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公开(公告)号:CN117453593A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311339459.X
申请日:2023-10-17
申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种摆率可调的低电磁辐射CAN总线发送器,包括N个高侧电流开关、N个高侧电流源、N个低侧电流开关和N个低侧电流源;电流源用于提供输出电流,高侧电流开关和低侧电流开关用于控制电流源的导通与关断,电流源的电流由功率管提供;高侧电流开关和低侧电流开关通过移位寄存器控制。本发明利用移位寄存器来控制多级电流开关,通过改变时钟频率来控制每一级电流开关的导通延迟,最终达实现摆率可控。由于移位寄存器的作用,相邻两级电流镜的延时固定,这个特点同时解决了CANH与CANL之间的不匹配问题,减弱了工艺因素对CANH与CANL的匹配度的影响,使CANH与CANL的对称性更好,减小共模不匹配引起的电磁辐射。
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公开(公告)号:CN117459343A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311346240.2
申请日:2023-10-17
申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号: H04L12/40 , H03K5/24 , H03K17/687
摘要: 本发明公开了一种适用于CAN的振铃抑制电路,包括减法器电路、振铃采样电路、振铃采样电路的复位电路以及动态比较器电路及其复位电路;所述减法器电路用于对总线信号做减法,得到纯净的振铃信号;所述振铃采样电路用于将得到的振铃信号进行峰值采样并保存;所述振铃采样电路的复位电路用于控制振铃采样电路的使能与复位功能;所述动态比较器电路及其复位电路用于将振铃采样电路得到的信号与参考电平作比较,进而输出信号控制MOS电阻导通,达到振铃抑制的目的。本发明采用动态比较器,不需要额外的外部控制信号,减少振铃抑制电路对总线的影响。通过振铃采样电路,用较简单的结构就可较好地保持振铃信号的峰值,同时降低了对器件工作频率的要求。
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公开(公告)号:CN117348680A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202311344846.2
申请日:2023-10-17
申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种适用于CAN总线的摆率控制电路,包括译码器U0、n个NMOS管、n个阻值为R的电阻和输出端的峰值保持电路U1共同构成了新型电阻阵列;所述峰值保持电路U1的输出端VO与电压跟随器U2的正相输入端相连,电压跟随器U2的反相输入端与输出端相连,并接入MOS器件M0的栅极;密勒电容CM的两端分别接入MOS器件M0的栅极与漏极;负载电容CL的一端连接MOS器件M0的漏极,另一端接地;负载电阻RL的一端接入输出节点VOUT,另一端接地。本发明能够过滤掉过冲电压,保持电阻阵列输出电压的稳定性;在高压功率MOS器件的输出端与输入端串接米勒电容,以稳定MOS器件漏极电流的摆率,进而稳定输出电压的变化速度,达到摆率控制的目的。
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公开(公告)号:CN116708073A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310775648.5
申请日:2023-06-28
申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要: 本发明公开了一种双重共模抑制接收电路,包括第一级共模抑制电路、第二级全差分运放构成的同相比例放大器、第三级引入失配的迟滞比较器以及第四级输出缓冲器;级间相互之间采用直接耦合,输入的总线电平经过第一级共模抑制电路后,经过衰减后共模电平范围取决于全差分运算放大器的共模摆幅以及最大共模电压,信号经过全差分运算放大器构成的同相比例放大器之后,共模电平将会被稳定,同时第二级全差分运放构成的同相比例放大器的差分信号将会被传递到迟滞比较器,经过迟滞比较器后输出数字逻辑电平;所述迟滞比较器的输出端口连接反相器链构成的输出缓冲器。本发明在保证准确接收显性和隐形电平的同时简化了电路结构,降低了电路的总体功耗。
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公开(公告)号:CN107310153A
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201710672258.X
申请日:2017-08-08
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: B29C64/209 , B29C64/118 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
CPC分类号: B29C64/209 , B33Y30/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
摘要: 本发明公开了一种丝径可调的3D打印机喷头及其调节方法,包括固定机架,固定机架上设置有用于安装加热棒的加热孔,固定机架的顶部设有进料口,底部设置有丝径调节机构,丝径调节机构的底部连接有喷嘴,固定机架的一侧还设有用于控制丝径调节机构的电机机构。本发明能够实现出丝直径大范围、高精度连续调节,不仅满足精度要求、提高了打印效率而且避免人工换喷嘴尺寸带来的时间损耗、材料浪费以及安全隐患问题。
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公开(公告)号:CN115623773A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211197404.5
申请日:2022-09-29
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: H10B10/00 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L23/556 , H01L29/06 , G11C11/419
摘要: 本发明公开了一种基于复合结构SOI MOS抗辐照器件构成的SRAM存储单元,MOS管M1与M2串联,M1与M2的栅极短接,并与MOS管M5漏极相连,MOS管M3与M4串联,M3与M4的栅极短接,并与MOS管M6漏极相连,位线BL与分别与M6源极和M5源极相连接。该存储单元由复合结构SOI MOS抗辐照器件组成,成本低廉,工艺兼容性好,适用于抗辐照器件的大规模应用。
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