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公开(公告)号：CN118472012A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410707484.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司直流技术中心
Inventor： 张磊 , 徐玲铃 , 姚德贵 , 董曼玲 , 张国华 , 魏卓 , 鲁一苇 , 肖超 , 高晟辅 , 陈黄鹂 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 刘亿铭 , 王国卫 , 刘峰 , 胡茜 , 梁旭辉
IPC: H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/747 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构及其制造方法，在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本发明还公开了上述GCT终端结构的制造方法，先预沉积铝，然后在终端区选择性挖槽，腐蚀掉部分高浓度铝杂质，最后进行高温扩散形成。本发明的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114400254A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210146872.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN114759087A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210421370.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供了一种具强穿通的非对称快速晶闸管,从上往下依次设置有阴极AL层、阴极P区，N‑基区，阳极N缓冲层，阳极高浓度P+区和阳极AL层，在阴极AL层与阴极P区之间设有阴极高浓度N+区和P+区，本发明结构的N‑基区厚度比普通对称型快速晶闸管薄约20％～50％，片厚减薄的程度视应用要求的反向阻断电压值而定。因此，本发明大大降低器件的通态压降，提高di/dt能力，降低存储电荷，提高快速关断能力，在开通和关断特性之间实现良好折中。主要应用于大功率的中、高频感应加热电源领域。
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公开(公告)号：CN217062108U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220321670.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型提供了一种旁路晶闸管，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本实用新型结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本实用新型结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN217522015U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202220930011.X
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167
Abstract: 本实用新型提供了一种具强穿通的非对称快速晶闸管,从上往下依次设置有阴极AL层、阴极P区，N‑基区，阳极N缓冲层，阳极高浓度P+区和阳极AL层，在阴极AL层与阴极P区之间设有阴极高浓度N+区和P+区，本实用新型结构的N‑基区厚度比普通对称型快速晶闸管薄约20％～50％，片厚减薄的程度视应用要求的反向阻断电压值而定。因此，本实用新型大大降低器件的通态压降，提高di/dt能力，降低存储电荷，提高快速关断能力，在开通和关断特性之间实现良好折中。主要应用于大功率的中、高频感应加热电源领域。
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公开(公告)号：CN222638985U
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202421245665.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司直流技术中心
Abstract: 本实用新型提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构，包括在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本实用新型的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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