公开(公告)号：CN114496788A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111564005.3

申请日：2021-12-20

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王兆峰 ,  陈家博 ,  刘志宏 ,  朱肖肖 ,  杨伟涛 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  李祥东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种P型沟道氮化镓晶体管及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：获取具有P型沟道氮化镓结构的晶圆；步骤2：在晶圆表面的两侧外延生长重生长层，重生长层为重掺杂三族氮化物，两个重生长层之间存在间隔；步骤3：在重生长层的表面淀积欧姆金属，形成源极欧姆接触和漏极欧姆接触；步骤4：在未被重生长层覆盖的晶圆表面和部分重生长层的表面淀积栅介质层；步骤5：在栅介质层的表面淀积栅金属，形成栅电极。本发明的制备方法，在轻掺杂P型沟道层上直接外延一层重掺杂P型沟道层，避免了栅下刻蚀P型沟道层带来的高界面态密度，提高了晶体管迁移率和跨导、降低了泄漏电流、解决了晶体管阈值电压不稳定和低可靠性等问题。

公开(公告)号：CN118156307A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410152688.9

申请日：2024-02-03

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  王兆峰 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  赵胜雷 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构及其制备方法，结构包括衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极；衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层依次层叠，且P型掺杂层和N型掺杂层中开设有栅凹槽；源电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的一侧；漏电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的另一侧；栅介质层位于栅凹槽的表面和N型掺杂层的表面；栅电极位于栅凹槽中的栅介质层上且位于N型掺杂层上的部分栅介质层上。该结构通过在P型掺杂层上设置N型掺杂层，提高了P型氮化镓沟道晶体管的电流和跨导。