公开(公告)号：CN119008624A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411073226.4

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  胡雨清 ,  樊昱彤 ,  袁梦强 ,  冯欣 ,  吴银河 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/07 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN双向阻断器件及其制备方法，该器件中MOSFET和HEMT共享AlN缓冲层，AlN缓冲层叠加于SiC衬底之上。MOSFET和HEMT之间设有隔离槽，隔离槽深入至AlN缓冲层的上部，MOSFET的源电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条互连，MOSFET的漏电极和HEMT的源电极通过第二金属互联条互连。HEMT的漏电极深入至该HEMT的沟道层，通过漏电极和沟道层表面二维电子气的直接接触，降低了漏电极肖特基势垒高度，从而降低了器件的开启电压，同时提升了器件的正向和反向击穿电压，提供了一种高性能的增强型SiC衬底GaN双向阻断器件。

公开(公告)号：CN119008629A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411073227.9

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  袁梦强 ,  胡雨清 ,  樊昱彤 ,  冯欣 ,  吴银河 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括T型FIN结构p‑FET和HEMT。T型FIN结构p‑FET和HEMT共享缓冲层；缓冲层叠加于衬底之上；T型FIN结构p‑FET和HEMT之间设有的隔离槽深入至缓冲层的上部；T型FIN结构p‑FET的栅电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条连接；T型FIN结构p‑FET的漏电极和HEMT的漏电极通过第二金属互联条连接。通过T型FIN结构p‑FET的源漏沟道设有的多个T型FIN结构可以增强栅级可控性和电流驱动能力，降低器件功耗。通过调节T型FIN结构的FIN宽，可以形成增强型器件，还可以调控阈值电压进而改善反相器的性能。

公开(公告)号：CN119008625A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411079662.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  胡雨清 ,  袁梦强 ,  樊昱彤 ,  冯欣 ,  吴银河 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/07 ,  H01L27/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，包括：衬底和缓冲层，缓冲层包括隔离槽，缓冲层被隔离槽划分为第一区域和第二区域；在第一区域，缓冲层上设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，有源层中设置有漂移区、引出区和源区，漂移区中设置有漏区，引出区和源区的上表面设置有第一源极，漏区的上表面设置有第一漏极，二者之间设置第一栅极；在第二区域，缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，二者之间设置有第二栅极；第一漏极与第二源极通过第一金属互联线电连接，第一源极与第二栅极通过第二金属互联线电连接。本发明能够改善器件性能。