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公开(公告)号：CN103901337A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410126953.2
申请日：2014-03-31
申请人： 西安华芯半导体有限公司
发明人： 郝福亨
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种利用集成开关矩阵测量I-V电路的测试系统及方法，包括驱动器芯片、被测器件和测量装置；驱动器芯片的多个引脚与被测器件的多个引脚以点对点方式连接；测量装置用于产生并将数据载入被测器件中，从被测器件接收数据并测量其输出的模拟电压电平；驱动器芯片的每个引脚上都设置了含静电放电保护装置的驱动器/接收器芯片，以及能够将多个不同电压中的一个电压载入被测器件或者能够接收电平并将该电平载入至被测器件的第一晶体管开关矩阵；测量装置通过第二晶体管开关矩阵连接对应的驱动器芯片引脚。本发明针对集成电路，通过切换接地电压和电源电压且在不引起静电放电二极管放电的情况下，更有效地测量更大范围的电压。
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公开(公告)号：CN103177751B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310098114.X
申请日：2013-03-25
申请人： 西安华芯半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种存储器阵列结构，包括若干存储阵列和若干设置于相邻两个存储阵列之间的中间灵敏放大器阵列；相邻两个存储阵列之间设置一个中间灵敏放大器阵列；所述若干存储阵列包括两个边界存储阵列，所述两个边界存储阵列各连接有一个边界灵敏放大器阵列；所述边界灵敏放大器阵列中的每一灵敏放大器连接对应边界储存阵列中的两个位线。本发明通过在边界存储阵列旁设置边界灵敏放大器阵列，连接边界存储阵列中冗余存储单元的位线，可以有效的使用一半的冗余存储单元，提高了存储单元的使用率；该等单元可以用于提供额外的随机存储器或只读存储器，这些存储器可以用来存储各种芯片中所需的配置信息和自修复所需的信息或者测试芯片时所需信息等。
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公开(公告)号：CN103177752B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310098135.1
申请日：2013-03-25
申请人： 西安华芯半导体有限公司
IPC分类号： G11C7/18
摘要： 本发明提供一种存储器阵列结构及其操作方法，将存储器阵列的两个边界模块平均拆分，再在平均拆分后的两个小模块之间加入灵敏放大器；小模块与相邻中间正常存储阵列模块之间的灵敏放大器工作时，将边界处拆分的两个小模块的位线通过MOS管连接，使得小模块与相邻中间正常存储阵列模块之间的灵敏放大器工作时，基准位线和读出位线相同，以提高稳定性。本发明结构相较于现有结构的高度减少了一个正常存储阵列模块的高度减去一个灵敏放大器的高度。
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公开(公告)号：CN103177751A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310098114.X
申请日：2013-03-25
申请人： 西安华芯半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种存储器阵列结构，包括若干存储阵列和若干设置于相邻两个存储阵列之间的中间灵敏放大器阵列；相邻两个存储阵列之间设置一个中间灵敏放大器阵列；所述若干存储阵列包括两个边界存储阵列，所述两个边界存储阵列各连接有一个边界灵敏放大器阵列；所述边界灵敏放大器阵列中的每一灵敏放大器连接对应边界储存阵列中的两个位线。本发明通过在边界存储阵列旁设置边界灵敏放大器阵列，连接边界存储阵列中冗余存储单元的位线，可以有效的使用一半的冗余存储单元，提高了存储单元的使用率；该等单元可以用于提供额外的随机存储器或只读存储器，这些存储器可以用来存储各种芯片中所需的配置信息和自修复所需的信息或者测试芯片时所需信息等。
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公开(公告)号：CN103901338A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410127047.4
申请日：2014-03-31
申请人： 西安华芯半导体有限公司
发明人： 郝福亨
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开一种精确测量和报告芯片内两种信号的时序关系的方法及装置，通过将两种信号边沿之间的时间间隔转化为模拟电压，来测量两种信号之间的时序关系，可简便检测集成电路中两组内部信号（从集成电路外部无法观测到的信号）边沿的时序关系；模拟电压与边沿间的延迟时间成正比，因此，可通过读出的电压计算延迟时间。
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公开(公告)号：CN103197227A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310097505.X
申请日：2013-03-25
申请人： 西安华芯半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种用于设计分析目的的晶圆测试方法，在制作完成的晶圆表面制作再分布层，通过再分布层连接线将晶圆中芯片的若干第一焊盘与再分布层上与第一焊盘对应的若干第二焊盘连接，再分布层的第二焊盘位于微探针探测的区域以外，在再分布层的第二焊盘位置用探针卡的针对晶圆加测试激励，在芯片上用微探针对芯片进行信号测试，物理上就把探针卡的针和微探针分开，探针卡的针与微探针互相不影响；最大化地增加微探针和芯片的接触范围，保证信号测试能够正常进行，显著地提高探测信号效率。
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公开(公告)号：CN103177752A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310098135.1
申请日：2013-03-25
申请人： 西安华芯半导体有限公司
IPC分类号： G11C7/18
摘要： 本发明提供一种存储器阵列结构及其操作方法，将存储器阵列的两个边界模块平均拆分，再在平均拆分后的两个小模块之间加入灵敏放大器；小模块与相邻中间正常存储阵列模块之间的灵敏放大器工作时，将边界处拆分的两个小模块的位线通过MOS管连接，使得小模块与相邻中间正常存储阵列模块之间的灵敏放大器工作时，基准位线和读出位线相同，以提高稳定性。本发明结构相较于现有结构的高度减少了一个正常存储阵列模块的高度减去一个灵敏放大器的高度。
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公开(公告)号：CN203798978U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420152874.4
申请日：2014-03-31
申请人： 西安华芯半导体有限公司
发明人： 郝福亨
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本实用新型公开一种精确测量和报告芯片内两种信号的时序关系的装置，延迟时间脉宽的脉冲产生电路的输入端连接待测量数字信号线和参考信号线，延迟时间脉宽的脉冲产生电路输出端分成两路，一路通过周期脉宽的脉冲产生电路连接第一时间电压转换电路，另一路直接连接第二时间电压转换电路；周期脉宽的脉冲产生电路的输入端连接延迟时间脉宽的脉冲产生电路输出端和参考信号线，周期脉宽的脉冲产生电路的输出端连接第一时间电压转换电路。通过将两种信号边沿之间的时间间隔转化为模拟电压，来测量两种信号之间的时序关系，可简便检测集成电路中两组内部信号边沿的时序关系；模拟电压与边沿间的延迟时间成正比，因此，可通过读出的电压计算延迟时间。
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公开(公告)号：CN203150140U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201320138579.9
申请日：2013-03-25
申请人： 西安华芯半导体有限公司
摘要： 本实用新型提供一种存储器阵列结构，包括若干存储阵列和若干设置于相邻两个存储阵列之间的中间灵敏放大器阵列；相邻两个存储阵列之间设置一个中间灵敏放大器阵列；所述若干存储阵列包括两个边界存储阵列，所述两个边界存储阵列各连接有一个边界灵敏放大器阵列；所述边界灵敏放大器阵列中的每一灵敏放大器连接对应边界储存阵列中的两个位线。本实用新型通过在边界存储阵列旁设置边界灵敏放大器阵列，连接边界存储阵列中冗余存储单元的位线，可以有效的使用一半的冗余存储单元，提高了存储单元的使用率；该等单元可以用于提供额外的随机存储器或只读存储器，这些存储器可以用来存储各种芯片中所需的配置信息和自修复所需的信息或者测试芯片时所需信息等。
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公开(公告)号：CN203798977U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420152872.5
申请日：2014-03-31
申请人： 西安华芯半导体有限公司
发明人： 郝福亨
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本实用新型提供一种利用集成开关矩阵测量I-V电路的测试系统，包括驱动器芯片、被测器件和测量装置；驱动器芯片的多个引脚与被测器件的多个引脚以点对点方式连接；测量装置用于产生并将数据载入被测器件中，从被测器件接收数据并测量其输出的模拟电压电平；驱动器芯片的每个引脚上都设置了含静电放电保护装置的驱动器/接收器芯片，以及能够将多个不同电压中的一个电压载入被测器件或者能够接收电平并将该电平载入至被测器件的第一晶体管开关矩阵；测量装置通过第二晶体管开关矩阵连接对应的驱动器芯片引脚。本实用新型针对集成电路，通过切换接地电压和电源电压且在不引起静电放电二极管放电的情况下，更有效地测量更大范围的电压。
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