公开(公告)号：CN118866955A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410930274.4

申请日：2024-07-11

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 游淑珍 ,  雷毅龙 ,  韩占飞 ,  周挺 ,  王屹 ,  王亮 ,  李祥东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/47 ,  H01L27/085 ,  H01L29/49

摘要： 本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构氮化镓HEMT，包括：外延结构，包括衬底以及位于其表面的缓冲层、沟道层、势垒层和位于势垒层远离衬底一侧的PGaN层及TiN金属层，PGaN层位于势垒层表面且位于PGaN栅极区域内，TiN金属层位于PGaN层的表面；PGaN栅极区域的栅极金属，位于TiN金属层远离衬底一侧的表面；肖特基栅极区域的栅极金属，位于势垒层远离衬底一侧的表面；位于源极区域和漏极区域的欧姆金属；位于源极区域和漏极区域中欧姆金属表面的第一金属层，且源极区域与肖特基栅极区域通过该第一金属层连接，形成级联的PGaN栅E‑mode HEMT和肖特基栅D‑mode HEMT。