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公开(公告)号：CN119968111A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510110999.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米孔的阵列化忆阻器射频开关器件及制备方法，主要解决现有开关响应时间过长和忆阻器在阵列化时同一批次器件响应时间差异过大的问题。方案包括：高电阻硅衬底、金属粘附层、底部电极、阻变层材料和顶部电极；其中底部电极与顶部电极之间由阻变层材料隔开；顶部电极为包括下台阶和上台阶的台阶型，且上台阶、阻变层材料和底部电极自上而下分布构成忆阻器；晶圆级阻变层材料通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，湿法转移到底部电极上后经过阵列化He+离子注入工艺处理。本发明可大规模制备忆阻器射频器件，能降低器件开关响应时间、减小阵列化忆阻器射频开关器件之间的差异性，可用于射频前端系统。
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公开(公告)号：CN119789511A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411658383.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器，器件结构自下而上包括衬底、第一晶体管、石墨烯层和第二晶体管，第一源电极和第一漏电极沿水平方向布置在n管GaN沟道层的两端，第二源电极和第二漏电极沿水平方向布置在p管GaN沟道层的两端，在第一晶体管与第二晶体管之间的石墨烯层上布置可同时控制第一晶体管与第二晶体管的栅电极。在此结构基础上，将n型和p型晶体管的漏极用空气桥结构相连接并作为输出端，栅极作为输入端，p型晶体管的源极接高电平，n型晶体管的源极接低电平，实现反相器，其栅控能力强，漏电小，具有高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119789509A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650425.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法，所述结构自下而上包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、键合介质层、砷化镓器件外延层、氮化镓器件电极源极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极漏极、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极、氮化镓背通孔、砷化镓背通孔、正面通孔、氮化镓外表面电极源极、氮化镓外表面电极漏极，砷化镓器件外延层上表面的电极根据需要进行互联，形成一定功能的集成电路。本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件的电极具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN119789466A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411647201.0
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，在沟道层与势垒层的界面附近形成高电子迁移率的二维电子气。在部分区域去除势垒层和部分沟道层，形成一个凹槽，在凹槽中生长三族氮化物半导体材料，形成连接的重掺杂区和轻掺杂区，轻掺杂区朝向栅电极。源电极的底部与重掺杂区的上表面形成欧姆接触，栅电极下方的二维电子气与源电极通过重掺杂区和轻掺杂区形成的2DEG‑n‑‑GaN‑n+‑GaN的结构，等效为在栅电极与源电极之间插入一个肖特基二极管，提高了射频GaN基HEMT器件的跨导平坦度、截止频率平坦度，拓宽了器件的动态输入范围、输入电压摆幅和输出电流摆幅，从而提高了器件的线性度。
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公开(公告)号：CN119789463A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411623428.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法，包括金刚石衬底，终端表面位于金刚石衬底表面，由若干个沟槽的侧面、底面和鳍型台面顶面连接形成，P+金刚石层分别位于金刚石终端表面的两端，源电极位于终端表面的一侧的P+金刚石层之上，漏电极位于终端表面的源电极相对的另一端的的P+金刚石层之上，栅介质覆盖在源电极和漏电极中间的终端表面上，栅电极位于栅介质上，且位于源电极和漏电极的之间，在同一水平侧向尺寸下增大了表面二维空穴气的密度，提高了金刚石晶体管的电流密度，降低了金刚石晶体管的导通电阻，也提高了栅电极对二维空穴气沟道的栅控能力，减少了金刚石晶体管的关态电流和功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119698234A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411639216.2
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可重构射频开关器件，主要解决现有射频开关器件开关响应时间过长和器件散热过慢的问题。其包括:顶部电极(6)、阻变层材料(5)、底部电极(4)、金属粘附层(3)和高电阻硅衬底(2)，该顶部电极(6)、阻变层材料(5)及底部电极(4)自上而下分布构成忆阻器。该高电阻硅衬底底面设有金刚石衬底(1)，以提高器件的散热性能，并实现对器件的支撑；该阻变层材料(5)通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，并经过He+离子注入工艺处理后转移到底部电极(4)上。本发明能降低器件开关响应时间，提升器件的散热能力，可用于微波通讯系统中。
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公开(公告)号：CN119630006A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411811737.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种沟槽p型氧化镓结型势垒肖特基二极管及其制备方法，主要解决现有氧化镓肖特基二极管导通电阻和反向漏电流较高、耐压能力和抗浪涌能力较差的问题。其自下而上包括阴极欧姆金属层(1)、n型重掺杂氧化镓衬底(2)、n型轻掺杂氧化镓漂移层(3)和阳极肖特基金属层(4)，其中n型轻掺杂氧化镓漂移层上表面向下设有多个沟槽(5)，以改变器件表面电场；每个沟槽的下方注有p型氧化镓区域(6)，其与n型轻掺杂氧化镓漂移层形成氧化镓同质pn结；每个沟槽内沉积有高k介质层(7)。本发明降低了漏电流，提高了器件的反向击穿电压，减小了导通电阻，提升了抗浪涌能力，可用于功率电子设备。
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公开(公告)号：CN119521709A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411631971.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于P型AlGaN背势垒结构的高耐压AlGaN HEMT器件及制备方法，包括：从下到上依次层叠的衬底、AlN成核层、第一AlGaN缓冲层、P型AlGaN背势垒层、第二AlGaN缓冲层、AlGaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；第一AlGaN缓冲层中Al组分呈阶梯式逐渐递减且最小递减至AlGaN背势垒层中Al组分的大小；第二AlGaN缓冲层中Al组分呈阶梯式逐渐递减且最小递减至AlGaN沟道层中Al组分的大小；源极和漏极位于器件两端，分别贯穿GaN帽层直至AlGaN势垒层内；栅极位于GaN帽层上。本发明是一种AlGaN基HEMT，具备更高击穿特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119519612A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411577109.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于开关结构的宽带大回退射频Doherty功率放大器，包括功率分配单元、频段选择单元、信号相移单元、信号放大单元、信号合成单元：所述频段选择单元包含射频开关，所述信号放大单元包括主功率放大器、若干辅助功率放大器，所述信号合成单元包括阻抗逆置器、阻抗变换器。本发明通过在辅助功率放大器支路加入射频开关结构，使辅助功率放大器能够在两个相邻窄频段内完成对主功率放大器的有源负载调制，并且应用辅助功率放大器支路与主功率放大器非对称架构，从而拓宽了Doherty功率放大器整体的带宽，同时提高了回退量。
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公开(公告)号：CN119110664A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410996353.5
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种热电制冷增强散热的GaN器件，主要解决现有GaN器件在高功率下由自热和热积累效应引起输出功率密度指标急剧恶化的问题。其自下而上包括热沉层、传热界面层、衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极，该传热界面层与衬底间设有多个依次排列的热电制冷模块，每个热电制冷模块包括一个相互对应的N型热电材料层和一个P型热电材料层，且其上下表面分别设有串联图形化的上金属电极层和下金属电极层，其外围包裹有绝缘支撑材料；该衬底的下表面设有衬底绝缘层，以实现对衬底与热电制冷模块的电气隔离。本发明能降低器件热阻，增强从器件衬底到热沉的热传导，提升器件的散热能力，可用于GaN微波功率器件和电力电子器件。
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