公开(公告)号：CN110429026B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201910752677.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  袁海东 ,  林珍华 ,  常晶晶 ,  郝悦

IPC: H01L21/02 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种打开石墨烯带隙的方法，属于半导体电子技术领域，包括以下步骤：分别制备氧化镓层和石墨烯层；将石墨烯层转移至氧化镓层上，通过氧化镓和石墨烯之间的电荷转移改变石墨烯的电子结构，形成氧化镓/石墨烯异质结，实现石墨烯带隙的打开；本发明提供的打开石墨烯带隙的方法，制备工艺简单，器件结构清晰，能够较大程度的有效打开石墨烯带隙，对于将石墨烯应用到半导体电子器件领域有着重要的意义。

公开(公告)号：CN110429026A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910752677.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  袁海东 ,  林珍华 ,  常晶晶 ,  郝悦

IPC: H01L21/02 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种打开石墨烯带隙的方法，属于半导体电子技术领域，包括以下步骤：分别制备氧化镓层和石墨烯层；将石墨烯层转移至氧化镓层上，通过氧化镓和石墨烯之间的电荷转移改变石墨烯的电子结构，形成氧化镓/石墨烯异质结，实现石墨烯带隙的打开；本发明提供的打开石墨烯带隙的方法，制备工艺简单，器件结构清晰，能够较大程度的有效打开石墨烯带隙，对于将石墨烯应用到半导体电子器件领域有着重要的意义。