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公开(公告)号：CN104733533A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510112411.4
申请日：2015-03-13
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ-LDMOS器件结构中引入一层N型埋层，该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ-LDMOS相比，本发明通过了N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN104716190A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510112078.7
申请日：2015-03-13
申请人： 西安后羿半导体科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336
摘要： P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件。本发明在N型衬底外延层上制作半超级结，并且在半超级结区上引入P型埋层。与传统的超级结相比，本发明通过了N区和P型埋层的共同作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；并且，由于是半超级结，在表面引入一个电场峰，进一步提高击穿电压。同时，P型埋层可以提高N区的浓度，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN104009089A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410234468.7
申请日：2014-05-29
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L29/7824 , H01L29/0615
摘要： 本发明公开了一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管新结构。这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生一些新的峰并且趋于均匀而使击穿电压提高；浓度渐变型埋层的电中性作用补偿了漂移区优化的浓度而使器件比导通电阻降低，由此改善了LDMOS击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN104009090B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410234519.6
申请日：2014-05-29
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括：漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度，从而降低比导通电阻，并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的，因此击穿电压和比导通电阻的优化可以得到最佳。
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公开(公告)号：CN104009089B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410234468.7
申请日：2014-05-29
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管新结构。这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生一些新的峰并且趋于均匀而使击穿电压提高；浓度渐变型埋层的电中性作用补偿了漂移区优化的浓度而使器件比导通电阻降低，由此改善了LDMOS击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN104821335A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510112412.9
申请日：2015-03-13
申请人： 西安后羿半导体科技有限公司 , 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0615
摘要： N型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件，在P型外延层上制作半超级结，并且在半超级结区和部分外延片上引入N型埋层。与传统的SJ-LDMOS相比，本发明通过N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；并且由于是半超级结，在表面引入一个电场峰，进一步提高击穿电压。同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN104733534A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510112699.5
申请日：2015-03-13
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件。与传统的SJ-LDMOS相比，本发明通过P型埋层和N型buffer层的共同作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，P型埋层可以提高N型buffer层的浓度，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN104009090A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410234519.6
申请日：2014-05-29
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0615
摘要： 本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括：漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度，从而降低比导通电阻，并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的，因此击穿电压和比导通电阻的优化可以得到最佳。
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公开(公告)号：CN104821335B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510112412.9
申请日：2015-03-13
申请人： 西安华羿微电子股份有限公司 , 西安电子科技大学
摘要： N型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件，在P型外延层上制作半超级结，并且在半超级结区和部分外延片上引入N型埋层。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；并且由于是半超级结，在表面引入一个电场峰，进一步提高击穿电压。同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN104733533B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510112411.4
申请日：2015-03-13
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器件结构中引入一层N型埋层，该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过了N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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