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公开(公告)号：CN114171866A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111363252.7
申请日：2021-11-17
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及一种玻璃基超宽阻带微波滤波器及双工器，微波滤波器包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，其中，所述第一金属层的侧壁设置有输入端口和输出端口，所述第一金属层上开设有耦合凹槽；所述介质层中贯穿有多个导体柱，所述多个导体柱与所述第一金属层、所述第二金属层形成第一阶谐振腔、第二阶谐振腔、第三阶谐振腔和第四阶谐振腔；所述第二金属层上开设有第一矩形窗口、第二矩形窗口、第三矩形窗口和第四矩形窗口。该滤波器在第二阶谐振腔R2和第三阶谐振腔R3之间引入耦合凹槽，产生了电耦合，使得滤波器采用单层的结构就能实现滤波，从而无需采用双层键合的方式，制备工艺简单，得到的滤波器厚度较薄。
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公开(公告)号：CN113471653A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110559934.9
申请日：2021-05-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及一种玻璃基宽阻带微波滤波器，包括依次层叠的第一金属层(1)、第一介质层(2)、第二金属层(3)、键合层(7)、第三金属层(4)、第二介质层(5)和第四金属层(6)。本发明的微波滤波器在第二阶谐振腔和第三谐振腔之间R2‑R3、第四谐振腔和第五阶谐振腔R4‑R5之间设置有多个辐射窗口，引入了混合耦合方式，即同时包含电耦合和磁耦合，进而同步增强了电场耦合与磁场耦合，在低通带附近引入传输零点，提高了低通带的频率选择特性，同时提高了通带的带宽，降低了回波损耗。
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公开(公告)号：CN117117445A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311322163.7
申请日：2023-10-12
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明公开了一种硅基超宽通带/双通带可调微波滤波器，包括：硅基复合介质层、第一金属层以及第二金属层；第一金属层叠加在硅基复合介质层的上表面，第二金属层叠加在硅基复合介质层的下表面；第一金属层设有第一窗口，第一窗口中设有第一金属图案，第二金属层设有第二窗口，第二窗口中设有第二金属图案；硅基复合介质层设有多个通孔，每个通孔中均设有被二氧化硅包围的金属柱，第一金属层和第二金属层通过金属柱实现电连接，以利用第一金属图案和第二金属图案在硅基超宽通带/双通带可调微波滤波器中形成三维螺旋电感。本发明减小了滤波器面积，更有利于更有利于滤波器与其他硅基器件的集成。
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公开(公告)号：CN113471653B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110559934.9
申请日：2021-05-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及一种玻璃基宽阻带微波滤波器，包括依次层叠的第一金属层(1)、第一介质层(2)、第二金属层(3)、键合层(7)、第三金属层(4)、第二介质层(5)和第四金属层(6)。本发明的微波滤波器在第二阶谐振腔和第三谐振腔之间R2‑R3、第四谐振腔和第五阶谐振腔R4‑R5之间设置有多个辐射窗口，引入了混合耦合方式，即同时包含电耦合和磁耦合，进而同步增强了电场耦合与磁场耦合，在低通带附近引入传输零点，提高了低通带的频率选择特性，同时提高了通带的带宽，降低了回波损耗。
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公开(公告)号：CN112271421B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011035344.8
申请日：2020-09-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种玻璃基高隔离度三维双工器，从上到下依次包括：第一金属层、第一介质层、第二金属层、键合层、第三金属层、第二介质层、第四金属层，其中，键合层和第三金属层位于第二金属层、第二介质层之间的中间位置，粘合层位于键合层和第三金属层两侧且位于第二金属层、第二介质层之间。本发明提出的玻璃基高隔离度三维双工器，采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件，由于玻璃的相对介电常数远小于硅衬底，采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件，可以消除高频电路中的涡流效应，显著降低了无源器件的高频损耗，使得本实施例双工器的功耗显著降低，提高了双工器的品质因数，进而提高了双工器的频率选择性和宽阻带特性。
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公开(公告)号：CN117497983A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311369203.3
申请日：2023-10-20
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；硅基板中设有TSV结构，上金属层和金属底板通过TSV结构实现上下连接，形成扇形基片集成波导结构；扇形基片集成波导结构具有m个扇形金属谐振腔；m个扇形金属谐振腔是利用至少一条耦合槽线将扇形基片集成波导结构进行分割得到的；耦合槽线用以实现相邻扇形金属谐振腔间的耦合；其中，m表示滤波器阶数，m≥2，n＝360°/θ，θ为扇形金属谐振腔的圆心角。该结构实现了宽通带和双通带特性的无源器件，在不降低器件性能的同时降低了其面积。
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公开(公告)号：CN114171866B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111363252.7
申请日：2021-11-17
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及一种玻璃基超宽阻带微波滤波器及双工器，微波滤波器包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，其中，所述第一金属层的侧壁设置有输入端口和输出端口，所述第一金属层上开设有耦合凹槽；所述介质层中贯穿有多个导体柱，所述多个导体柱与所述第一金属层、所述第二金属层形成第一阶谐振腔、第二阶谐振腔、第三阶谐振腔和第四阶谐振腔；所述第二金属层上开设有第一矩形窗口、第二矩形窗口、第三矩形窗口和第四矩形窗口。该滤波器在第二阶谐振腔R2和第三阶谐振腔R3之间引入耦合凹槽，产生了电耦合，使得滤波器采用单层的结构就能实现滤波，从而无需采用双层键合的方式，制备工艺简单，得到的滤波器厚度较薄。
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公开(公告)号：CN114171876B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111363254.6
申请日：2021-11-17
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明涉及一种Ka波段宽阻带滤波功分器，包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，第一金属层的侧壁上设置有输入耦合线、第一输出耦合线和第二输出耦合线，第一金属层的中间开设有S型凹槽；介质层中贯穿有多个导体柱，多个导体柱与第一金属层、第二金属层形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔。该滤波功分器的输入耦合线和输出耦合线深入到谐振腔的内部，采用输入输出深馈线的结构实现电耦合，与第二谐振腔、第三谐振腔之间利用S型凹槽结构实现的电耦合，共同构成了滤波器合理的耦合矩阵，并利用各个寄生电磁模式的分布特点实现了对高次模腔间耦合的有效抑制，实现了优秀的滤波功分器带外抑制特性。
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公开(公告)号：CN113471654B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110561047.5
申请日：2021-05-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及一种玻璃基宽阻带微波双工器，包括：依次层叠的第一金属层(1)、第一介质层(2)、第二金属层(3)、键合层(7)、第三金属层(4)、第二介质层(5)和第四金属层(6)。本发明的双工器在第二阶谐振腔和第三谐振腔之间R2‑R3、第四谐振腔和第五阶谐振腔R4‑R5之间设置有多个辐射窗口，引入了混合耦合方式，即同时包含电耦合和磁耦合，进而同步增强了电场耦合与磁场耦合，在低通带附近引入传输零点，提高了低通带的频率选择特性，同时提高了通带的带宽，降低了回波损耗。
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公开(公告)号：CN114171876A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111363254.6
申请日：2021-11-17
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明涉及一种Ka波段宽阻带滤波功分器，包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，第一金属层的侧壁上设置有输入耦合线、第一输出耦合线和第二输出耦合线，第一金属层的中间开设有S型凹槽；介质层中贯穿有多个导体柱，多个导体柱与第一金属层、第二金属层形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔。该滤波功分器的输入耦合线和输出耦合线深入到谐振腔的内部，采用输入输出深馈线的结构实现电耦合，与第二谐振腔、第三谐振腔之间利用S型凹槽结构实现的电耦合，共同构成了滤波器合理的耦合矩阵，并利用各个寄生电磁模式的分布特点实现了对高次模腔间耦合的有效抑制，实现了优秀的滤波功分器带外抑制特性。
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