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公开(公告)号：CN118866955A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410930274.4
申请日：2024-07-11
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/47 , H01L27/085 , H01L29/49
Abstract: 本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构氮化镓HEMT，包括：外延结构，包括衬底以及位于其表面的缓冲层、沟道层、势垒层和位于势垒层远离衬底一侧的PGaN层及TiN金属层，PGaN层位于势垒层表面且位于PGaN栅极区域内，TiN金属层位于PGaN层的表面；PGaN栅极区域的栅极金属，位于TiN金属层远离衬底一侧的表面；肖特基栅极区域的栅极金属，位于势垒层远离衬底一侧的表面；位于源极区域和漏极区域的欧姆金属；位于源极区域和漏极区域中欧姆金属表面的第一金属层，且源极区域与肖特基栅极区域通过该第一金属层连接，形成级联的PGaN栅E‑mode HEMT和肖特基栅D‑mode HEMT。
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公开(公告)号：CN119667252A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411716710.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明提供了一种具有直流检测功能的拾取线圈传感电路及传感器，包括：单匝罗氏拾取线圈及交流信号还原电路、峰值检测电路和加法运算电路，单匝罗氏拾取线圈及交流信号还原电路包括单匝罗氏拾取线圈。该电路通过单匝罗氏拾取线圈及交流信号还原电路检测流经待测GaN器件的电流中的交流分量，通过峰值检测电路检测流经待测GaN器件的电流中的直流分量，实现从直流到交流的宽带宽范围内的电流检测；该电路拥有非常低的寄生电感；单匝罗氏拾取线圈及交流信号还原电路为电阻、电容、运放等低成本元器件，能够有效降低整个传感电路的制造成本。
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公开(公告)号：CN119815864A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411772229.7
申请日：2024-12-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H10D30/47 , H10D62/824 , H10D62/854 , H10D62/10
Abstract: 本发明公开了一种C:GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次设置的衬底层、成核层、高阻缓冲层、背势垒层、GaN沟道层、插入层和势垒层，势垒层的上表面的中部依次设置有C掺杂的C:GaN帽层和TiN金属层；势垒层的上表面的两侧分别包括第一离子注入区和第二离子注入区；第一离子注入区和第二离子注入区的内侧分别设置有源电极和漏电极，源电极和漏电极的下表面均与GaN沟道层接触；TiN金属层和势垒层的上表面以及C:GaN帽层的两侧设置有钝化层，C:GaN帽层的上表面设置有栅电极。本发明通过设置C:GaN帽层和背势垒层，有效减少了栅极漏电，提高了栅极正向耐压，得到了阈值电压稳定的增强型器件。
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公开(公告)号：CN119815851A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411753552.X
申请日：2024-12-02
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件，该方法在制备漏极调制GaN器件中两个厚度不同的P‑GaN层时，先沉积厚度较大的P‑GaN层，然后在不同的区域对P‑GaN层进行两次刻蚀，形成较厚的第一P‑GaN层和较薄的P‑GaN层；并且沉积的栅极P‑GaN上的金属与漏极P‑GaN的金属不同，使得栅极为肖特基接触，漏极与P‑GaN、源极、漏极为欧姆接触。根据本发明提供的方法，通过两步刻蚀的方法形成厚度不同的两个P‑GaN层，相较于传统刻蚀凹槽后再生长来制备混合漏极型GaN晶体管(HD‑GIT)从而减小动态导通电阻方法，本发明的工艺步骤较少、工艺复杂度较低；并且肖特基接触的栅极漏电流更小。
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公开(公告)号：CN118759745A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410916144.5
申请日：2024-07-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明提供了一种周期弧形边缘电极的薄膜铌酸锂调制器及其制备方法，周期弧形边缘电极的薄膜铌酸锂调制器内的电极包括矩形结构和凸起结构，凸起结构根据正负电极的不同情况设置在矩形结构两侧或一侧，凸起结构包括第一条形部和第二条形部，其中，第一条形部的第一端连接矩形结构，第二端连接第二条形部的中间位置，第一条形部和第二条形部的边缘呈圆弧形状。本发明通过对凸起结构的边缘进行弧形处理，使得电场更均匀的分布在波导两侧，可以有效减弱微波电流的趋肤效应，可以避免电流的聚集，实现更高的调制效率和调制带宽。本发明在减小欧姆阻抗的同时，减弱了趋肤效应，降低了微波传输损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677121A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411716708.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明涉及一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，晶体管包括：依次层叠的衬底、成核层、应力调节层、集电区、N型缓冲层、N型漂移层、P型发射区、沟道层和势垒层，集电区的至少一部分为P型集电区，沟道层和势垒层之间形成二维电子气；与P型发射区接触的第一发射极金属，第一发射极金属与势垒层、沟道层之间设置有介质层；覆盖第一发射极金属且与沟道层上表面接触的第二发射极金属；延伸至N型漂移层内部的栅极金属，且栅极金属与势垒层、沟道层、P型发射区、N型漂移层之间设置有介质层；贯穿衬底、成核层、应力调节层的且延伸至集电区下表面的集电极金属。该晶体管减少了散射效应，提高了器件电子的迁移率。
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公开(公告)号：CN116260327A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310160863.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT功率半桥电路系统，包括：死区时间控制电路(1)、电平移位电路和上侧逻辑电路(2)、逻辑和控制电路(3)、高侧驱动(4)、低侧驱动(5)、电流检测电路(6)、高侧器件(7)、低侧器件(8)、二极管(D)、第一电容(C101)、电感(L)、第二电容(C102)和第一电阻(R101)。本发明实施例的GaN HEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时，提高电路性能，且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时，提升了电路的可靠性，降低了设备损坏的风险。
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公开(公告)号：CN115692184A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211354448.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P‑AlGaN栅增强型晶体管及制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P‑AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层，露出P‑AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P‑AlGaN层，形成P‑AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层，并在金属层、P‑AlGaN层、P‑AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P‑AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P‑GaN侧墙缺陷产生的问题。
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公开(公告)号：CN115188841A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210716571.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT结构太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极、漏电极、钝化层和微透镜，其中，衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间；钝化层位于势垒层、栅电极、源电极和漏电极上；微透镜位于钝化层上，且微透镜的表面呈凸起状以聚焦入射太赫兹波。该太赫兹探测器中设置表面呈凸起状的微透镜以聚焦入射太赫兹波，可以减小GaN HEMT结构太赫兹探测器对太赫兹波的接受面积，提高接受太赫兹波的效率，提高太赫兹探测器的响应度等各项指标，整体上提高该太赫兹探测器的探测信号的性能。
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公开(公告)号：CN115032169A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210426643.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01N21/3581 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法，阵列单元包括：太赫兹天线、检波单元和功率放大器。检波单元包括至少一个第一晶体管，功率放大器包括至少一个第二晶体管，至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管均采用氮化镓基高电子迁移率晶体管且集成在同一预制片上；太赫兹天线与至少一个所述第一晶体管中的检波单元输入端连接，至少一个所述第一晶体管中的检波单元输出端与至少一个所述第二晶体管中的功率放大器输入端连接。该阵列单元检波单元的晶体管与功率放大器的晶体管集成于同一衬底上，能够有效提高探测器像元一致性与集成度，减少封装和工艺加工成本，提高整个探测器阵列单元的高温工作能力。
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