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发明公开
具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN114628507A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210241564.9

申请日：2022-03-11

申请人： 西安理工大学

发明人： 王彩琳 , 杨武华 , 郭佳睿 , 张超 , 苏乐

IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/745 , H01L21/332 , H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种具有沟槽‑平面柵的发射极开关晶闸管，以n‑漂移区作为衬底，n‑漂移区上方设有交叠的左、右侧p基区，左、右侧p基区中各设有n+浮置区及n+阴极区；左侧p基区的左侧设有沟槽，该沟槽底部低于p基区底部，形成沟槽柵极；p基区相互交叠区及n+阴极区部分上表面设有平面柵极；沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G；左、右两侧p基区内设置有p++层；n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面设有铝金属化阴极K；n‑漂移区下表面依次设有n缓冲层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种发射极开关晶闸管的制备方法。本发明的器件，转折电压低、导通损耗低、最大可关断电流高，制作简单。