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公开(公告)号：CN117792400A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311688068.9
申请日：2023-12-07
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明公开了一种采用多位SAR量化的高精度Sigma Delta ADC，包括：环路滤波器用于利用若干积分器将模拟输入信号进行离散积分处理；4Bit SAR量化器用于对经放大系数处理后的所有离散积分结果进行量化处理得到4Bit数字码；改进型的4Bit DAC用于利用IDWA电路对4Bit数字码进行一阶噪声整形并消除高阶谐波，再将处理后的4Bit数字码进行数模转换得到模拟输出信号；环路滤波器还用于对模拟输出信号和模拟输入信号进行求差处理，在环路滤波器中将求差结果作为新的模拟输入信号，利用若干积分器将新的模拟输入信号进行离散积分处理。本发明可以应用于高集成度高可靠性要求的雷达芯片中。
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公开(公告)号：CN117459343A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311346240.2
申请日：2023-10-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H04L12/40 , H03K5/24 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种适用于CAN的振铃抑制电路，包括减法器电路、振铃采样电路、振铃采样电路的复位电路以及动态比较器电路及其复位电路；所述减法器电路用于对总线信号做减法，得到纯净的振铃信号；所述振铃采样电路用于将得到的振铃信号进行峰值采样并保存；所述振铃采样电路的复位电路用于控制振铃采样电路的使能与复位功能；所述动态比较器电路及其复位电路用于将振铃采样电路得到的信号与参考电平作比较，进而输出信号控制MOS电阻导通，达到振铃抑制的目的。本发明采用动态比较器，不需要额外的外部控制信号，减少振铃抑制电路对总线的影响。通过振铃采样电路，用较简单的结构就可较好地保持振铃信号的峰值，同时降低了对器件工作频率的要求。
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公开(公告)号：CN114185387A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111243447.8
申请日：2021-10-25
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路，包括：负温系数产生电路、电流比较器和整形电路，其中，负温系数产生电路的输入端连接偏置电压，输出端连接电流比较器的第一输入端；电流比较器的第二输入端连接偏置电压，输出端连接整形电路的输入端；整形电路的输出端输出过温保护控制信号；负温系数产生电路用于产生与温度负相关的电压信号；电流比较器用于比较负温系数产生电路的输出电流和基准电流；整形电路用于根据比较结果输出过温保护控制信号；电流比较器包括迟滞回路，迟滞回路的输出端与整形电路连接。本发明的电路，具有极低的静态功耗，只需给满足晶体管导通的最小偏置电流，电路即可正常工作，适合低功耗应用。
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公开(公告)号：CN118156131A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410395269.8
申请日：2024-04-02
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的钝化层，以形成位于所述栅电极区域两侧的第一钝化子层和第二钝化子层；制备浮空T型栅电极，浮空T型栅电极包括栅脚和栅帽；将电极引出，完成浮空T型栅HEMT器件的制备。本发明既实现了在不引入额外寄生电容的情况下，对浮空T型栅电极的表面进行了钝化，又能对浮空T型栅的栅帽进行支撑，提高了工作频率，改善其射频功率特性，提高器件制备良率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN118073411A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410216094.X
申请日：2024-02-27
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417
摘要： 本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。
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公开(公告)号：CN118033614A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410110022.7
申请日：2024-01-25
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种车载超声波车载雷达的定位算法及其硬件加速的方法及系统，涉及数据处理技术领域，解决了现有技术中面对多个障碍物的情况无法处理，计算结果不正确的问题；该方法包括：分别确定多个车载雷达对应的多个障碍物，计算每个车载雷达与对应多个障碍物之间的距离，得到与每个车载雷达的对应的多个障碍物距离；分别将多个车载雷达作为主车载雷达，其余车载雷达作为次车载雷达，确定每一个车载雷达的探测区域内障碍物的可匹配区域；利用可匹配区域，得到可匹配回波信号集，并进行验证匹配，得到处理后的回波信号集；利用单障碍物定位算法和处理后的回波信号集对障碍物进行定位；实现了较为精准地匹配障碍物回波信息，提高定位精度。
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公开(公告)号：CN114185387B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111243447.8
申请日：2021-10-25
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路，包括：负温系数产生电路、电流比较器和整形电路，其中，负温系数产生电路的输入端连接偏置电压，输出端连接电流比较器的第一输入端；电流比较器的第二输入端连接偏置电压，输出端连接整形电路的输入端；整形电路的输出端输出过温保护控制信号；负温系数产生电路用于产生与温度负相关的电压信号；电流比较器用于比较负温系数产生电路的输出电流和基准电流；整形电路用于根据比较结果输出过温保护控制信号；电流比较器包括迟滞回路，迟滞回路的输出端与整形电路连接。本发明的电路，具有极低的静态功耗，只需给满足晶体管导通的最小偏置电流，电路即可正常工作，适合低功耗应用。
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公开(公告)号：CN112821768A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H02M3/335
摘要： 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN117453593A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311339459.X
申请日：2023-10-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种摆率可调的低电磁辐射CAN总线发送器，包括N个高侧电流开关、N个高侧电流源、N个低侧电流开关和N个低侧电流源；电流源用于提供输出电流，高侧电流开关和低侧电流开关用于控制电流源的导通与关断，电流源的电流由功率管提供；高侧电流开关和低侧电流开关通过移位寄存器控制。本发明利用移位寄存器来控制多级电流开关，通过改变时钟频率来控制每一级电流开关的导通延迟，最终达实现摆率可控。由于移位寄存器的作用，相邻两级电流镜的延时固定，这个特点同时解决了CANH与CANL之间的不匹配问题，减弱了工艺因素对CANH与CANL的匹配度的影响，使CANH与CANL的对称性更好，减小共模不匹配引起的电磁辐射。
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公开(公告)号：CN116525686A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310171593.7
申请日：2023-02-22
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种Mesa沟槽终端耦合U型平面结的雪崩型SiC‑TVS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、负电极和正电极，SiC衬底的两侧呈对称的台阶状，SiC衬底包括第一上表面、第二上表面和位于第一上表面与第二上表面之间的Mesa侧边，SiC外延层位于第二上表面上，SiC外延层的两侧分别位于第一上表面与第二上表面102之间的侧壁延长线上，SiC外延层包括N‑区、U型平面PN结和P+区，其中，P+区通过离子注入的方式形成在SiC外延层上表面内部，U型平面PN结位于P+区与N‑区之间。本发明通过设计SiC‑TVS器件的两侧呈Mesa沟槽耦合U型平面PN结，有效降低了器件的表面电场，使得雪崩击穿发生在SiC‑TVS器件内部，解决了击穿不稳定的问题，保障了SiC‑TVS的击穿和钳位可靠性。
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