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公开(公告)号：CN113554636A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110872520.1
申请日：2021-07-30
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明适用于芯片缺陷检测技术领域，提供了一种基于生成对抗网络和计算全息的芯片缺陷检测方法，包括以下步骤：采集无缺陷芯片的物光波振幅与相位信息，对所得数据进行处理得到条纹排序图，然后经过灰度值编码形成灰度计算全息图；将所述灰度计算全息图加载在空间光调制器内并放置在符合设定要求的光路中，通过光衍射作用生成动态的重建全息投影图像；以灰度计算全息图训练GAN网络；将待测芯片灰度计算全息图输入至训练好的GAN网络，输出检测结果，本发明的有益效果是：解决了微型化芯片3D建模和成像问题，而且降低光学过程中的环境因素影响和实际成本，芯片检测具有较快的检测速度。
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公开(公告)号：CN109660285B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910019933.8
申请日：2019-01-09
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H04B7/0413 , H04B7/06 , H03L7/18
摘要： 本发明涉及一种MIMO体制中基于共参考的波束赋形实现方法，包括：低频参考源、放大器、功分器、鉴频鉴相器PD、环路滤波LPF、功率VCO、移相器PH、N分频器及天线阵列；其中，低频参考源，用于向收发单元提供低频参考信号；将低频的参考信号通过放大器放大后由功分器分为多路，每一路通过一路锁相环单元后在通过天线阵列进入收发单元；锁相环单元包括鉴频鉴相器PD、环路滤波LPF、功率VCO、N分频器，鉴频鉴相器PD、环路滤波LPF、功率VCO、N分频器依次电连接形成环路，鉴频鉴相器PD输入端是环路的输入端，功率VCO的输出端是环路的输出端，功率VCO的输出端也是鉴频鉴相器PD的控制端。本发明具有硬件电路简单、电路成本低的特点。
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公开(公告)号：CN111751714A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010528645.8
申请日：2020-06-11
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01R31/316 , G06K9/62
摘要： 本发明涉及射频模拟电路故障诊断技术，特别是一种基于SVM和HMM的射频模拟电路故障诊断方法,该方法用针对ATF54143为核心的低噪声放大器电路，提取出有效的故障特征信息，对数据特征进行处理，其中包含K-Means算法和支持向量机的结合，减少了HMM的训练时间，解决了HMM在训练过程中对小样本数据在确定最相似模型比较最大似然概率时，有可能出现最大似然概率过于相近或相等存在的误判风险，支持向量机适合处理分类，能够最大程度反映出类别差异。K-Means的引入旨在于对实验数据进行聚类，形成有标签类别的数据，然后放入支持向量机模型，进行更精确的分类。
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公开(公告)号：CN113554636B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110872520.1
申请日：2021-07-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06T7/49 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06N3/094
摘要： 本发明适用于芯片缺陷检测技术领域，提供了一种基于生成对抗网络和计算全息的芯片缺陷检测方法，包括以下步骤：采集无缺陷芯片的物光波振幅与相位信息，对所得数据进行处理得到条纹排序图，然后经过灰度值编码形成灰度计算全息图；将所述灰度计算全息图加载在空间光调制器内并放置在符合设定要求的光路中，通过光衍射作用生成动态的重建全息投影图像；以灰度计算全息图训练GAN网络；将待测芯片灰度计算全息图输入至训练好的GAN网络，输出检测结果，本发明的有益效果是：解决了微型化芯片3D建模和成像问题，而且降低光学过程中的环境因素影响和实际成本，芯片检测具有较快的检测速度。
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公开(公告)号：CN110362881B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910556892.6
申请日：2019-06-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06N3/08
摘要： 本发明涉及一种微波功率器件输入输出建模技术，特别是基于极限学习机的微波功率器件非线性模型方法,其特征是：至少包括如下步骤：第一步，对微波功率器件搭建电路；第二步，采用ADS仿真工具，在双端口提取电路的X参数样本；第三步，将提取的X参数生成一个包含偏置条件下每一项X参数的XNP文件，将生成的XNP文件中的数据复制保存到Excel表格中，用于下一步建模中的使用；第四步，依据公式，通过ELM网络计算获得隐层与输出层的连接权重；第五步，训练真实数据，使输出结果与真实结果t一致；第六步，求解方程得到ELM的训练过程；第七步，使用最小二乘法求解，使得误差最小化。本发明的建模速度快，并且精度更大，误差更小。
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公开(公告)号：CN112468130A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011192555.2
申请日：2020-10-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种变压器式单刀双掷开关，包括：输入端口、第一输出端口以及第二输出端口；变压器电路，变压器电路包括由第一电感线圈以及第二电感线圈组成的变压器，变压器电路用于隔离输入端口、第一输出端口以及第二输出端口；晶体管控制电路，晶体管控制电路包括第一控制电路、第二控制电路以及第三控制电路，晶体管控制电路基于第一控制电路的控制电平以及第二控制电路的控制电平，实现输入端口与第一输出端口导通，或者实现输入端口与第二输出端口导通；晶体管控制电路基于第三控制电路的控制电平，控制第一电感线圈的负载。本发明提供的变压器式单刀双掷开关实现了在两种不同的工作状态下均具有低插入损耗且高隔离度的电路性能。
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公开(公告)号：CN105720328A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610213648.6
申请日：2016-04-07
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/00
CPC分类号： H01P1/00
摘要： 本发明涉及一种集成化微波调配器，其特征是：至少包括:可调电容直流偏置电路（1）、传输线（2）、微波开关控制电路（3）、微波开关（4）、可调电容（5）；微波开关（4）和可调电容（5）串联连接在传输线（2）和地电位之间形成支路，多个支路并联在传输线（2）和地电位之间；支路中的可调电容（5）采用不同容值，每个支路中的微波开关（4）控制端与微波开关控制电路（3）电连接；在传输线（2）与地电位之间接有可调电容直流偏置电路（1）。本发明具有体积小、操作控制简单，便于安装使用等特点。
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公开(公告)号：CN103474737A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310364965.4
申请日：2013-08-20
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及毫米波E面滤波器的设计方法，特别是支持向量机对膜片建模的毫米波E面滤波器及膜片建模方法。该支持向量机对膜片建模的毫米波E面滤波器，其特征是，至少包括：矩形波导（1），两个或两个以上的金属膜片（2），矩形波导（1）中间右E面腔；E面腔与矩形波导长度方向平行，其中包含金属膜片（2）；所述金属膜片（2）位于垂直矩形波导E面中央，并与E面平行，相邻金属膜片（2）不等间隔分布，相邻金属膜片在沿矩形波导长度方向一条直线，膜片面与矩形波导长度方向一条直线垂直。本发明大大的提高了滤波器的设计速度和精度，避免了重复使用电磁计算的复杂方法。
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公开(公告)号：CN113609809B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110765607.9
申请日：2021-07-06
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/09 , G06F18/241 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/10
摘要： 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种射频低噪放电路故障诊断方法、系统、设备、介质、终端，进行射频低噪放电路设计；进行故障特征参数提取及对数据进行数据增广；基于一维卷积神经网络的故障诊断模型的构建。本发明提供的射频低噪放电路故障诊断方法，建立了典型的射频低噪放电路的仿真模型，通过注入故障的方式，提取电路故障的特征参数并进行了数据增广。本发明通过实验说明了对数据进行数据增广后，一维卷积神经网络故障诊断法在射频电路故障诊断的可行性，丰富了样本空间的多样性，提高了模型的泛化能力，且有效防止了神经网络模型的过拟合现象，为射频电路故障诊断提供理论依据，对于实际射频电路故障诊断具有一定的参考价值。
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公开(公告)号：CN111611765B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010249376.1
申请日：2020-04-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/398 , G01R31/00
摘要： 本发明属于微波测试技术领域，公开了一种夹具去嵌入方法、系统、存储介质、计算机程序及应用，利用夹具分别夹持两段不同的传输线，分别测出整个系统的S参数[St]，即[St1]和[St2]；根据公式计算出夹具夹持的两段不同的传输线的S参数[St01]和[St02]；设定[S]一个恰当的初始值，逼近出夹具的S参数[S]。采用本发明的方法夹具仿真数据与计算数据对比发现，采用双传输线的夹具去嵌方法，可以准确有效的提取出被测件两端的夹具S参数数据，为后续的半导体参数测试打好基础。相比传统的校准方法，具有实现简单，加工简单，对标准件的加工精度要求较低的特点，具有较好的应用价值。
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