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公开(公告)号：CN119945338A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510023633.2
申请日：2025-01-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超宽带跨倍频程高效率功率放大器及其工作模式设计方法，方法包括：分析现有功率放大器的工作模式存在的问题，根据分析结果确定在工作模式设计过程中引入二次谐波的影响；基于输入功率放大器中管芯栅端的基波和二次谐波设计管芯栅端处的输入电压计算表达式，以根据输入电压计算表达式计算管芯栅端处的输入电压；根据输入电压计算表达式设计管芯漏端处的输出电流计算表达式，以根据输出电流计算表达式计算管芯漏端处的输出电流；根据输出电流计算表达式设计管芯漏端处的效率计算表达式，以根据功率放大器的效率计算表达式计算管芯漏端处的效率。本发明设计的工作模式对超宽带、跨倍频程、高效率的射频收发系统的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119945354A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510023627.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明提供的一种基于氮化镓肖特基二极管的高功率限幅电路，涉及射频微波集成电路技术领域。包括：高功率限幅电路的输入端口、电容C1、后启动检波网络、前级限幅网络、前启动检波网络、电容C2、后级限幅网络、电容C3和高功率限幅电路的输出端口依次串联连接；前级限幅网络包括并联的多个第一PIN二极管，后级限幅网络的数量为一个或多个，多个后级限幅网络串联连接；多个第一PIN二极管的阳极与后启动检波网络的输出端和前启动检波网络的输入端连接，多个第一PIN二极管的阴极接地。这样，基于氮化镓肖特基二极管的高功率限幅电路可以达到万瓦级限幅水平，占用面积更小、功率耐受能力更稳定以及插入损耗更小。
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公开(公告)号：CN119891988A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411882605.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明提供了一种宽功率检波半有源式限幅电路，包括：耦合器、前级限幅网络、后级限幅网络、宽功率检波网络、第一电容、第一电阻、馈电电感、第一微带线和第二微带线；宽功率检波网络用于将宽动态范围的耦合功率转化为直流电压，加速导通前级限幅网络，前级限幅网络用于对外部的馈入功率进行限幅，后级限幅网络用于对前级限幅网络的泄漏功率进行限幅，该电路能够降低了泄露功率，提高了限幅能力。
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公开(公告)号：CN119628677A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411762955.0
申请日：2024-12-03
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H04B1/401
Abstract: 本发明涉及紧凑型宽带开关电路及射频前端，包括：第一射频端、若干个电感、若干个双栅开关模块、第二射频端和控制单元；其中，第一射频端、若干个电感和第二射频端依次连接；若干个电感中的相邻两个电感之间设置有一个双栅开关模块，第一射频端和若干个电感中的第一个电感之间设置有若干个双栅开关模块中的第一个双栅开关模块，第二射频端和若干个电感中的最后一个电感之间设置有若干个双栅开关模块中的最后一个双栅开关模块；若干个双栅开关模块还与控制单元电连接，以响应于控制单元发送的控制信号同步导通或关断，以切换从第一射频端流入的射频信号的通行路径。本发明可以确保信号传输质量，降低高频率信号的泄露的程度，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN118866988A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410909135.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L29/207 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供低功函数凹槽阳极YAlN/GaN异质结肖特基二极管，涉及电力电子器件技术领域。其中，该肖特基二极管包括：衬底层；AlN缓冲层，形成于衬底层上；GaN沟道层，形成于AlN缓冲层上；AlN插入层，形成于GaN沟道层上；YxAl1‑xN势垒层，形成于AlN插入层上；SiN帽层，形成于YxAl1‑xN势垒层上；阴极，形成于SiN帽层的边缘区域上；凹槽阳极，形成于远离阴极的SiN帽层的边缘区域上，且凹槽阳极从SiN帽层延伸至GaN沟道层内。低功函数凹槽阳极YAlN/GaN异质结肖特基二极管的生产成本较低，有效提高了低功函数凹槽阳极YAlN/GaN异质结肖特基二极管的高频特性、耐压特性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117154965A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311036474.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用终端匹配网络的宽带整流电路及系统，包括直流滤波网络至少一个终端匹配网络结构；所述终端匹配网络结构包括第一微带线、整流二极管、第二微带线和第三微带线，其中，所述第一微带线的一端连接接地端，另一端与所述整流二极管的一端相连；所述第二微带线的一端与所述整流二极管的另一端相连，所述第二微带线的另一端开路；所述第三微带线的一端连接在所述第二微带线和所述整流二极管之间，另一端连接所述宽带整流电路的输入端。该宽带整流电路解决了目前宽带整流中带宽不够宽，电路结构不够紧凑导致尺寸面积大、成本较大的缺点。
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公开(公告)号：CN111934562A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010841130.3
申请日：2020-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M7/00 , H01L29/872 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种基于横向氮化镓肖特基二极管的微波整流电路，主要解决现有技术无法同时实现大功率和高效率整流的问题。其从左到右依次由射频输入端、输入匹配电路、隔直电容、输入滤波器、二极管、输出滤波器和输出端口连接组成。该二极管采用具有凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，输入滤波器及输出滤波器采用多开路枝节结构的低通滤波器，电路工作频率为1-8GHz范围内的某一固定频率。实测表明，本发明在频率为2.45GHz，负载电阻为350Ω，输入功率为28.64dBm时获得了最高79％的整流效率，在输入功率为37.33dBm时整流效率仍有50％，显著提升了整流功率和效率，可应用于大功率微波能量传输系统。
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公开(公告)号：CN118899333A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410923165.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种提升耐压能力和散热能力的GaN高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件耐压能力低、散热能力差、欧姆接触质量低的问题。其自下而上包括SiC衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层、SiN欧姆接触层和钝化层，SiN欧姆接触层的上部两端为源、漏电极，AlN势垒层上表面中部到钝化层之间设有栅脚，其向左右延伸至钝化层上方形成栅帽，栅帽与栅脚共同构成T型栅电极。本发明采用SiC作衬底，用AlN作成核层，提高了器件散热能力，并采用超薄AlN缓冲层，进一步提高了器件的散热能力和耐压能力，同时通过在势垒层上增设SiN欧姆接触层，提升了晶体管欧姆接触质量，可用作高压功率和射频微波器件。
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公开(公告)号：CN118888581A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410923167.9
申请日：2024-07-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/45 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN高电子迁移率器件耐压低、散热性能差、欧姆接触质量低的问题。其自下而上包括AlN单晶衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层、SiN欧姆接触层和钝化层，SiN欧姆接触层的上部两端为源、漏电极，钝化层与AlN势垒层之间的中部设有栅脚，钝化层上表面的栅脚向左右延伸形成栅帽，栅脚与栅帽共同构成T型栅电极。本发明采用超薄且高热导率的AlN作为缓冲层和势垒层，提高了晶体管的耐压能力和散热能力，并通过采用SiN欧姆接触层，降低晶体管的欧姆接触电阻，提升其欧姆接触质量，可用作高压功率和微波射频器件。
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公开(公告)号：CN114843266A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210577589.6
申请日：2022-05-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/08 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC衬底的准垂直GaN PIN与SBD集成式器件，主要解决现有技术分立式PIN二极管用于多级限幅电路时功率容量受限，响应速度慢，集成度低的缺点。本发明碳化硅衬底(1)的上方淀积n+层(2)，n+层(2)的上方并列淀积n‑层(31)、公共阴极(5)、n‑层(32)，n‑层(31)的上方依次淀积p+层(4)、PIN结阳极(6)，n‑层(32)的上方淀积肖特基结阳极(7)。本发明将GaN PIN与SBD通过共阴极的方式集成在同一碳化硅衬底上，同时PIN管与SBD管均设置为准垂直结构。本发明器件耐压特性好，频率响应快，用于限幅电路时可显著提升功率容量，降低响应时间，可应用于大功率限幅电路中。
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