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公开(公告)号：CN119968111A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510110999.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米孔的阵列化忆阻器射频开关器件及制备方法，主要解决现有开关响应时间过长和忆阻器在阵列化时同一批次器件响应时间差异过大的问题。方案包括：高电阻硅衬底、金属粘附层、底部电极、阻变层材料和顶部电极；其中底部电极与顶部电极之间由阻变层材料隔开；顶部电极为包括下台阶和上台阶的台阶型，且上台阶、阻变层材料和底部电极自上而下分布构成忆阻器；晶圆级阻变层材料通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，湿法转移到底部电极上后经过阵列化He+离子注入工艺处理。本发明可大规模制备忆阻器射频器件，能降低器件开关响应时间、减小阵列化忆阻器射频开关器件之间的差异性，可用于射频前端系统。
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公开(公告)号：CN119698234A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411639216.2
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可重构射频开关器件，主要解决现有射频开关器件开关响应时间过长和器件散热过慢的问题。其包括:顶部电极(6)、阻变层材料(5)、底部电极(4)、金属粘附层(3)和高电阻硅衬底(2)，该顶部电极(6)、阻变层材料(5)及底部电极(4)自上而下分布构成忆阻器。该高电阻硅衬底底面设有金刚石衬底(1)，以提高器件的散热性能，并实现对器件的支撑；该阻变层材料(5)通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，并经过He+离子注入工艺处理后转移到底部电极(4)上。本发明能降低器件开关响应时间，提升器件的散热能力，可用于微波通讯系统中。
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公开(公告)号：CN119630006A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411811737.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种沟槽p型氧化镓结型势垒肖特基二极管及其制备方法，主要解决现有氧化镓肖特基二极管导通电阻和反向漏电流较高、耐压能力和抗浪涌能力较差的问题。其自下而上包括阴极欧姆金属层(1)、n型重掺杂氧化镓衬底(2)、n型轻掺杂氧化镓漂移层(3)和阳极肖特基金属层(4)，其中n型轻掺杂氧化镓漂移层上表面向下设有多个沟槽(5)，以改变器件表面电场；每个沟槽的下方注有p型氧化镓区域(6)，其与n型轻掺杂氧化镓漂移层形成氧化镓同质pn结；每个沟槽内沉积有高k介质层(7)。本发明降低了漏电流，提高了器件的反向击穿电压，减小了导通电阻，提升了抗浪涌能力，可用于功率电子设备。
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公开(公告)号：CN119521709A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411631971.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于P型AlGaN背势垒结构的高耐压AlGaN HEMT器件及制备方法，包括：从下到上依次层叠的衬底、AlN成核层、第一AlGaN缓冲层、P型AlGaN背势垒层、第二AlGaN缓冲层、AlGaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；第一AlGaN缓冲层中Al组分呈阶梯式逐渐递减且最小递减至AlGaN背势垒层中Al组分的大小；第二AlGaN缓冲层中Al组分呈阶梯式逐渐递减且最小递减至AlGaN沟道层中Al组分的大小；源极和漏极位于器件两端，分别贯穿GaN帽层直至AlGaN势垒层内；栅极位于GaN帽层上。本发明是一种AlGaN基HEMT，具备更高击穿特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119110664A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410996353.5
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种热电制冷增强散热的GaN器件，主要解决现有GaN器件在高功率下由自热和热积累效应引起输出功率密度指标急剧恶化的问题。其自下而上包括热沉层、传热界面层、衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极，该传热界面层与衬底间设有多个依次排列的热电制冷模块，每个热电制冷模块包括一个相互对应的N型热电材料层和一个P型热电材料层，且其上下表面分别设有串联图形化的上金属电极层和下金属电极层，其外围包裹有绝缘支撑材料；该衬底的下表面设有衬底绝缘层，以实现对衬底与热电制冷模块的电气隔离。本发明能降低器件热阻，增强从器件衬底到热沉的热传导，提升器件的散热能力，可用于GaN微波功率器件和电力电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118946238A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410996356.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10N19/00 , H10N10/01 , H10N10/817 , H01L21/77 , C23C28/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/20 , C30B29/16 , C30B29/22
Abstract: 本发明公开了一种集成有热电材料的强散热氧化镓器件，旨解决现有氧化镓器件自热效应严重、可靠性降低、输出功率减小的问题。其技术关键是通过热电效应提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的衬底和传热界面层之间增设依次串联的热电制冷模块，其外围包裹有绝缘支撑材料，其上下表面设置图形化金属电极层，以实现模块之间的隔离，并通过向热电材料上施加电压形成电流，使得衬底一侧的温度显著下降，加快衬底到传热界面层的热传递。对于垂直氧化镓二极管，是在其阴极电极与热界面层之间增设该热电制冷单元，通过施加电压使其产生热电效应，增加阴极电极到热界面层的热传递。本发明能缓解器件自热效应，提高器件的可靠性，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN119008624A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411073226.4
申请日：2024-08-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/07 , H01L27/06 , H01L21/8252 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN双向阻断器件及其制备方法，该器件中MOSFET和HEMT共享AlN缓冲层，AlN缓冲层叠加于SiC衬底之上。MOSFET和HEMT之间设有隔离槽，隔离槽深入至AlN缓冲层的上部，MOSFET的源电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条互连，MOSFET的漏电极和HEMT的源电极通过第二金属互联条互连。HEMT的漏电极深入至该HEMT的沟道层，通过漏电极和沟道层表面二维电子气的直接接触，降低了漏电极肖特基势垒高度，从而降低了器件的开启电压，同时提升了器件的正向和反向击穿电压，提供了一种高性能的增强型SiC衬底GaN双向阻断器件。
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公开(公告)号：CN119967857A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510111003.0
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法，主要解决现有技术难以实现高性能p型二维晶体管的问题。方案包括：绝缘衬底，二维材料沟道层，位于沟道层两端上的二维材料源漏极接触部分以及分别位于两者之上的源漏电极，位于二维材料沟道层与源漏电极上的栅介质层，位于栅介质上的栅电极；通过单独制备二维晶体管中二维材料的p型重掺杂的源漏接触部分，以及二维材料的轻掺杂/不掺杂的沟道层，然后将两部分对准层压，实现二维晶体管的p型分区掺杂，同时实现了厚度控制。本发明能够在保持二维晶体管栅控能力的情况下，有效提升器件导电性能。
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公开(公告)号：CN119630080A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411811733.3
申请日：2024-12-10
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱响应的光电突触晶体管及其制作方法，主要解决现有光电突触晶体管的电导和响应率难以同时线性调控及光响应波段窄的问题。其自下而上包括:衬底层、紫外光通道层、源极和漏极、可见光通道层、栅极，该可见光通道层的上部设有铁电介质层，用于改变极化状态实现对可见光通道层的掺杂状态改变，使器件具有多个工作状态；该栅极平行位于铁电介质层之上，以实现对铁电介质层的极化状态的调控；该源、漏极位于紫外光通道层与可见光通道层之间。当可见光照射到可见光通道层或紫外光照射到紫外光通道层将对光信号产生响应并传输光电流。本发明能拓宽光电突触晶体管光响应波段，实现对器件电导与响应率的线性调控，可用于光电探测器和神经计算器。
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公开(公告)号：CN119480471A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411698721.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN为电极材料的耐高温超级电容器的制备方法，主要解决现有技术电极制备流程复杂的问题。其实现方案是：在目标基底上进行光刻，得到图案化的光刻胶‑目标基底结构，并在其上沉积一层金属集流体；对集流体/光刻胶‑目标基底的样品进行光刻胶的剥离处理并进行二次光刻，形成光刻胶‑集流体‑目标基底结构，再对其进行ICP刻蚀，将目标基底图案化，得到所需的正负极区域；对图案化的光刻胶‑集流体‑目标基底样品进行光刻胶剥离并行退火，得到图案化的集流体‑目标基底的样品，再用一层聚二甲基硅氧烷膜对其进行封装，完成微型超级电容器的制备。本发明降低了电极制备的复杂程度和成本，提高生产效率，能实现大规模生产，可用于高温环境下的电子设备。
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