公开(公告)号：CN118315381B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410429282.0

申请日：2024-04-10

申请人： 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

发明人： 王来利 ,  李大为 ,  孔航 ,  张虹

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 本发明属于电气机械及器材制造以及功率器件封装技术领域，具体涉及一种柔性氮化镓功率模块及其封装方法。柔性氮化镓功率模块包括基板，包括第一导电层和第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间填充聚酰亚胺材料以形成聚酰亚胺介质层，第一导电层通过多个焊点与第二导电层电气连接；GaN器件具有至少两个，配置在第一导电层的一侧；解耦电容具有至少一个，配置在相邻两个GaN器件之间；第一导电层通过互联焊层分别与GaN器件、解耦电容连接；解耦电容与其相邻的两个GaN器件形成功率环路。本发明主要从低封装寄生参数和低芯片应力来保证功率模块在高频、高功率密度下安全高效运行，解决现有的封装方法寄生电感难以进一步减小的问题。

公开(公告)号：CN116741763A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310155242.7

申请日：2023-02-22

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  姚乙龙 ,  汪岩 ,  董晓博 ,  孔航 ,  袁天舒 ,  王天健 ,  张虹

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/15 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/64 ,  H01L23/492 ,  H02M7/00 ,  H02M1/00 ,  H02M1/44

摘要： 基于垂直导电结构功率芯片的功率模块及其制备方法，包括功率半桥芯片、顶板、底板、驱动铜面、功率铜面和解耦电容；功率半桥芯片设置在顶板和底板之间，顶板和底板相对的面上均设置有驱动铜面和功率铜面；功率半桥芯片的上下两面均设置有驱动铜面和功率铜面；功率半桥芯片上下两面的驱动铜面和功率铜面，与顶板和底板上的对应的驱动铜面和功率铜面连接；解耦电容连接在底板的功率铜面上。本发明整个回路寄生电感小于4nH，有效减小芯片开通关断过程中的过电压和电流震荡。同时通过先进Fan‑out工艺在芯片指定位置填充绝缘材料，保证模块的绝缘及可靠性。模块两侧采用陶瓷基板实现散热，减小模块热阻。

公开(公告)号：CN116259548A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310077853.4

申请日：2023-01-28

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  马良俊 ,  马定坤 ,  袁天舒 ,  聂延 ,  李磊 ,  龚泓舟 ,  张虹 ,  贾立新 ,  甘永梅

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/29 ,  H01L25/07

摘要： 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种高功率密度和绝缘增强的中高压SIC功率模块及制备工艺，其模块包括正极负极电位DBC基板、直流正极电位端子、直流负极端子、上桥臂钼柱、上桥臂SiC MOSFET芯片、交流电位DBC基板、交流电位端子、下桥臂钼柱和下桥臂SiC MOSFET芯片，正极负极电位DBC基板和交流电位DBC基板相对设置，且相对的表面铜层上均涂覆有PI涂层，上桥臂SiC MOSFET芯片和下桥臂SiC MOSFET芯片的表面涂覆有PI涂层。本发明是基于平面封装和PI薄膜工艺的双面散热结构高功率密度封装模块，优化布局和PI薄膜的应用使模块能够在数十纳秒内切换6kV，同时振荡和电压过冲可以忽略不计且而由模块到芯片的功率利用率高达81％。

公开(公告)号：CN113314312A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110409520.8

申请日：2021-04-16

申请人： 西安交通大学

发明人： 甘永梅 ,  冯舒婷 ,  张虹 ,  于龙洋 ,  李孟琪

IPC分类号： H01F27/26 ,  H01F27/30

摘要： 本发明公开了一种基于磁芯结构的集成平面电感，包括上层基板、下层基板，上层基板与下层基板之间设置有第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱、第八磁柱、上层绕组结构及下层绕组结构，其中，上层绕组结构位于下层绕组结构的上方，且上层绕组结构及下层绕组结构均缠绕于第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱及第八磁柱上，上层绕组结构与下层绕组结构相连接，该电感具有成本低、电感值高及结构简单的特点。

公开(公告)号：CN103313063A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310180282.3

申请日：2013-05-15

申请人： 西安交通大学

发明人： 李凡 ,  张丹阳 ,  张虹 ,  王明慧 ,  李娜

IPC分类号： H04N7/64 ,  H04N7/32 ,  H04N7/26

摘要： 本发明公开了一种基于双解码模拟的H.264/AVC视频调度方法：（1）对每个待发送的H.264/AVC视频包计算其包质量贡献指数PQCI，PQCI由两类失真计算得到，每类失真包括两部分：视频包对当前帧的质量贡献和视频包对后续帧的质量贡献。（2）计算视频包对自身的质量贡献时，采用基于双解码模拟的方法，在发送端纳入两个解码器进行失真估计，并求得质量贡献。（3）计算视频包对后续帧的质量贡献时，采用扩散因子加权的方法进行求解。（4）按照PQCI的大小对待发送视频包进行排序调度后进行视频包的发送。本发明提高了接收端解码后的视频质量，提升了无线网络中视频传输的性能，并最终改善接收端的用户体验。

公开(公告)号：CN118398357B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410866128.X

申请日：2024-07-01

申请人： 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

发明人： 王来利 ,  赵一平 ,  靳浩源 ,  李昂 ,  王淦 ,  董晓博 ,  张虹

IPC分类号： H01F27/30 ,  H01F19/04 ,  H01F27/08 ,  H01F27/26 ,  H01F27/28 ,  H01F27/32 ,  H01F27/34 ,  H01F41/00 ,  H01F41/02 ,  H01F41/04 ,  H01F41/06

摘要： 本发明公开了一种基于非切割型纳米晶的高频变压器及设计方法，属于变压器制造技术领域。本发明的第一内层骨架和第二内层骨架通过第一插接组件连接构成内层骨架，原边绕组绕设在内层骨架上；第一外层骨架和第二外层骨架通过第二插接组件连接构成外层骨架，副边绕组绕设在外层骨架上；第一内层骨架与第一外层骨架以及第二内层骨架和第二外层骨架之间也采用插接组件连接；磁芯为两组对称安装在骨架上的非切割纳米晶磁芯，本发明针对基于非切割型纳米晶磁芯，考虑磁芯、骨架以及绕组之间的配合，巧妙灵活地设计内外层骨架，通过骨架上的插接组件实现骨架可拆卸功能的同时保证了变压器整体的机械强度和绝缘强度和散热能力，并尽可能减小体积。

公开(公告)号：CN118398357A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410866128.X

申请日：2024-07-01

申请人： 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

发明人： 王来利 ,  赵一平 ,  靳浩源 ,  李昂 ,  王淦 ,  董晓博 ,  张虹

IPC分类号： H01F27/30 ,  H01F19/04 ,  H01F27/08 ,  H01F27/26 ,  H01F27/28 ,  H01F27/32 ,  H01F27/34 ,  H01F41/00 ,  H01F41/02 ,  H01F41/04 ,  H01F41/06

摘要： 本发明公开了一种基于非切割型纳米晶的高频变压器及设计方法，属于变压器制造技术领域。本发明的第一内层骨架和第二内层骨架通过第一插接组件连接构成内层骨架，原边绕组绕设在内层骨架上；第一外层骨架和第二外层骨架通过第二插接组件连接构成外层骨架，副边绕组绕设在外层骨架上；第一内层骨架与第一外层骨架以及第二内层骨架和第二外层骨架之间也采用插接组件连接；磁芯为两组对称安装在骨架上的非切割纳米晶磁芯，本发明针对基于非切割型纳米晶磁芯，考虑磁芯、骨架以及绕组之间的配合，巧妙灵活地设计内外层骨架，通过骨架上的插接组件实现骨架可拆卸功能的同时保证了变压器整体的机械强度和绝缘强度和散热能力，并尽可能减小体积。

公开(公告)号：CN118337082A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410429296.2

申请日：2024-04-10

申请人： 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

发明人： 王来利 ,  赵一平 ,  李汕哲 ,  靳浩源 ,  董晓博 ,  王淦 ,  张虹

IPC分类号： H02M7/5387 ,  H02M1/088 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20 ,  H01L25/07

摘要： 本发明公开了一种全桥功率模组及其设计方法，涉及变压器、整流器和电感器制造技术领域，包括直流侧母线电容，与直流侧母排集成在一起；直流侧母排上固定设有PCB主板，PCB主板上设有检测电路和控制电路；直流侧母排与两个并联的SiC MOSFET功率模块串联，SiC MOSFET功率模块为半桥拓扑；两个SiC MOSFET功率模块固定设置在直流侧母排一侧，其下方水冷散热器，上方均固定设有驱动PCB板，两个驱动PCB板与PCB主板电连接；两个功率模块中点分别与两个交流侧母排一端固定连接，两个交流侧母排另一端外接其他元器件。本发明通过合理布局、集成设计，在减小无源器件的体积的同时增加其可靠性，提高功率密度。

公开(公告)号：CN115809525A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211611189.9

申请日：2022-12-14

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  程子禛 ,  刘智 ,  甘永梅 ,  张虹 ,  王见鹏 ,  杨奉涛 ,  裴云庆 ,  肖国春 ,  贾立新

IPC分类号： G06F30/17 ,  G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06N3/126 ,  G06N3/08 ,  G06F111/06 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

摘要： 本发明公开了一种碳化硅双面散热功率模块优化设计方法、系统、设备及介质，包括：获取碳化硅双面散热功率模块的原始尺寸参数；根据碳化硅双面散热功率模块的尺寸参数与碳化硅双面散热功率模块各性能指标的对应关系，再以碳化硅双面散热功率模块的原始尺寸参数为输入参量，以碳化硅双面散热功率模块的各性能指标为优化变量，采用遗传算法确定若干组碳化硅双面散热功率模块的最优尺寸参数，该方法、系统、设备及介质能够实现对碳化硅双面散热功率模块的优化。

公开(公告)号：CN113314312B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202110409520.8

申请日：2021-04-16

申请人： 西安交通大学

发明人： 甘永梅 ,  冯舒婷 ,  张虹 ,  于龙洋 ,  李孟琪

IPC分类号： H01F27/26 ,  H01F27/30

摘要： 本发明公开了一种基于磁芯结构的集成平面电感，包括上层基板、下层基板，上层基板与下层基板之间设置有第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱、第八磁柱、上层绕组结构及下层绕组结构，其中，上层绕组结构位于下层绕组结构的上方，且上层绕组结构及下层绕组结构均缠绕于第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱及第八磁柱上，上层绕组结构与下层绕组结构相连接，该电感具有成本低、电感值高及结构简单的特点。