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公开(公告)号：CN109440083B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811587319.3
申请日：2018-12-25
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/40 , C23C18/12
摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积方法，其特征在于包括如下步骤：步骤a：设计一款雾化辅助CVD薄膜沉积装置；步骤b：先将欲成膜的平面衬底放置在衬底模板上的安装孔中，再将衬底模板水平放置在下升降板上板面，并调整下升降板的位置；步骤d：反应区的温度达到预设温度后，先开启雾化源，雾化源将液体前驱体雾化成气溶胶前驱体，并利用雾化源发出的载气将气溶胶前驱体输入缓冲混合室内；步骤e:待反应区的温度接近室温或者在45℃以下时，先停止通过气相物进管和气溶胶进管向缓冲混合室内输入前驱体，再关闭抽气泵，最后打开密封盖，并将衬底模板取出，最后从衬底模板上取下衬底。本薄膜沉积方法沉积效率高，工艺安排合理，薄膜质量高。
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公开(公告)号：CN109338338B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811587320.6
申请日：2018-12-25
摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置，包括缓冲混合室、过渡腔和反应室，其中缓冲混合室顶部竖直设有多路气相物进管，该缓冲混合室外壁的左侧设有多路气溶胶进管；上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯；上升降板和下升降板的左、右端分别通过一个高度调整组件与反应腔外表面相连，并可以在高度调整组件的作用下调整上、下升降板的高度。本案主要从前驱体混合方式和收集液体方面来保证前驱体的成分、含量，并通过保证气流场稳定和控制温度场这两个个方面来控制反应区的反应环境，上述4个方面的技术手段相互配合，共同实现高质量制备薄膜，且本装置特别适合于制造氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN109440083A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811587319.3
申请日：2018-12-25
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/40 , C23C18/12
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/4486 , C23C18/1216 , C23C18/1258
摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积方法，其特征在于包括如下步骤：步骤a：设计一款雾化辅助CVD薄膜沉积装置；步骤b：先将欲成膜的平面衬底放置在衬底模板上的安装孔中，再将衬底模板水平放置在下升降板上板面，并调整下升降板的位置；步骤d：反应区的温度达到预设温度后，先开启雾化源，雾化源将液体前驱体雾化成气溶胶前驱体，并利用雾化源发出的载气将气溶胶前驱体输入缓冲混合室内；步骤e:待反应区的温度接近室温或者在45℃以下时，先停止通过气相物进管和气溶胶进管向缓冲混合室内输入前驱体，再关闭抽气泵，最后打开密封盖，并将衬底模板取出，最后从衬底模板上取下衬底。本薄膜沉积方法沉积效率高，工艺安排合理，薄膜质量高。
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公开(公告)号：CN109338338A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811587320.6
申请日：2018-12-25
摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置，包括缓冲混合室、过渡腔和反应室，其中缓冲混合室顶部竖直设有多路气相物进管，该缓冲混合室外壁的左侧设有多路气溶胶进管；上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯；上升降板和下升降板的左、右端分别通过一个高度调整组件与反应腔外表面相连，并可以在高度调整组件的作用下调整上、下升降板的高度。本案主要从前驱体混合方式和收集液体方面来保证前驱体的成分、含量，并通过保证气流场稳定和控制温度场这两个个方面来控制反应区的反应环境，上述4个方面的技术手段相互配合，共同实现高质量制备薄膜，且本装置特别适合于制造氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN209307486U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201822192034.1
申请日：2018-12-25
摘要： 本实用新型公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置，包括缓冲混合室、过渡腔和反应室，其中缓冲混合室顶部竖直设有多路气相物进管，该缓冲混合室外壁的左侧设有多路气溶胶进管；上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯；上升降板和下升降板的左、右端分别通过一个高度调整组件与反应腔外表面相连，并可以在高度调整组件的作用下调整上、下升降板的高度。本案主要从前驱体混合方式和收集液体方面来保证前驱体的成分、含量，并通过保证气流场稳定和控制温度场这两个个方面来控制反应区的反应环境，上述4个方面的技术手段相互配合，共同实现高质量制备薄膜，且本装置特别适合于制造氧化物薄膜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN114774883B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210390133.9
申请日：2022-04-14
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/48 , C23C16/52 , C23C18/14
摘要： 本发明公开了一种紧凑型雾化辅助CVD薄膜制备装置，包括机箱，该机箱上滑动设有雾化单元、缓冲腔体、加热单元和尾气收集单元，所述雾化单元与缓冲腔体连通，石英腔体的一端与所述缓冲腔体连通，另一端与尾气收集单元连通，所述石英腔体内设衬底样品，所述石英腔体穿设在所述加热单元并通过该加热单元进行加热，前驱体溶液经过所述雾化单元雾化后进入所述缓冲腔体，由所述缓冲腔体进入所述石英腔体内进行薄膜制备。本方案加热单元整体可以移动，不仅可以有效改变石英腔体内薄膜沉积区域竖直方向的温度梯度，而且水平方向也具有温度场可调整性，这对于探索薄膜生长机制提供了条件。
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公开(公告)号：CN116904964A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310625458.5
申请日：2023-05-30
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种雾化辅助CVD薄膜制备装置雾流控制方法，使载气按照预设速率进入雾化源系统，然后携带前驱体气溶胶颗粒进入反应腔室，进入反应腔室的导流细通道内的雾流流速不断提升，雾流在导流细通道内参与反应沉积薄膜；接着抽气泵工作抽离残余气体，使反应腔室出口端抽离气体速率高于经过导流细通道进入反应腔室出口端的雾流速率，通过压差计示数反馈，调整载气供给系统的质量流量计预设速率与抽气泵功率，使压差计示数维持在规定范围，开始薄膜生长。本发明通过改善雾化辅助CVD装置中雾流的流动状态，从而使进入反应腔室中的气溶胶颗粒能够以更平稳的状态参与反应，减小了紊流对薄膜制备的不利影响，提高薄膜制备的结晶质量与表面形貌。
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公开(公告)号：CN108241006B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810033525.3
申请日：2018-01-11
申请人： 重庆理工大学
发明人： 龚恒翔
摘要： 本发明公开一种带搅拌叶的气敏特性响应曲线测试装置，样品载台底部设有加热片，该样品载台顶面用于承载待测试的气敏材料；法兰盘上设有第一进气管、第二进气管和出气管，其中第二进气管的出气端接有万向竹节管；内罩的内腔中设有搅拌支架，在搅拌支架的外端沿周向固设有一组从动磁铁，该从动磁铁均为N极的磁铁，且从动磁铁的外圆面与内罩的内壁转动配合；搅拌支架中心处同轴固设有连接轴，该连接轴的两端沿周向均布有一组搅拌叶。本案在现有结构的基础上，增设了不可拆卸的透明的内罩，该内罩的内腔与外面实现隔热，这样就能使待测试气敏材料与外界的温度隔离，从而避免外界温度对气敏特性的影响。
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公开(公告)号：CN107152956B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710333028.0
申请日：2014-09-05
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01F23/292
摘要： 本发明提供了一种非接触式液位测量系统，包括光发射腔体和CCD接收腔体，所述光发射腔体具有光发射腔体出射准直狭缝，所述CCD接收腔体具有CCD接收腔体入射准直狭缝，当非接触式液位测量系统工作时，光发射腔体内发光体发出的光线经过光发射腔体出射准直狭缝，经过CCD接收腔体入射准直狭缝这条光路进入CCD接收腔体被CCD接收，样品管处于所述光路上且光线以平行于样品管母线的方向通过所述样品管。通过光发射腔体和CCD接收腔体能够夹持样品管，结构紧凑小巧，安装和拆卸容易，具有广泛的适用性，室内或者户外均可以使用；非接触测量方式，适合高压、易燃易爆、高毒性和纯度要求高的工作场合的液位检测。
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公开(公告)号：CN106423649B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201611006709.8
申请日：2016-11-01
申请人： 重庆理工大学
发明人： 龚恒翔
摘要： 本发明公开一种连续生产型超声雾化喷涂镀膜设备，连续输送装置中部设有一个加热装置，镀膜装置设在连续输送装置上方，并正对加热装置，该镀膜装置中的外壳内设有喷涂腔，喷涂腔外壁上设有喷涂冷却腔，该喷涂冷却腔从喷涂腔中部延伸至出口部，且喷涂冷却腔同时与外接的喷涂冷却液进管和喷涂冷却液出管连通；超声雾化组件、吹气嘴和进气管设在喷涂腔进口处，其中进气管通过吹气嘴向喷涂腔内吹入载气，该载气承载着超声雾化组件产生的雾气，并将雾气送到喷涂腔出口，以便在待镀膜工件的上表面发生高温热解反应，实现在工件上表面镀膜。本发明能连续地在工件表面镀膜，不仅大幅提高了镀膜效率，而且可以满足一些工件需要连续镀膜的工艺需求。
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