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公开(公告)号：CN119008701A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411115909.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , G01N27/414 , G01N27/00 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于环漏区双金属栅隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，该生物传感器包括三个PIN结构，三个PIN结构包括一个共用的漏区，漏区的顶部和水平两侧依次均设有沟道和源区；位于漏区顶部的沟道的水平两侧均设有L型纳米生物分子探测腔和栅介质层，纳米生物分子探测腔的水平部分覆盖在位于漏区水平两侧的沟道上，栅介质层覆盖在纳米生物分子探测腔的垂直部分上；纳米生物分子探测腔水平部分的顶部依次覆盖有水平相邻堆叠的第一金属栅和第二金属栅，第一金属栅位于第二金属栅和栅介质层之间；漏区的底部覆盖有漏极，位于漏区上方的源区的顶部覆盖有源极；本发明的生物传感器具有较高的灵敏度，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN118943186A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410738963.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于圆柱型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，生物传感器包括圆柱型结构的沟道，沟道的两侧分别设置有源区和漏区，源区和漏区的外端分别覆盖有源电极和漏电极；沟道靠近源区和漏区的两侧段分别环设有第一低K栅介质层和第二低K栅介质层；第一低K栅介质层和第二低K栅介质层上分别覆盖有第一高K栅介质层和第二高K栅介质层，第一高K栅介质层和第二高K栅介质层上分别覆盖有第一栅金属层和第二栅金属层；与现有技术中的MOSFET器件相比，本发明制备的生物传感器，具有灵敏度高和栅控能力高的特点，且制备工艺简单，工艺成本较低。
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公开(公告)号：CN118825072A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410822935.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/10 , G01N27/414
Abstract: 一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括十字形沟道，十字形沟道外侧四个拐角处交叉设有两个源极和两个漏极，十字形沟道的四臂表面均连接有栅极介质层和生物分子探测腔的一面，栅极介质层和生物分子探测腔另一面连接栅极；通过采用双源极和双漏极，源极和漏极内嵌在沟道的四个拐角处，且源极和漏极交叉放置，相比于在源极和漏极在沟道两端的传统结构，本发明增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率，因此增大了漏极电流；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118688281A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410738966.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种基于插指型的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括倒T状的沟道层，沟道层垂直区域顶端设置有源极，源极与沟道层接触处为插指结构，沟道层的水平区域两端均设置有漏极，沟道层的垂直区域两侧及水平区域顶面均布设有栅极介质层，栅极介质层上布设有第一栅极，第一栅极的顶端设置有第二栅极，第二栅极与沟道层及源极形成生物分子探测腔；制备方法：刻蚀沟道层形成倒T状，在其水平区域两端进行离子注入，经过多次淀积刻蚀，得到顶端为手指状的垂直区域，并嵌入锑化镓，将氧化铪沉积，第一、二栅极的金属材料沉积到氧化铪上，进行抛光，对氧化铪进行干法刻蚀，得到最终的结构；具有功耗小、识别时间短及灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN118748207A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410738946.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于正方型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，生物传感器包括正方型结构的沟道，沟道的两侧分别设置有源区和漏区，源区和漏区的外端分别覆盖有源电极和漏电极；漏区和源区上分别环设有靠近沟道的保护层，沟道上分别环设有两组靠近保护层的栅极，栅极包括分别环设在沟道上靠近保护层的低K栅介质层，低K栅介质层上分别覆盖有高K栅介质层，高K栅介质层上分别覆盖有栅金属层；本发明制备的生物传感器具有灵敏度高和栅控能力高的特点，且制备工艺简单，工艺成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118641608A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410738962.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01N27/414 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种基于电荷等离子体隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括沟道，沟道的水平两侧分别设置有源区和漏区，源区的垂直两侧设置有第一氧化物层，第一氧化物层和源区的外周上覆盖有源区电极；沟道的垂直两侧设置有第二氧化物层，漏区的垂直两侧设置有第三氧化物层；第三氧化物层和漏区的外周上覆盖有漏区电极；第二氧化物层上设置有第一栅电极，位于沟道上方的第一栅电极靠近源区电极上水平部分的一侧设置有第二栅电极，第一氧化物层和第二氧化物层之间分别形成有位于第二栅电极下方的第一生物探测腔和位于源区电极下水平部分上方的第二生物探测腔；本发明的生物传感器具有灵敏度高和开态电流高的特点，且工艺简单。
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公开(公告)号：CN119698035A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411115911.9
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种具有帽檐状的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括衬底，衬底上表面两端设置漏区接触，漏区接触之间的衬底上表面设置漏区，漏区上表面设置T形的沟道，沟道的垂直区域底端两侧设置高介电常数氧化层，每个高介电常数氧化层远离沟道一侧均设置栅极金属构成弯折的生物分子检测腔，沟道的水平区域内嵌设置在源区内，源区作外檐、沟道作内檐构成帽檐状结构，源区上表面设置有源区接触；通过外延生长在衬底上逐渐生长出漏区、沟道和源区，随后采用原子层沉积和刻蚀形成生物分子检测腔和高介电常数氧化层，最后沉积出栅极、源区接触和漏区接触；具有导通电流高，检测生物分子灵敏，电压要求低，功耗低，且制备工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN119029038A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411115908.7
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种具有桥状多栅极隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，该生物传感器包括源区，源区的水平两侧轴对称设有两个T型沟道，T型沟道垂直部分的底部依次覆盖有漏区和漏极；所述源区、源区两侧的T型沟道以及漏区形成H型桥状双PIN结构；源区的垂直两侧均覆盖有源极，每个源极的水平两侧均设置有位于T型沟道上的L型的生物分子探测腔，每个生物分子探测腔垂直部分的顶部覆盖有栅极氧化层，每个生物分子探测腔水平部分的顶部覆盖有栅极，栅极氧化层和栅极与沟道垂直部分的边缘水平对齐；本发明解决了低电压下器件导通电流不足、亚阈值摆幅较大以及场效应晶体管检测生物分子时灵敏度低的技术问题，具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118748208A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410738965.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/43 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种基于倒T型无掺杂隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，包括沟道区，沟道区水平部分两侧均设有源区，沟道区顶部设有漏区，漏区和沟道区两侧均设有第一氧化物层；沟道区底部设有第二氧化物层；第一氧化物层和漏区的顶部覆盖有漏区电极；第一氧化物层上设有位于漏区电极下方的第一栅电极，第二氧化物层底部设有第二栅电极，第二栅电极水平两侧均设有第三栅电极，第三栅电极顶部设有第二生物探测腔；源区垂直两侧均设有第三氧化物层，位于源区顶部的第三氧化物层靠近沟道区一侧设有第一生物探测腔；第三氧化物层和第一生物探测腔的外周上覆盖有源区电极；本发明制备的生物传感器具有灵敏度高和导通电流高的特点，且工艺简单。
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公开(公告)号：CN118352395A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410490548.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器，包括水平T形的沟道，水平T形沟道两侧分别设有源极和漏极；所述沟道内靠近源极的一侧设有P型C状重掺杂区，沟道的上下表面均设有栅极介质层，栅极介质层的表面设有栅极，沟道与栅极之间，且栅极介质层近源极的一侧设有生物分子探测腔，源极和沟道形成肖特基接触；水平T形的沟道，使得源极侧的沟道厚度更大，因此增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的概率；P型C状重掺杂区的引入，大大降低了灵敏度的参考基准；提高了器件的开启电流灵敏度和跨导灵敏度；使用4H‑SiC作为沟道材料，4H‑SiC具有更宽的禁带宽度，相比于传统的Si沟道，降低了4H‑SiC肖特基势垒场效应晶体管SB‑FET的关态电流，降低了传感器的静态功耗；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。
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