 ,  丁培洋 ,  赵志强 ,  陈琪岭 ,  郭佳成 ,  马良俊 ,  袁天舒 ,  牛芝雅

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R31/00

摘要： 本发明涉及封装测试技术领域，具体为一种高压碳化硅MOSFET的漏电流检测电路及方法，该电路包括HTRB测试主电路、采样电路，测试所用的加热台和待测高压碳化硅MOSFET均与主电路连接，采样电路包括采样电阻、仪用放大器、ADC转换器和DSP处理器，待测高压碳化硅MOSFET的栅极接在采样电阻与HTRB测试主电路之间，采样电阻的一端与HTRB测试主电路的负极连接，采样电阻与仪用放大器的输入端连接，仪用放大器的输出端与ADC转换器的输入端连接，ADC转换器的输出端与DSP处理器的输入端连接，本发明设计合理、全面，能够准确评估MOSFET在极端条件下的漏电流性能，通过进一步优化电路设计和检测方法，可以进一步提高测试的准确性和可靠性，为MOSFET的可靠性评估和筛选提供有力支持。

公开(公告)号：CN118899287A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202411072927.6

申请日：2024-08-06

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  马定坤 ,  孙培元 ,  袁天舒 ,  李磊 ,  丁培洋 ,  郭佳成

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

摘要： 本发明公开了一种基于柔性互连的高压功率器件结构及制备方法和电力设备，属于电力半导体封装技术领域。本发明提供的基于柔性互连的高压功率器件互连结构为双面封装结构，通过融合中部形变段和两端固定段的导电弹片，克服了现有技术中双面互连封装因刚性构造固有的局限性，将传统技术中刚性的多芯片互连结构转化为柔性结构，实现固定铜板和活动铜板的柔性连接；基于柔性连接，通过导电弹片对由于芯片、焊层、金属垫块等加工公差导致的高度差异变化，加以补偿，避免了多芯片互连时，上表面高度差对于焊接质量的影响；同时，通过基于柔性互连的高压功率器件结构设计，提升高压功率器件的通流能力、可靠性及对抗热应力老化的能力。

公开(公告)号：CN118091201A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410230748.4

申请日：2024-02-29

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  郭佳成 ,  马定坤 ,  袁天舒 ,  李磊 ,  马良俊 ,  张虹

IPC分类号： G01R1/04 ,  H01R13/02 ,  H01R13/53 ,  H01R13/40 ,  G01R31/327

摘要： 本发明涉及中高压电子器件领域，尤其涉及一种于中高压领域的防止空气闪络的双脉冲测试用直流电容母排。该母排结构由若干层绝缘层及若干层母排组成，可实现电容的串并联，可并联电阻实现均压。第一层母排具有正接线端，最后一层母排具有负接线端，用以与待测器件连接。第一层及最后一层绝缘层表面通过采用激光飞秒工艺刻蚀微型结构，能够在极小的爬电距离下防止空气下的沿面闪络。母排正负接线连接处采用防闪络板，有效避免连接被测件后的沿面闪络。本发明可以降低直流母排的寄生参数，同时可以减小沿面闪络的风险，提升中高压情况下母排使用的可靠性。